Oblea condutiva de SiC 4H-N de 8 polgadas e 200 mm, grao de investigación ficticia

Debido ás súas propiedades físicas e electrónicas únicas, o material semicondutor de obleas de SiC de 200 mm utilízase para crear dispositivos electrónicos de alto rendemento, alta temperatura, resistentes á radiación e alta frecuencia. O prezo do substrato de SiC de 8 polgadas está a diminuír gradualmente a medida que a tecnoloxía avanza e a demanda medra. Os desenvolvementos tecnolóxicos recentes levan á fabricación a escala de produción de obleas de SiC de 200 mm. As principais vantaxes dos materiais semicondutores de obleas de SiC en comparación coas obleas de Si e GaAs: a intensidade do campo eléctrico do 4H-SiC durante a ruptura por avalancha é máis dunha orde de magnitude superior aos valores correspondentes para Si e GaAs. Isto leva a unha diminución significativa da resistividade Ron no estado de activación. A baixa resistividade no estado de activación, combinada cunha alta densidade de corrente e condutividade térmica, permite o uso de matrices moi pequenas para dispositivos de alimentación. A alta condutividade térmica do SiC reduce a resistencia térmica do chip. As propiedades electrónicas dos dispositivos baseados en obleas de SiC son moi estables ao longo do tempo e estables na temperatura, o que garante unha alta fiabilidade dos produtos. O carburo de silicio é extremadamente resistente á radiación dura, o que non degrada as propiedades electrónicas do chip. A alta temperatura límite de funcionamento do cristal (máis de 6000 °C) permite crear dispositivos altamente fiables para condicións de funcionamento adversas e aplicacións especiais. Na actualidade, podemos subministrar obleas de SiC de 200 mm en lotes pequenos de forma constante e continua, e temos algunhas existencias no almacén.