Obleas SiC de carburo de silicio de 8 polgadas e 200 mm Tipo 4H-N Grao de produción 500um de espesor

Tamaño: 8 polgadas;

Diámetro: 200 mm ± 0,2;

Espesor: 500um±25;

Orientación da superficie: 4 cara a [11-20]±0,5°;

Orientación da muesca: [1-100] ± 1 °;

Profundidade de muesca: 1±0,25 mm;

Microtubo: <1cm2;

Placas hexagonales: Ningunha permitida;

Resistencia: 0,015 ~ 0,028Ω;

EPD: <8000cm2;

TED: <6000 cm2

BPD: <2000 cm2

TSD: <1000 cm2

SF: área <1%

TTV≤15um;

Deformación ≤ 40um;

arco ≤ 25um；

Áreas poli: ≤5%;

Scratch: <5 e lonxitude acumulada < 1 diámetro da oblea;

Chips/Sengadas: Ningún permite D>0,5 mm de ancho e profundidade;

Gretas: ningunha;

Mancha: Ningún

Borde da oblea: Chaflán;

Acabado superficial: Esmalte dobre cara, Si Face CMP;

Embalaxe: casete de obleas múltiples ou recipiente de obleas simples;

As dificultades actuais na preparación de cristais de 200 mm 4H-SiC mainl

1) A preparación de cristais de sementes 4H-SiC de 200 mm de alta calidade;

2) Non-uniformidade do campo de temperatura de gran tamaño e control do proceso de nucleación;

3) A eficiencia do transporte e a evolución dos compoñentes gasosos nos sistemas de crecemento de cristais de gran tamaño;

4) A rachadura de cristal e a proliferación de defectos causadas polo aumento da tensión térmica de gran tamaño.

Para superar estes desafíos e obter solucións de obleas de SiC de 200 mm de alta calidade propóñense:

En termos de preparación de cristais de semente de 200 mm, estudouse e deseñase un campo de fluxo de campo de temperatura adecuado e un conxunto en expansión para ter en conta a calidade do cristal e o tamaño en expansión;Comezando cun cristal de SiC se:d de 150 mm, realiza a iteración do cristal de semente para expandir gradualmente a cristalización de SiC ata alcanzar os 200 mm;A través do crecemento e procesamento de cristais múltiples, optimice gradualmente a calidade dos cristais na área de expansión de cristais e mellora a calidade dos cristais de semente de 200 mm.

En canto á preparación de cristais condutores de 200 mm e de substrato, a investigación optimizou o campo de temperatura e o deseño do campo de fluxo para o crecemento de cristales de gran tamaño, conduce un crecemento de cristais de SiC condutor de 200 mm e controla a uniformidade do dopaxe.Despois do procesamento e da conformación do cristal, obtívose un lingote 4H-SiC condutor de electricidade de 8 polgadas cun diámetro estándar.Despois de cortar, moer, pulir e procesar para obter obleas de SiC de 200 mm cun grosor de 525 um máis ou menos