Obleas de carburo de silicio de 3 polgadas de alta pureza (non dopadas) Sustratos Sic semi-aislantes (HPSl)

Obleas de carburo de silicio de 3 polgadas de alta pureza (non dopadas) Substratos Sic semi-aislantes (HPSl) Imaxe destacada

Breve descrición:

A oblea de carburo de silicio (SiC) de alta pureza (HPSI) de 3 polgadas é un substrato de calidade superior optimizado para aplicacións de alta potencia, alta frecuencia e optoelectrónicas. Fabricadas con material 4H-SiC de alta pureza e non dopado, estas obleas presentan unha excelente condutividade térmica, unha ampla banda prohibida e unhas propiedades semi-illantes excepcionais, o que as fai indispensables para o desenvolvemento de dispositivos avanzados. Cunha integridade estrutural e calidade superficial superiores, os substratos HPSI SiC serven como base para tecnoloxías de próxima xeración nas industrias de electrónica de potencia, telecomunicacións e aeroespacial, apoiando a innovación en diversos campos.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Propiedades

1. Propiedades físicas e estruturais
●Tipo de material: Carburo de silicio (SiC) de alta pureza (sen dopar)
●Diámetro: 3 polgadas (76,2 mm)
●Espesor: 0,33-0,5 mm, personalizable en función dos requisitos da aplicación.
●Estrutura cristalina: politipo 4H-SiC cunha rede hexagonal, coñecida pola súa alta mobilidade de electróns e estabilidade térmica.
●Orientación:
o Estándar: [0001] (plano C), axeitado para unha ampla gama de aplicacións.
oOpcional: fóra do eixe (inclinación de 4° ou 8°) para mellorar o crecemento epitaxial das capas do dispositivo.
●Planitude: variación total do espesor (TTV) ●Calidade da superficie:
oPulido a oBaixa densidade de defectos (<10/cm² de densidade de microtubo). 2. Propiedades eléctricas ●Resistividade: >109^99 Ω·cm, mantida pola eliminación de dopantes intencionados.
●Resistencia dieléctrica: resistencia a alta tensión con mínimas perdas dieléctricas, ideal para aplicacións de alta potencia.
●Condutividade térmica: 3,5-4,9 W/cm·K, permitindo unha disipación eficaz da calor en dispositivos de alto rendemento.

3. Propiedades térmicas e mecánicas
●Wide Bandgap: 3,26 eV, admite o funcionamento en condicións de alta tensión, alta temperatura e alta radiación.
●Dureza: Escala Mohs 9, que garante a robustez contra o desgaste mecánico durante o procesado.
●Coeficiente de expansión térmica: 4,2×10−6/K4,2 \times 10^{-6}/\text{K}4,2×10−6/K, garantindo a estabilidade dimensional ante variacións de temperatura.

Parámetro	Grao de produción	Grao de Investigación	Grao Dummy	Unidade
Grao	Grao de produción	Grao de Investigación	Grao Dummy
Diámetro	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Espesor	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	µm
Orientación de obleas	No eixe: <0001> ± 0,5°	No eixe: <0001> ± 2,0°	No eixe: <0001> ± 2,0°	grao
Densidade de microtubo (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Resistividad eléctrica	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dopante	Desdopado	Desdopado	Desdopado
Orientación primaria de piso	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	grao
Lonxitude plana primaria	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Lonxitude plana secundaria	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Orientación de piso secundario	90° CW desde o plano principal ± 5,0°	90° CW desde o plano principal ± 5,0°	90° CW desde o plano principal ± 5,0°	grao
Exclusión de borde	3	3	3	mm
LTV/TTV/Bow/Warp	3/10/±30/40	3/10/±30/40	5/15/±40/45	µm
Rugosidade superficial	Si-face: CMP, C-face: Pulido	Si-face: CMP, C-face: Pulido	Si-face: CMP, C-face: Pulido
Gretas (luz de alta intensidade)	Ningún	Ningún	Ningún
Placas hexagonales (luz de alta intensidade)	Ningún	Ningún	Superficie acumulada 10%	%
Áreas de politipo (luz de alta intensidade)	Superficie acumulada 5%	Superficie acumulada 20%	Superficie acumulada 30%	%
Arañazos (luz de alta intensidade)	≤ 5 arañazos, lonxitude acumulada ≤ 150	≤ 10 arañazos, lonxitude acumulada ≤ 200	≤ 10 arañazos, lonxitude acumulada ≤ 200	mm
Chipping de bordes	Ningún ≥ 0,5 mm de ancho/fondo	2 permitidos ≤ 1 mm de ancho/fondo	5 permitidos ≤ 5 mm de ancho/fondo	mm
Contaminación da superficie	Ningún	Ningún	Ningún

Aplicacións

1. Electrónica de potencia
O amplo intervalo de banda e a alta condutividade térmica dos substratos HPSI SiC fanos ideais para dispositivos de potencia que funcionan en condicións extremas, como:
●Dispositivos de alta tensión: incluíndo MOSFET, IGBT e diodos de barreira Schottky (SBD) para unha conversión de enerxía eficiente.
●Sistemas de Enerxías Renovables: como inversores solares e controladores de aeroxeradores.
●Vehículos eléctricos (EV): Úsanse en inversores, cargadores e sistemas de propulsión para mellorar a eficiencia e reducir o tamaño.

2. Aplicacións de RF e microondas
A alta resistividade e as baixas perdas dieléctricas das obleas HPSI son esenciais para os sistemas de radiofrecuencia (RF) e microondas, incluíndo:
●Infraestrutura de telecomunicacións: estacións base para redes 5G e comunicacións por satélite.
●Aeroespacial e Defensa: sistemas de radar, antenas de matriz en fase e compoñentes de aviónica.

3. Optoelectrónica
A transparencia e a ampla gama de bandas do 4H-SiC permiten o seu uso en dispositivos optoelectrónicos, como:
●Fotodetectores UV: para seguimento ambiental e diagnóstico médico.
●LEDs de alta potencia: admiten sistemas de iluminación de estado sólido.
●Díodos láser: Para aplicacións industriais e médicas.

4. Investigación e Desenvolvemento
Os substratos HPSI SiC úsanse amplamente nos laboratorios de I+D académicos e industriais para explorar propiedades avanzadas de materiais e fabricación de dispositivos, incluíndo:
●Crecemento da capa epitaxial: estudos de redución de defectos e optimización de capas.
●Carrier Mobility Studies: Investigación do transporte de electróns e buratos en materiais de alta pureza.
●Prototipado: desenvolvemento inicial de novos dispositivos e circuítos.

Vantaxes

Calidade superior:
A alta pureza e a baixa densidade de defectos proporcionan unha plataforma fiable para aplicacións avanzadas.

Estabilidade térmica:
As excelentes propiedades de disipación de calor permiten que os dispositivos funcionen de forma eficiente en condicións de alta potencia e temperatura.

Compatibilidade ampla:
As orientacións dispoñibles e as opcións de espesor personalizadas garanten a adaptabilidade a varios requisitos do dispositivo.

Durabilidade:
A dureza e estabilidade estrutural excepcional minimizan o desgaste e a deformación durante o procesamento e a operación.

Versatilidade:
Axeitado para unha ampla gama de industrias, desde enerxías renovables ata aeroespacial e telecomunicacións.

Conclusión

A oblea de carburo de silicio semi-illante de alta pureza de 3 polgadas representa o pináculo da tecnoloxía de substrato para dispositivos de alta potencia, alta frecuencia e optoelectrónicos. A súa combinación de excelentes propiedades térmicas, eléctricas e mecánicas garante un rendemento fiable en ambientes desafiantes. Desde electrónica de potencia e sistemas de RF ata optoelectrónica e I+D avanzada, estes substratos HPSI proporcionan a base para as innovacións do futuro.
Para máis información ou para facer un pedido, póñase en contacto connosco. O noso equipo técnico está dispoñible para ofrecer orientación e opcións de personalización adaptadas ás súas necesidades.