Substrato
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Oblea SOI de substrato de silicio sobre illante de tres capas para microelectrónica e radiofrecuencia
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SSP/DSP de plano C con oblea de zafiro de 12 polgadas
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Illante de oblea SOI en obleas de silicio SOI (silicio sobre illante) de 8 e 6 polgadas
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Bola de zafiro de plano C de 200 kg, método KY monocristalino 99,999 %
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Material transparente monocristal de zafiro 99,999 % Al2O3
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Oblea de cerámica de alúmina de 4 polgadas de pureza do 99 %, policristalina resistente ao desgaste e 1 mm de espesor
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Oblea de dióxido de silicio, oblea de SiO2 pulida de grosor, de primeira calidade e de proba
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Oblea de SiC de 8 polgadas 4H-N de 200 mm de grao ficticio de substrato de SiC
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Obleas de SiC de 4 polgadas, substratos de SiC semiillantes 6H de primeira calidade, para investigación e de simulación
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Oblea de substrato SiC HPSI de 6 polgadas Obleas de SiC semiaislantes de carburo de silicio
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Obleas de SiC semi-illantes de 4 polgadas, substrato de SiC HPSI, grao de produción principal
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Oblea de substrato semi-SiC 4H de 3 polgadas e 76,2 mm, obleas de SiC semi-illantes de carburo de silicio