Na actualidade, a nosa empresa pode seguir subministrando pequenos lotes de obleas de SiC de tipo 8 polgadas N. Se precisa mostras, non dubide en contactar comigo. Temos algunhas obleas de mostra listas para enviar.
No campo dos materiais semicondutores, a empresa fixo un gran avance na investigación e desenvolvemento de cristais de SiC de gran tamaño. Mediante o uso dos seus propios cristais semente despois de múltiples roldas de ampliación do diámetro, a empresa cultivou con éxito cristais de SiC de tipo N de 8 polgadas, o que resolve problemas complexos como o campo de temperatura desigual, a fenda cristalina e a distribución de materias primas en fase gasosa no proceso de crecemento de cristais de SIC de 8 polgadas, e acelera o crecemento de cristais de SIC de gran tamaño e a tecnoloxía de procesamento autónoma e controlable. Mellora enormemente a competitividade central da empresa na industria de substratos monocristais de SiC. Ao mesmo tempo, a empresa promove activamente a acumulación de tecnoloxía e proceso da liña experimental de preparación de substratos de carburo de silicio de gran tamaño, fortalece o intercambio técnico e a colaboración industrial nos campos augas arriba e augas abaixo, e colabora cos clientes para iterar constantemente o rendemento do produto, e promove conxuntamente o ritmo da aplicación industrial dos materiais de carburo de silicio.
| Especificacións do DSP SiC tipo N de 8 polgadas | |||||
| Número | Elemento | Unidade | Produción | Investigación | Boneco |
| 1. Parámetros | |||||
| 1.1 | politipo | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientación da superficie | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Parámetro eléctrico | |||||
| 2.1 | dopante | -- | nitróxeno de tipo n | nitróxeno de tipo n | nitróxeno de tipo n |
| 2.2 | resistividade | ohmio ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Parámetro mecánico | |||||
| 3.1 | diámetro | mm | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 |
| 3.2 | grosor | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientación da muesca | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Profundidade da entalla | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10 mm * 10 mm) | ≤5 (10 mm * 10 mm) | ≤10 (10 mm * 10 mm) |
| 3.6 | TVG | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arco | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Deformación | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Estrutura | |||||
| 4.1 | densidade de microtubos | cada un/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | contido de metais | átomos/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | cada un/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | TLP | cada un/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | cada un/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Calidade positiva | |||||
| 5.1 | fronte | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | acabado superficial | -- | CMP de cara Si | CMP de cara Si | CMP de cara Si |
| 5.3 | partícula | oblea | ≤100 (tamaño ≥0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | rabuñar | oblea | ≤5, lonxitude total ≤200 mm | NA | NA |
| 5.5 | Bordo lascas/afundimentos/fendas/manchas/contaminación | -- | Ningún | Ningún | NA |
| 5.6 | Áreas de politipo | -- | Ningún | Área ≤10% | Área ≤30% |
| 5.7 | marcaxe frontal | -- | Ningún | Ningún | Ningún |
| 6. Calidade do lombo | |||||
| 6.1 | acabado traseiro | -- | MP de cara C | MP de cara C | MP de cara C |
| 6.2 | rabuñar | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Defectos do bordo traseiro lascas/sangas | -- | Ningún | Ningún | NA |
| 6.4 | Rugosidade da parte traseira | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6,5 | Marcado traseiro | -- | Muesca | Muesca | Muesca |
| 7. Borde | |||||
| 7.1 | bordo | -- | Chaflán | Chaflán | Chaflán |
| 8. Paquete | |||||
| 8.1 | embalaxe | -- | Epi-ready con baleiro embalaxe | Epi-ready con baleiro embalaxe | Epi-ready con baleiro embalaxe |
| 8.2 | embalaxe | -- | Multi-oblea envasado de casete | Multi-oblea envasado de casete | Multi-oblea envasado de casete |
Data de publicación: 18 de abril de 2023