SiC
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Oblea de epitaxia SiC de 6 polgadas tipo N/P aceptada personalizada
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Produción de substrato de SiC de 4H-N e 6 polgadas de diámetro e grao ficticio
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Oblea SiC Epi de 4 polgadas para MOS ou SBD
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Lingote de SiC de 2 polgadas de diámetro 50,8 mm x 10 mm, monocristal 4H-N
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Oblea de SiC de 8 polgadas 4H-N de 200 mm de grao ficticio de substrato de SiC
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Obleas de SiC de 4 polgadas, substratos de SiC semiillantes 6H de primeira calidade, para investigación e de simulación
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Oblea de substrato SiC HPSI de 6 polgadas Obleas de SiC semiaislantes de carburo de silicio
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Obleas de SiC semi-illantes de 4 polgadas, substrato de SiC HPSI, grao de produción principal
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Oblea de substrato semi-SiC 4H de 3 polgadas e 76,2 mm, obleas de SiC semi-illantes de carburo de silicio
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Substratos de SiC de 3 polgadas e 76,2 mm de diámetro, HPSI Prime Research e de grao ficticio
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Oblea de substrato SiC de 2 polgadas 4H-semi HPSI, de calidade ficticia para a produción de investigación
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Obleas de SiC de 2 polgadas, substratos de SiC semiillantes 6H ou 4H, diámetro de 50,8 mm