Obleas de SiC de 4 polgadas, substratos de SiC semiillantes 6H de primeira calidade, para investigación e de simulación

Descrición curta:

O substrato de carburo de silicio semiillado fórmase mediante corte, moenda, pulido, limpeza e outras tecnoloxías de procesamento despois do crecemento do cristal de carburo de silicio semiillado. Cultívase unha capa ou capa de cristal multicapa sobre o substrato que cumpre os requisitos de calidade como epitaxia e, a continuación, fabrícase o dispositivo de radiofrecuencia de microondas combinando o deseño do circuíto e o empaquetado. Dispoñible como substratos monocristais de carburo de silicio semiillados de 2 polgadas, 3 polgadas, 4 polgadas, 6 polgadas e 8 polgadas de grao industrial, de investigación e de proba.

Envíanos un correo electrónico

Características

Especificación do produto

Grao			Grao de produción MPD cero (grao Z)			Grao de produción estándar (grao P)		Grao de simulación (Grao D)
Diámetro			99,5 mm~100,0 mm
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm ± 25 μm
Orientación da oblea			Fóra do eixe: 4,0° cara a <1120> ±0,5° para 4H-N, No eixe: <0001>±0,5° para 4H-SI
	4H-SI		≤1 cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 centímetros^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Orientación plana primaria		{10-10} ±5,0°
Lonxitude plana primaria		32,5 mm ± 2,0 mm
Lonxitude plana secundaria		18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria		Cara de silicona cara arriba: 90° no sentido horario desde o plano Prime ±5,0°
Exclusión de bordos		3 milímetros
LTV/TTV/Arco/Deformación		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosidade			Cara C				Polaco		Ra≤1 nm
			Cara Si	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Gretas nos bordos por luz de alta intensidade		Ningún						Lonxitude acumulada ≤ 10 mm, individual lonxitude ≤2 mm
Placas hexagonais por luz de alta intensidade		Área acumulada ≤0,05%						Área acumulada ≤0,1%
Áreas politípicas por luz de alta intensidade		Ningún						Área acumulada ≤3%
Inclusións visuais de carbono		Área acumulada ≤0,05%						Área acumulada ≤3%
Rasgaduras na superficie de silicio por luz de alta intensidade		Ningún						Lonxitude acumulada ≤1 * diámetro da oblea
Chips de bordo de alta intensidade por luz		Non se permite ningún ancho e fondo ≥0,2 mm						5 permitidos, ≤1 mm cada un
Contaminación da superficie do silicio por alta intensidade		Ningún
Envasado		Casete multi-oblea ou recipiente de oblea única