8 polgadas 200 mm 4H-N SiC oblea condutor grado de investigación

Debido ás súas propiedades físicas e electrónicas únicas, o material semicondutor de obleas de SiC de 200 mm úsase para crear dispositivos electrónicos de alto rendemento, altas temperaturas, resistentes á radiación e de alta frecuencia. O prezo do substrato SiC de 8 polgadas está a diminuír gradualmente a medida que a tecnoloxía se fai máis avanzada e a demanda crece. Os desenvolvementos tecnolóxicos recentes conducen á fabricación a escala de produción de obleas de SiC de 200 mm. As principais vantaxes dos materiais semicondutores de obleas de SiC en comparación coas obleas de Si e GaAs: a intensidade do campo eléctrico de 4H-SiC durante a descomposición da avalancha é máis dunha orde de magnitude superior aos valores correspondentes para Si e GaAs. Isto leva a unha diminución significativa da resistividade no estado Ron. A baixa resistividade no estado, combinada cunha alta densidade de corrente e condutividade térmica, permite o uso de matrices moi pequenas para dispositivos de potencia. A alta condutividade térmica do SiC reduce a resistencia térmica do chip. As propiedades electrónicas dos dispositivos baseados en obleas de SiC son moi estables ao longo do tempo e a temperatura estable, o que garante unha alta fiabilidade dos produtos. O carburo de silicio é extremadamente resistente á radiación dura, que non degrada as propiedades electrónicas do chip. A alta temperatura límite de funcionamento do cristal (máis de 6000C) permítelle crear dispositivos altamente fiables para condicións de funcionamento duras e aplicacións especiais. Actualmente, podemos fornecer obleas de 200 mmSiC en pequeno lote de forma constante e continua e ter algo de stock no almacén.