Lingote semiisolante de carburo de silicio 4H-SiC de 6 en, grao ficticio

Lingote semiisolante de carburo de silicio 4H-SiC de 6 pulgadas, grao ficticio Imaxe destacada

Breve descrición:

O carburo de silicio (SiC) está a revolucionar a industria dos semicondutores, especialmente nas aplicacións de alta potencia, alta frecuencia e resistencia á radiación. O lingote semiillante 4H-SiC de 6 polgadas, ofrecido en calidade ficticia, é un material esencial para os procesos de prototipado, investigación e calibración. Cunha banda ampla, excelente condutividade térmica e robustez mecánica, este lingote serve como unha opción rendible para probar e optimizar procesos sen comprometer a calidade fundamental necesaria para o desenvolvemento avanzado. Este produto atende a unha variedade de aplicacións, incluíndo electrónica de potencia, dispositivos de radiofrecuencia (RF) e optoelectrónica, polo que é unha ferramenta inestimable para a industria e as institucións de investigación.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Propiedades

1. Propiedades físicas e estruturais
●Tipo de material: Carburo de silicio (SiC)
●Politipo: 4H-SiC, estrutura cristalina hexagonal
●Diámetro: 6 polgadas (150 mm)
●Espesor: configurable (5-15 mm típico para a calidade ficticia)
● Orientación do cristal:
o Primario: [0001] (plano C)
o Opcións secundarias: fóra do eixe 4° para un crecemento epitaxial optimizado
●Orientación plana primaria: (10-10) ± 5°
●Orientación do plano secundario: 90° en sentido antihorario desde o plano principal ± 5°

2. Propiedades eléctricas
●Resistividad:
oSemiisolante (>106^66 Ω·cm), ideal para minimizar a capacitancia parasitaria.
●Tipo de dopaxe:
o Dopado involuntariamente, o que resulta nunha alta resistividade eléctrica e estabilidade baixo unha serie de condicións de funcionamento.

3. Propiedades térmicas
●Condutividade térmica: 3,5-4,9 W/cm·K, permitindo unha disipación eficaz da calor en sistemas de alta potencia.
●Coeficiente de expansión térmica: 4,2×10−64,2 \times 10^{-6}4,2×10−6/K, garantindo a estabilidade dimensional durante o procesamento a alta temperatura.

4. Propiedades ópticas
●Bandgap: amplo intervalo de banda de 3,26 eV, que permite o funcionamento a altas tensións e temperaturas.
●Transparencia: alta transparencia a UV e lonxitudes de onda visibles, útil para probas optoelectrónicas.

5. Propiedades mecánicas
●Dureza: escala de Mohs 9, superada só por diamante, o que garante a durabilidade durante o procesamento.
●Densidade de defectos:
o Controlado por defectos macro mínimos, garantindo unha calidade suficiente para aplicacións de grao ficticio.
●Planitude: Uniformidade coas desviacións

Parámetro	Detalles	Unidade
Grao	Grao Dummy
Diámetro	150,0 ± 0,5	mm
Orientación de obleas	No eixe: <0001> ± 0,5°	grao
Resistividad eléctrica	> 1E5	Ω·cm
Orientación primaria de piso	{10-10} ± 5,0°	grao
Lonxitude plana primaria	Muesca
Fisuras (Inspección de luz de alta intensidade)	< 3 mm en radial	mm
Placas hexagonales (inspección de luz de alta intensidade)	Área acumulada ≤ 5 %	%
Áreas de politipo (inspección de luz de alta intensidade)	Área acumulada ≤ 10 %	%
Densidade de microtubo	< 50	cm−2^-2−2
Chipping de bordes	Permítense 3, cada un ≤ 3 mm	mm
Nota	Espesor da oblea de corte < 1 mm, > 70 % (excluíndo dous extremos) cumpre os requisitos anteriores

Aplicacións

1. Prototipado e Investigación
O lingote 4H-SiC de 6 polgadas de grao ficticio é un material ideal para a creación de prototipos e a investigación, o que permite aos fabricantes e laboratorios:
●Proba os parámetros do proceso en Deposición Química en Vapor (CVD) ou Deposición Física en Vapor (PVD).
●Desenvolver e perfeccionar as técnicas de gravado, pulido e corte de obleas.
●Explore novos deseños de dispositivos antes de pasar a material de produción.

2. Calibración e proba do dispositivo
As propiedades semiillantes fan que este lingote sexa inestimable para:
●Avaliación e calibración das propiedades eléctricas dos dispositivos de alta potencia e alta frecuencia.
●Simulación de condicións operativas para MOSFET, IGBT ou díodos en contornos de proba.
●Servindo como un substituto rendible para substratos de alta pureza durante o desenvolvemento inicial.

3. Electrónica de potencia
A alta condutividade térmica e as características de ampla banda prohibida do 4H-SiC permiten un funcionamento eficiente na electrónica de potencia, incluíndo:
●Fuentes de alimentación de alta tensión.
●Inversores de vehículos eléctricos (EV).
●Sistemas de enerxías renovables, como inversores solares e aeroxeradores.

4. Aplicacións de radiofrecuencia (RF).
As baixas perdas dieléctricas do 4H-SiC e a alta mobilidade de electróns fan que sexa adecuado para:
●Amplificadores e transistores de RF en infraestruturas de comunicación.
●Sistemas de radar de alta frecuencia para aplicacións aeroespaciais e de defensa.
●Compoñentes de rede sen fíos para tecnoloxías 5G emerxentes.

5. Dispositivos resistentes á radiación
Debido á súa resistencia inherente aos defectos inducidos pola radiación, o 4H-SiC semiillante é ideal para:
●Equipos de exploración espacial, incluíndo a electrónica de satélite e os sistemas de enerxía.
●Electrónica endurecida pola radiación para vixilancia e control nuclear.
●Aplicacións de defensa que requiren robustez en ambientes extremos.

6. Optoelectrónica
A transparencia óptica e o ancho de banda de 4H-SiC permiten o seu uso en:
●Fotodetectores UV e LED de alta potencia.
●Probas de revestimentos ópticos e tratamentos superficiais.
●Prototipado de compoñentes ópticos para sensores avanzados.

Vantaxes do material de grao ficticio

Eficiencia de custos:
O grao ficticio é unha alternativa máis accesible aos materiais de investigación ou de produción, polo que é ideal para probas de rutina e perfeccionamento de procesos.

Personalización:
As dimensións configurables e as orientacións do cristal garanten a compatibilidade cunha ampla gama de aplicacións.

Escalabilidade:
O diámetro de 6 polgadas está aliñado cos estándares da industria, permitindo unha escala sen problemas aos procesos de produción.

Robustez:
A alta resistencia mecánica e estabilidade térmica fan que o lingote sexa duradeiro e fiable en condicións experimentais variadas.

Versatilidade:
Adecuado para múltiples industrias, desde sistemas enerxéticos ata comunicacións e optoelectrónica.

Conclusión

O lingote semiillante de carburo de silicio (4H-SiC) de 6 polgadas, grao ficticio, ofrece unha plataforma fiable e versátil para a investigación, creación de prototipos e probas en sectores de tecnoloxía de punta. As súas excepcionais propiedades térmicas, eléctricas e mecánicas, combinadas coa accesibilidade e a personalización, fan que sexa un material indispensable tanto para o mundo académico como para a industria. Desde a electrónica de potencia ata sistemas de RF e dispositivos endurecidos pola radiación, este lingote apoia a innovación en cada fase de desenvolvemento.
Para especificacións máis detalladas ou para solicitar un presuposto, póñase en contacto connosco directamente. O noso equipo técnico está preparado para axudar con solucións a medida para satisfacer as súas necesidades.