Obleas de SiC de 4 polgadas 6H Sustratos de SiC semi-aislantes de grao primario, de investigación e ficticio

Obleas de SiC de 4 polgadas Substratos de SiC semi-aislantes de 6H de primeira, de investigación e de grao ficticio Imaxe destacada

Descrición curta:

O substrato de carburo de silicio semi-illado está formado por corte, moenda, pulido, limpeza e outras tecnoloxías de procesamento despois do crecemento do cristal de carburo de silicio semi-illado.No substrato crece unha capa ou capa de cristal multicapa que cumpre os requisitos de calidade como epitaxia e, a continuación, faise o dispositivo de RF de microondas combinando o deseño do circuíto e o embalaxe.Dispoñible como substratos de cristal único de carburo de silicio semi-illados de 2 polgadas, 3 polgadas e 4 polgadas, 6 polgadas e 8 polgadas.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Especificación do produto

Grao			Grao de produción cero MPD (grado Z)			Grao de produción estándar (grado P)		Grao ficticio (grado D)
Diámetro			99,5 mm~100,0 mm
	4H-SI		500 μm±20 μm			500 μm±25 μm
Orientación de obleas			Fóra do eixe: 4,0° cara a < 1120 > ±0,5° para 4H-N, No eixe: <0001>±0,5° para 4H-SI
	4H-SI		≤ 1 cm^-2			≤5 cm^-2		≤ 15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Orientación primaria de piso		{10-10} ±5,0°
Lonxitude plana primaria		32,5 mm ± 2,0 mm
Lonxitude plana secundaria		18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación de piso secundario		Silicona cara arriba: 90° CW.desde Prime Flat ±5,0°
Exclusión de borde		3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosidade			C cara				polaco		Ra ≤ 1 nm
			Si cara	CMP	Ra ≤ 0,2 nm					Ra ≤ 0,5 nm
Rachaduras de borde pola luz de alta intensidade		Ningún						Lonxitude acumulada ≤ 10 mm, única lonxitude ≤ 2 mm
Placas hexagonales por luz de alta intensidade		Área acumulada ≤0,05%						Área acumulada ≤0,1%
Zonas politípicas por luz de alta intensidade		Ningún						Área acumulada ≤ 3 %
Inclusións de carbono visual		Área acumulada ≤0,05%						Área acumulada ≤ 3 %
Arañazos na superficie de silicio por luz de alta intensidade		Ningún						Lonxitude acumulada ≤1＊diámetro da oblea
Chips de borde de alta intensidade de luz		Non se permite ningún ≥0,2 mm de ancho e profundidade						5 permitidos, ≤1 mm cada un
Contaminación da superficie de silicio por alta intensidade		Ningún
Embalaxe		Casete de obleas múltiples ou recipiente de obleas simples