Oblea de SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipo 2 polgadas 3 polgadas 4 polgadas 6 polgadas 8 polgadas

Descrición curta:

Ofrecemos unha selección diversa de obleas de SiC (carburo de silicio) de alta calidade, cun enfoque particular nas obleas de tipo N 4H-N e 6H-N, que son ideais para aplicacións en optoelectrónica avanzada, dispositivos de potencia e ambientes de alta temperatura. Estas obleas de tipo N son coñecidas pola súa excepcional condutividade térmica, excelente estabilidade eléctrica e notable durabilidade, o que as fai perfectas para aplicacións de alto rendemento como electrónica de potencia, sistemas de accionamento de vehículos eléctricos, inversores de enerxía renovable e fontes de alimentación industriais. Ademais das nosas ofertas de tipo N, tamén proporcionamos obleas de SiC 4H/6H-P e 3C de tipo P para necesidades especializadas, incluíndo dispositivos de alta frecuencia e RF, así como aplicacións fotónicas. As nosas obleas están dispoñibles en tamaños que van desde 2 polgadas ata 8 polgadas, e proporcionamos solucións personalizadas para satisfacer os requisitos específicos de varios sectores industriais. Para máis detalles ou consultas, non dubide en contactar connosco.

Envíanos un correo electrónico

Características

Propiedades

4H-N e 6H-N (obleas de SiC de tipo N)

Aplicación:Úsase principalmente en electrónica de potencia, optoelectrónica e aplicacións de alta temperatura.

Rango de diámetro:De 50,8 mm a 200 mm.

Espesor:350 μm ± 25 μm, con espesores opcionais de 500 μm ± 25 μm.

Resistividade:Tipo N 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grao Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grao P); Tipo N 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (grao Z), ≤ 1 mΩ·cm (grao P).

Rugosidade:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densidade da microtubaxe (MPD):< 1 unidade/cm².

TVI: ≤ 10 μm para todos os diámetros.

Deformación: ≤ 30 μm (≤ 45 μm para obleas de 8 polgadas).

Exclusión de bordos:De 3 mm a 6 mm dependendo do tipo de oblea.

Embalaxe:Casete de varias obleas ou recipiente para unha soa oblea.

Outros tamaños dispoñibles 3 polgadas, 4 polgadas, 6 polgadas e 8 polgadas

HPSI (obleas de SiC semiillantes de alta pureza)

Aplicación:Úsase para dispositivos que requiren alta resistencia e rendemento estable, como dispositivos de RF, aplicacións fotónicas e sensores.

Rango de diámetro:De 50,8 mm a 200 mm.

Espesor:Grosor estándar de 350 μm ± 25 μm con opcións para obleas máis grosas de ata 500 μm.

Rugosidade:Ra ≤ 0,2 nm.

Densidade da microtubaxe (MPD): ≤ 1 unidade/cm².

Resistividade:Alta resistencia, normalmente empregada en aplicacións semiillantes.

Deformación: ≤ 30 μm (para tamaños máis pequenos), ≤ 45 μm para diámetros máis grandes.

TVI: ≤ 10 μm.

Outros tamaños dispoñibles 3 polgadas, 4 polgadas, 6 polgadas e 8 polgadas

4H-P、6H-P&3C Oblea de SiC(Obleas de SiC tipo P)

Aplicación:Principalmente para dispositivos de potencia e alta frecuencia.

Rango de diámetro:De 50,8 mm a 200 mm.

Espesor:350 μm ± 25 μm ou opcións personalizadas.

Resistividade:Tipo P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grao Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grao P).

Rugosidade:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densidade da microtubaxe (MPD):< 1 unidade/cm².

TVI: ≤ 10 μm.

Exclusión de bordos:De 3 mm a 6 mm.

Deformación: ≤ 30 μm para tamaños máis pequenos, ≤ 45 μm para tamaños máis grandes.

Outros tamaños dispoñibles de 3 polgadas, 4 polgadas e 6 polgadas5×5 10×10

Táboa de parámetros de datos parciais

Propiedade	2 polgadas		3 polgadas		4 polgadas	6 polgadas	8 polgadas
Tipo	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Diámetro	50,8 ± 0,3 mm		76,2 ± 0,3 mm		100 ± 0,3 mm	150 ± 0,3 mm	200 ± 0,3 mm
Espesor	330 ± 25 µm		350 ±25 µm		350 ±25 µm	350 ±25 µm	350 ±25 µm
	350 ± 25 µm;		500 ± 25 µm		500 ± 25 µm	500 ± 25 µm	500 ± 25 µm
	ou personalizado		ou personalizado		ou personalizado	ou personalizado	ou personalizado
Rugosidade	Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm
Deformación	≤ 30 µm		≤ 30 µm		≤ 30 µm	≤ 30 µm	≤45 µm
TVG	≤ 10 µm		≤ 10 µm		≤ 10 µm	≤ 10 µm	≤ 10 µm
Rascar/Escavar	CMP/MP
MPD	<1 unidade/cm-2	<1 unidade/cm-2		<1 unidade/cm-2		<1 unidade/cm-2		<1 unidade/cm-2
Forma	Redonda, plana de 16 mm; DE lonxitude 22 mm; DE lonxitude 30/32,5 mm; DE lonxitude 47,5 mm; MOLHADA; MOLHADA;
Bisel	45°, especificación SEMI; forma de C
Grao	Grao de produción para MOS e SBD; Grao de investigación; Grao ficticio, Grao de oblea de sementes
Observacións	Diámetro, grosor, orientación e as especificacións anteriores pódense personalizar segundo a súa solicitude

Aplicacións

·Electrónica de potencia

As obleas de SiC de tipo N son cruciais nos dispositivos electrónicos de potencia debido á súa capacidade para manexar altas tensións e correntes. Úsanse habitualmente en convertidores de potencia, inversores e accionamentos de motores para industrias como as enerxías renovables, os vehículos eléctricos e a automatización industrial.

· Optoelectrónica
Os materiais de SiC de tipo N, especialmente para aplicacións optoelectrónicas, empréganse en dispositivos como díodos emisores de luz (LED) e díodos láser. A súa alta condutividade térmica e a súa ampla banda prohibida fan que sexan ideais para dispositivos optoelectrónicos de alto rendemento.

·Aplicacións a alta temperatura
As obleas de SiC 4H-N 6H-N son axeitadas para ambientes de alta temperatura, como en sensores e dispositivos de alimentación empregados en aplicacións aeroespaciais, automotrices e industriais onde a disipación da calor e a estabilidade a temperaturas elevadas son fundamentais.

·Dispositivos de radiofrecuencia
As obleas de SiC 4H-N 6H-N utilízanse en dispositivos de radiofrecuencia (RF) que funcionan en rangos de alta frecuencia. Aplícanse en sistemas de comunicación, tecnoloxía de radar e comunicacións por satélite, onde se require unha alta eficiencia enerxética e rendemento.

·Aplicacións fotónicas
En fotónica, as obleas de SiC utilízanse para dispositivos como fotodetectores e moduladores. As propiedades únicas do material permítenlle ser eficaz na xeración de luz, modulación e detección en sistemas de comunicación óptica e dispositivos de imaxe.

·Sensores
As obleas de SiC utilízanse nunha variedade de aplicacións de sensores, especialmente en ambientes hostiles onde outros materiais poderían fallar. Estas inclúen sensores de temperatura, presión e químicos, que son esenciais en campos como a automoción, o petróleo e o gas e a monitorización ambiental.

·Sistemas de accionamento de vehículos eléctricos
A tecnoloxía SiC xoga un papel importante nos vehículos eléctricos ao mellorar a eficiencia e o rendemento dos sistemas de accionamento. Cos semicondutores de potencia SiC, os vehículos eléctricos poden conseguir unha mellor duración da batería, tempos de carga máis rápidos e unha maior eficiencia enerxética.

·Sensores avanzados e conversores fotónicos
Nas tecnoloxías avanzadas de sensores, as obleas de SiC utilízanse para crear sensores de alta precisión para aplicacións en robótica, dispositivos médicos e monitorización ambiental. Nos conversores fotónicos, as propiedades do SiC aprovéitanse para permitir unha conversión eficiente da enerxía eléctrica en sinais ópticos, o que é vital nas infraestruturas de telecomunicacións e internet de alta velocidade.

Preguntas e respostas

QQue é 4H en 4H SiC?
A："4H" en 4H SiC refírese á estrutura cristalina do carburo de silicio, concretamente a unha forma hexagonal con catro capas (H). O "H" indica o tipo de politipo hexagonal, distinguíndoo doutros politipos de SiC como 6H ou 3C.

QCal é a condutividade térmica do 4H-SiC?
AA condutividade térmica do 4H-SiC (carburo de silicio) é de aproximadamente 490-500 W/m·K a temperatura ambiente. Esta alta condutividade térmica faino ideal para aplicacións en electrónica de potencia e ambientes de alta temperatura, onde unha disipación eficiente da calor é crucial.

Anterior: Tubo de zafiro de fabricación precisa, tubo transparente, cristal Al2O3 resistente ao desgaste, alta dureza EFG/KY, pulido de varios diámetros personalizado

Seguinte: Caixa de obleas de casete de obleas de 2 polgadas, material PP ou PC. Usado en solucións de moedas de obleas. Hai dispoñibles 1 polgada, 3 polgadas, 4 polgadas, 5 polgadas, 6 polgadas e 12 polgadas.