Substrato
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Oblea de SiC de 8 polgadas 4H-N de 200 mm de grao ficticio de substrato de SiC
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Material transparente monocristal de zafiro 99,999 % Al2O3
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Oblea de silicio de óxido térmico de película fina de SiO2 de 4 polgadas, 6 polgadas, 8 polgadas e 12 polgadas
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Semente de SiC 4H-N Dia205mm de China, monocristalina de grao P e D
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Oblea SOI de substrato de silicio sobre illante de tres capas para microelectrónica e radiofrecuencia
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Produción de substrato de SiC de 4H-N e 6 polgadas de diámetro e grao ficticio
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Oblea de zafiro de 3 polgadas de diámetro e 76,2 mm de grosor e 0,5 mm de plano C SSP
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Illante de oblea SOI en obleas de silicio SOI (silicio sobre illante) de 8 e 6 polgadas
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Oblea SiC Epi de 4 polgadas para MOS ou SBD
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Lingote de SiC de 2 polgadas de diámetro 50,8 mm x 10 mm, monocristal 4H-N
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Oblea de epitaxia SiC de 6 polgadas tipo N/P aceptada personalizada
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Oblea de dióxido de silicio, oblea de SiO2 pulida de grosor, de primeira calidade e de proba