Actualmente, a nosa empresa pode seguir fornecendo un pequeno lote de obleas SiC de 8inchN, se tes necesidades de mostra, póñase en contacto comigo.Temos unhas obleas de mostra listas para enviar.
No campo dos materiais semicondutores, a empresa fixo un gran avance na investigación e desenvolvemento de cristais de SiC de gran tamaño.Ao usar os seus propios cristais de semente despois de varias roldas de ampliación do diámetro, a empresa cultivou con éxito cristais de SiC tipo N de 8 polgadas, o que resolve problemas difíciles como o campo de temperatura desigual, o agrietamento de cristais e a distribución de materias primas en fase gaseosa no proceso de crecemento de cristais SIC de 8 polgadas e acelera o crecemento de cristais SIC de gran tamaño e a tecnoloxía de procesamento autónoma e controlable.Mellora moito a competitividade básica da empresa na industria de substratos de cristal único SiC.Ao mesmo tempo, a empresa promove activamente a acumulación de tecnoloxía e proceso de liña experimental de preparación de substrato de carburo de silicio de gran tamaño, fortalece o intercambio técnico e a colaboración industrial en campos ascendentes e descendentes e colabora cos clientes para iterar constantemente o rendemento do produto e conxuntamente. promove o ritmo de aplicación industrial de materiais de carburo de silicio.
| Especificacións DSP SiC tipo N de 8 polgadas | |||||
| Número | Elemento | Unidade | Produción | Investigación | Maniquí |
| 1. Parámetros | |||||
| 1.1 | politipo | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientación superficial | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Parámetro eléctrico | |||||
| 2.1 | dopante | -- | Nitróxeno tipo n | Nitróxeno tipo n | Nitróxeno tipo n |
| 2.2 | resistividade | ohm · cm | 0,015~0,025 | 0,01 ~ 0,03 | NA |
| 3. Parámetro mecánico | |||||
| 3.1 | diámetro | mm | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 |
| 3.2 | espesor | μm | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
| 3.3 | Orientación da muesca | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Profundidade da muesca | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm*10mm) | ≤5 (10mm*10mm) | ≤10 (10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Proa | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Deformación | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Estrutura | |||||
| 4.1 | densidade de microtubos | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | contido de metal | átomos/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤ 2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Calidade positiva | |||||
| 5.1 | diante | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | acabado superficial | -- | CMP Si-face | CMP Si-face | CMP Si-face |
| 5.3 | partícula | ea/oblea | ≤ 100 (tamaño ≥ 0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | rascar | ea/oblea | ≤5,Lonxitude total ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Borde lascas / sangrías / fisuras / manchas / contaminación | -- | Ningún | Ningún | NA |
| 5.6 | Áreas politípicas | -- | Ningún | Área ≤ 10 % | Área ≤ 30 % |
| 5.7 | sinalización frontal | -- | Ningún | Ningún | Ningún |
| 6. Calidade traseira | |||||
| 6.1 | acabado traseiro | -- | MP cara C | MP cara C | MP cara C |
| 6.2 | rascar | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Borde de defectos traseiros fichas/sangrías | -- | Ningún | Ningún | NA |
| 6.4 | Rugosidade nas costas | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Marcación traseira | -- | Muesca | Muesca | Muesca |
| 7. Borde | |||||
| 7.1 | bordo | -- | Chaflán | Chaflán | Chaflán |
| 8. Paquete | |||||
| 8.1 | embalaxe | -- | Epi-listo con baleiro embalaxe | Epi-listo con baleiro embalaxe | Epi-listo con baleiro embalaxe |
| 8.2 | embalaxe | -- | Multi-oblea embalaxe de casete | Multi-oblea embalaxe de casete | Multi-oblea embalaxe de casete |
Hora de publicación: 18-Abr-2023