Obleas de carburo de silicio de alta pureza (sen dopar) de 3 polgadas, substratos de Sic semiillantes (HPSl)

Descrición curta:

A oblea de carburo de silicio (SiC) semiillante de alta pureza (HPSI) de 3 polgadas é un substrato de primeira calidade optimizado para aplicacións optoelectrónicas de alta potencia e alta frecuencia. Fabricadas con material 4H-SiC de alta pureza e sen dopar, estas obleas presentan unha excelente condutividade térmica, unha ampla banda prohibida e propiedades semiillantes excepcionais, o que as fai indispensables para o desenvolvemento de dispositivos avanzados. Cunha integridade estrutural e unha calidade superficial superiores, os substratos HPSI SiC serven como base para as tecnoloxías de próxima xeración nas industrias da electrónica de potencia, as telecomunicacións e a aeroespacial, apoiando a innovación en diversos campos.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas do produto

Propiedades

1. Propiedades físicas e estruturais
●Tipo de material: Carburo de silicio (SiC) de alta pureza (sen dopar)
●Diámetro: 3 polgadas (76,2 mm)
● Grosor: 0,33-0,5 mm, personalizable segundo os requisitos da aplicación.
●Estrutura cristalina: politipo 4H-SiC cunha rede hexagonal, coñecida pola súa alta mobilidade electrónica e estabilidade térmica.
●Orientación:
Estándar: [0001] (plano C), axeitado para unha ampla gama de aplicacións.
Opcional: Fóra do eixo (inclinación de 4° ou 8°) para mellorar o crecemento epitaxial das capas do dispositivo.
●Planitude: Variación total do grosor (TTV) ●Calidade da superficie:
oPuído a oBaixa densidade de defectos (densidade de microtubos <10/cm²). 2. Propiedades eléctricas ●Resistividade: >109^99 Ω·cm, mantida mediante a eliminación de dopantes intencionados.
● Rixidez dieléctrica: Alta resistencia á tensión con perdas dieléctricas mínimas, ideal para aplicacións de alta potencia.
●Condutividade térmica: 3,5-4,9 W/cm·K, o que permite unha disipación eficaz da calor en dispositivos de alto rendemento.

3. Propiedades térmicas e mecánicas
● Ampla banda prohibida: 3,26 eV, o que permite o funcionamento en condicións de alta tensión, alta temperatura e alta radiación.
●Dureza: escala de Mohs 9, o que garante a robustez contra o desgaste mecánico durante o procesamento.
●Coeficiente de expansión térmica: 4,2×10−6/K4,2 \times 10^{-6}/\text{K}4,2×10−6/K, o que garante a estabilidade dimensional baixo variacións de temperatura.

Parámetro	Grao de produción	Grao de investigación	Grao de simulación	Unidade
Grao	Grao de produción	Grao de investigación	Grao de simulación
Diámetro	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Espesor	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	µm
Orientación da oblea	No eixo: <0001> ± 0,5°	No eixo: <0001> ± 2,0°	No eixo: <0001> ± 2,0°	grao
Densidade de microtubos (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Resistividade eléctrica	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dopante	Sen dopar	Sen dopar	Sen dopar
Orientación plana primaria	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	grao
Lonxitude plana primaria	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Lonxitude plana secundaria	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Orientación plana secundaria	90° no sentido horario desde o plano primario ± 5,0°	90° no sentido horario desde o plano primario ± 5,0°	90° no sentido horario desde o plano primario ± 5,0°	grao
Exclusión de bordos	3	3	3	mm
LTV/TTV/Arco/Deformación	3 / 10 / ±30 / 40	3 / 10 / ±30 / 40	5 / 15 / ±40 / 45	µm
Rugosidade da superficie	Cara Si: CMP, cara C: pulida	Cara Si: CMP, cara C: pulida	Cara Si: CMP, cara C: pulida
Fendas (luz de alta intensidade)	Ningún	Ningún	Ningún
Placas hexagonais (luz de alta intensidade)	Ningún	Ningún	Área acumulada 10%	%
Áreas politípicas (luz de alta intensidade)	Área acumulada 5%	Área acumulada 20%	Área acumulada 30%	%
Rasguños (luz de alta intensidade)	≤ 5 rabuñaduras, lonxitude acumulada ≤ 150	≤ 10 rabuñaduras, lonxitude acumulada ≤ 200	≤ 10 rabuñaduras, lonxitude acumulada ≤ 200	mm
Desconchado de bordos	Ningún ≥ 0,5 mm de ancho/profundidade	2 permitidos ≤ 1 mm de ancho/profundidade	5 permitidos ≤ 5 mm de ancho/profundidade	mm
Contaminación superficial	Ningún	Ningún	Ningún

Aplicacións

1. Electrónica de potencia
A ampla banda prohibida e a alta condutividade térmica dos substratos HPSI SiC fan que sexan ideais para dispositivos de alimentación que funcionan en condicións extremas, como:
●Dispositivos de alta tensión: incluíndo MOSFET, IGBT e díodos de barreira Schottky (SBD) para unha conversión de enerxía eficiente.
●Sistemas de enerxía renovable: como inversores solares e controladores de aeroxeradores.
● Vehículos eléctricos (VE): úsanse en inversores, cargadores e sistemas de transmisión para mellorar a eficiencia e reducir o tamaño.

2. Aplicacións de RF e microondas
A alta resistividade e as baixas perdas dieléctricas das obleas HPSI son esenciais para os sistemas de radiofrecuencia (RF) e microondas, incluíndo:
●Infraestrutura de telecomunicacións: estacións base para redes 5G e comunicacións por satélite.
●Aeroespacial e defensa: sistemas de radar, antenas de matriz en fase e compoñentes de aviónica.

3. Optoelectrónica
A transparencia e a ampla banda prohibida do 4H-SiC permiten o seu uso en dispositivos optoelectrónicos, como:
●Fotodetectores UV: para monitorización ambiental e diagnóstico médico.
●LED de alta potencia: compatibles con sistemas de iluminación de estado sólido.
●Diodos láser: Para aplicacións industriais e médicas.

4. Investigación e Desenvolvemento
Os substratos de SiC HPSI úsanse amplamente en laboratorios de I+D académicos e industriais para explorar propiedades avanzadas de materiais e fabricación de dispositivos, incluíndo:
●Crecemento de capas epitaxiales: estudos sobre a redución de defectos e a optimización de capas.
●Estudos de mobilidade de portadores: Investigación do transporte de electróns e buratos en materiais de alta pureza.
●Prototipado: desenvolvemento inicial de novos dispositivos e circuítos.

Vantaxes

Calidade superior:
A alta pureza e a baixa densidade de defectos proporcionan unha plataforma fiable para aplicacións avanzadas.

Estabilidade térmica:
As excelentes propiedades de disipación da calor permiten que os dispositivos funcionen eficientemente en condicións de alta potencia e temperatura.

Compatibilidade ampla:
As orientacións dispoñibles e as opcións de grosor personalizadas garanten a adaptabilidade para os diversos requisitos do dispositivo.

Durabilidade:
A dureza excepcional e a estabilidade estrutural minimizan o desgaste e a deformación durante o procesamento e a operación.

Versatilidade:
Apto para unha ampla gama de industrias, desde as enerxías renovables ata a aeroespacial e as telecomunicacións.

Conclusión

A oblea de carburo de silicio semiillante de alta pureza de 3 polgadas representa o cumio da tecnoloxía de substratos para dispositivos optoelectrónicos de alta potencia e alta frecuencia. A súa combinación de excelentes propiedades térmicas, eléctricas e mecánicas garante un rendemento fiable en contornas desafiantes. Desde electrónica de potencia e sistemas de radiofrecuencia ata optoelectrónica e I+D avanzada, estes substratos HPSI constitúen a base para as innovacións do mañá.
Para obter máis información ou para realizar un pedido, póñase en contacto connosco. O noso equipo técnico está dispoñible para ofrecerlle orientación e opcións de personalización adaptadas ás súas necesidades.