Sustratos SiC de 3 polgadas de diámetro 76,2 mm HPSI Prime Research e grado simulado

Substrato condutor: refírese á resistividade do substrato de carburo de silicio de 15 ~ 30 mΩ-cm.A oblea epitaxial de carburo de silicio cultivada a partir do substrato condutor de carburo de silicio pódese converter en dispositivos de enerxía, que son amplamente utilizados en vehículos de nova enerxía, fotovoltaica, redes intelixentes e transporte ferroviario.

O substrato semi-illante refírese á resistividade superior a 100000Ω-cm. O substrato de carburo de silicio, usado principalmente na fabricación de dispositivos de radiofrecuencia de microondas de nitruro de galio, é a base do campo de comunicación sen fíos.

É un compoñente básico no campo da comunicación sen fíos.

Os substratos condutores e semiillantes de carburo de silicio utilízanse nunha ampla gama de dispositivos electrónicos e dispositivos de potencia, incluíndo, entre outros, os seguintes:

Dispositivos semicondutores de alta potencia (condutores): os substratos de carburo de silicio teñen unha alta intensidade de campo de ruptura e condutividade térmica, e son axeitados para a produción de transistores e díodos de potencia de alta potencia e outros dispositivos.

Dispositivos electrónicos de RF (semi-illados): os substratos de carburo de silicio teñen unha alta velocidade de conmutación e tolerancia de potencia, axeitados para aplicacións como amplificadores de potencia de RF, dispositivos de microondas e interruptores de alta frecuencia.

Dispositivos optoelectrónicos (semi-illados): os substratos de carburo de silicio teñen unha gran brecha enerxética e unha alta estabilidade térmica, axeitados para facer fotodiodos, células solares e díodos láser e outros dispositivos.

Sensores de temperatura (condutivos): os substratos de carburo de silicio teñen unha alta condutividade térmica e estabilidade térmica, axeitados para a produción de sensores de alta temperatura e instrumentos de medición de temperatura.

O proceso de produción e aplicación de substratos condutores e semiillantes de carburo de silicio teñen unha ampla gama de campos e potenciais, proporcionando novas posibilidades para o desenvolvemento de dispositivos electrónicos e de potencia.