Oblea de carburo de silicio SiC Oblea de SiC 4H-N 6H-N HPSI (Semiaislante de alta pureza) 4H/6H-P 3C -n tipo 2 3 4 6 8 pulgadas dispoñible

Breve descrición:

Ofrecemos unha selección diversa de obleas de SiC (carburo de silicio) de alta calidade, con especial atención ás obleas 4H-N e 6H-N de tipo N, que son ideais para aplicacións en optoelectrónica avanzada, dispositivos de potencia e ambientes de alta temperatura. . Estas obleas de tipo N son coñecidas pola súa excepcional condutividade térmica, unha excelente estabilidade eléctrica e unha notable durabilidade, o que as fai perfectas para aplicacións de alto rendemento como electrónica de potencia, sistemas de accionamento de vehículos eléctricos, inversores de enerxía renovable e fontes de alimentación industriais. Ademais das nosas ofertas de tipo N, tamén ofrecemos obleas de SiC de tipo P 4H/6H-P e 3C para necesidades especializadas, incluíndo dispositivos de alta frecuencia e RF, así como aplicacións fotónicas. As nosas obleas están dispoñibles en tamaños que van desde 2 polgadas ata 8 polgadas, e ofrecemos solucións a medida para satisfacer os requisitos específicos de varios sectores industriais. Para máis detalles ou consultas, póñase en contacto connosco.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Propiedades

4H-N e 6H-N (obleas de SiC tipo N)

Aplicación:Úsase principalmente en electrónica de potencia, optoelectrónica e aplicacións de alta temperatura.

Rango de diámetro:50,8 mm a 200 mm.

Espesor:350 μm ± 25 μm, con espesores opcionais de 500 μm ± 25 μm.

Resistividad:4H/6H-P tipo N: ≤ 0,1 Ω·cm (grado Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grado P); 3C-N tipo N: ≤ 0,8 mΩ·cm (grado Z), ≤ 1 mΩ·cm (grado P).

Rugosidade:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densidade de microtubo (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm para todos os diámetros.

Deformación: ≤ 30 μm (≤ 45 μm para obleas de 8 polgadas).

Exclusión de borde:3 mm a 6 mm dependendo do tipo de oblea.

Embalaxe:Casete de obleas múltiples ou recipiente de obleas simples.

Outro tamaño dispoñible 3 polgadas 4 polgadas 6 polgadas 8 polgadas

HPSI (Obleas de SiC semiaislantes de alta pureza)

Aplicación:Utilízase para dispositivos que requiren alta resistencia e rendemento estable, como dispositivos de RF, aplicacións fotónicas e sensores.

Rango de diámetro:50,8 mm a 200 mm.

Espesor:Espesor estándar de 350 μm ± 25 μm con opcións para obleas máis grosas de ata 500 μm.

Rugosidade:Ra ≤ 0,2 nm.

Densidade de microtubo (MPD): ≤ 1 ea/cm².

Resistividad:Alta resistencia, normalmente usado en aplicacións semi-illantes.

Deformación: ≤ 30 μm (para tamaños máis pequenos), ≤ 45 μm para diámetros maiores.

TTV: ≤ 10 μm.

Outro tamaño dispoñible 3 polgadas 4 polgadas 6 polgadas 8 polgadas

4H-P、6H-P&3C Oblea de SiC(Obleas de SiC tipo P)

Aplicación:Principalmente para dispositivos de potencia e de alta frecuencia.

Rango de diámetro:50,8 mm a 200 mm.

Espesor:350 μm ± 25 μm ou opcións personalizadas.

Resistividad:Tipo P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (grado Z), ≤ 0,3 Ω·cm (grado P).

Rugosidade:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densidade de microtubo (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Exclusión de borde:3 mm a 6 mm.

Deformación: ≤ 30 μm para tamaños máis pequenos, ≤ 45 μm para tamaños maiores.

Outro tamaño dispoñible 3 polgadas 4 polgadas 6 polgadas5×5 10×10

Táboa de parámetros de datos parciais

Propiedade	2 polgadas		3 polgadas		4 polgadas	6 polgadas	8 polgadas
Tipo	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Diámetro	50,8 ± 0,3 mm		76,2 ± 0,3 mm		100 ± 0,3 mm	150 ± 0,3 mm	200 ± 0,3 mm
Espesor	330 ± 25 um		350 ± 25 um		350 ± 25 um	350 ± 25 um	350 ± 25 um
	350 ± 25um；		500 ± 25 um		500 ± 25 um	500 ± 25 um	500 ± 25 um
	ou personalizado		ou personalizado		ou personalizado	ou personalizado	ou personalizado
Rugosidade	Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm
Deformación	≤ 30um		≤ 30um		≤ 30um	≤ 30um	≤45um
TTV	≤ 10um		≤ 10um		≤ 10um	≤ 10um	≤ 10um
Raixar/Escavar	CMP/MP
MPD	<1 unidade/cm-2	<1 unidade/cm-2		<1 unidade/cm-2		<1 unidade/cm-2		<1 unidade/cm-2
Forma	Redondo, plano 16 mm; de lonxitude 22 mm; DE Lonxitude 30/32,5 mm; DE Lonxitude 47,5 mm; NOTCH; NOTCH;
Bisel	45°, Especificación SEMI; Forma C
Grao	Grao de produción para MOS&SBD; Grao de investigación; Grao ficticio, grao de oblea de sementes
Observacións	Diámetro, espesor, orientación, especificacións anteriores pódense personalizar baixo a súa solicitude

Aplicacións

·Electrónica de Potencia

As obleas de SiC tipo N son cruciais nos dispositivos electrónicos de potencia debido á súa capacidade para manexar alta tensión e alta corrente. Utilízanse habitualmente en conversores de enerxía, inversores e motores para industrias como as enerxías renovables, os vehículos eléctricos e a automatización industrial.

· Optoelectrónica
Os materiais SiC de tipo N, especialmente para aplicacións optoelectrónicas, empréganse en dispositivos como díodos emisores de luz (LED) e díodos láser. A súa alta condutividade térmica e a súa ampla banda intermitente fan que sexan ideais para dispositivos optoelectrónicos de alto rendemento.

·Aplicacións de alta temperatura
As obleas de SiC 4H-N 6H-N son moi adecuadas para ambientes de alta temperatura, como en sensores e dispositivos de enerxía utilizados en aplicacións aeroespaciais, automotivas e industriais onde a disipación de calor e a estabilidade a temperaturas elevadas son fundamentais.

·Dispositivos de RF
As obleas de SiC 4H-N 6H-N úsanse en dispositivos de radiofrecuencia (RF) que funcionan en rangos de alta frecuencia. Aplícanse en sistemas de comunicación, tecnoloxía de radar e comunicacións por satélite, onde se require unha alta eficiencia energética e rendemento.

·Aplicacións fotónicas
En fotónica, as obleas de SiC úsanse para dispositivos como fotodetectores e moduladores. As propiedades únicas do material permiten que sexa eficaz na xeración, modulación e detección de luz en sistemas de comunicación óptica e dispositivos de imaxe.

·Sensores
As obleas de SiC úsanse nunha variedade de aplicacións de sensores, especialmente en ambientes duros onde outros materiais poden fallar. Estes inclúen sensores de temperatura, presión e químicos, que son esenciais en campos como a automoción, o petróleo e o gas e a vixilancia ambiental.

·Sistemas de accionamento de vehículos eléctricos
A tecnoloxía SiC xoga un papel importante nos vehículos eléctricos ao mellorar a eficiencia e o rendemento dos sistemas de propulsión. Con semicondutores de potencia SiC, os vehículos eléctricos poden acadar unha mellor duración da batería, tempos de carga máis rápidos e unha maior eficiencia enerxética.

·Sensores avanzados e conversores fotónicos
Nas tecnoloxías de sensores avanzadas, as obleas de SiC úsanse para crear sensores de alta precisión para aplicacións en robótica, dispositivos médicos e vixilancia ambiental. Nos conversores fotónicos, as propiedades do SiC son explotadas para permitir a conversión eficiente de enerxía eléctrica en sinais ópticos, que é vital nas infraestruturas de telecomunicacións e internet de alta velocidade.

Preguntas e respostas

Q：Que é 4H en 4H SiC?
A："4H" en 4H SiC refírese á estrutura cristalina do carburo de silicio, concretamente unha forma hexagonal con catro capas (H). A "H" indica o tipo de politipo hexagonal, distinguíndoo doutros politipos de SiC como 6H ou 3C.

Q：Cal é a condutividade térmica do 4H-SiC?
A:A condutividade térmica do 4H-SiC (carburo de silicio) é de aproximadamente 490-500 W/m·K a temperatura ambiente. Esta alta condutividade térmica faino ideal para aplicacións en electrónica de potencia e ambientes de alta temperatura, onde a disipación de calor eficiente é crucial.

Anterior: Tubo de zafiro de fabricación de precisión tubo transparente Al2O3 cristal resistente al desgaste de alta dureza EFG/KY pulido de varios diámetros personalizado

Seguinte:

Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo