Lingote semiillante de carburo de silicio 4H-SiC de 6 polgadas, grao ficticio

Descrición curta:

O carburo de silicio (SiC) está a revolucionar a industria dos semicondutores, especialmente en aplicacións de alta potencia, alta frecuencia e resistentes á radiación. O lingote semiillante 4H-SiC de 6 polgadas, que se ofrece en calidade ficticia, é un material esencial para os procesos de prototipado, investigación e calibración. Cun amplo intervalo de banda, unha excelente condutividade térmica e robustez mecánica, este lingote serve como unha opción rendible para as probas e a optimización de procesos sen comprometer a calidade fundamental requirida para o desenvolvemento avanzado. Este produto abastece unha variedade de aplicacións, incluíndo electrónica de potencia, dispositivos de radiofrecuencia (RF) e optoelectrónica, o que o converte nunha ferramenta valiosa para a industria e as institucións de investigación.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas do produto

Propiedades

1. Propiedades físicas e estruturais
●Tipo de material: carburo de silicio (SiC)
●Politipo: 4H-SiC, estrutura cristalina hexagonal
●Diámetro: 6 polgadas (150 mm)
●Grosor: configurable (5-15 mm típico para a calidade ficticia)
●Orientación do cristal:
oPrimario: [0001] (plano C)
Opcións secundarias: Fóra do eixo 4° para un crecemento epitaxial optimizado
●Orientación plana primaria: (10-10) ± 5°
●Orientación do plano secundario: 90° en sentido antihorario desde o plano primario ± 5°

2. Propiedades eléctricas
●Resistividade:
Semi-illlante (>10⁶⁶ Ω·cm), ideal para minimizar a capacitancia parasitaria.
●Tipo de dopaxe:
Dopado involuntariamente, o que resulta nunha alta resistividade eléctrica e estabilidade nunha ampla gama de condicións de funcionamento.

3. Propiedades térmicas
●Condutividade térmica: 3,5-4,9 W/cm·K, o que permite unha disipación eficaz da calor en sistemas de alta potencia.
●Coeficiente de expansión térmica: 4,2×10−64,2 \times 10^{-6}4,2×10−6/K, o que garante a estabilidade dimensional durante o procesamento a alta temperatura.

4. Propiedades ópticas
●Bandgap: Ampla banda prohibida de 3,26 eV, o que permite o funcionamento a altas voltaxes e temperaturas.
●Transparencia: Alta transparencia ás lonxitudes de onda UV e visibles, útil para probas optoelectrónicas.

5. Propiedades mecánicas
●Dureza: escala de Mohs 9, só superada polo diamante, o que garante a súa durabilidade durante o procesamento.
●Densidade de defectos:
Controlado para detectar macrodefectos mínimos, garantindo unha calidade suficiente para aplicacións de calidade simulada.
●Planitude: Uniformidade con desviacións

Parámetro	Detalles	Unidade
Grao	Grao de simulación
Diámetro	150,0 ± 0,5	mm
Orientación da oblea	No eixo: <0001> ± 0,5°	grao
Resistividade eléctrica	> 1E5	Ω·cm
Orientación plana primaria	{10-10} ± 5,0°	grao
Lonxitude plana primaria	Muesca
Fendas (Inspección de luz de alta intensidade)	< 3 mm en radial	mm
Placas hexagonais (inspección con luz de alta intensidade)	Área acumulada ≤ 5%	%
Áreas politípicas (inspección de luz de alta intensidade)	Área acumulada ≤ 10%	%
Densidade de microtubos	< 50	cm−2^-2−2
Desconchado de bordos	Permítense 3, cada un ≤ 3 mm	mm
Nota	Espesor de oblea de corte < 1 mm, > 70 % (excluíndo dous extremos) que cumpre os requisitos anteriores

Aplicacións

1. Prototipado e investigación
O lingote 4H-SiC de 6 polgadas de calidade ficticia é un material ideal para a creación de prototipos e a investigación, o que permite aos fabricantes e laboratorios:
●Parámetros do proceso de proba en Deposición Química de Vapor (CVD) ou Deposición Física de Vapor (PVD).
●Desenvolver e perfeccionar as técnicas de gravado, pulido e corte de obleas.
●Explorar novos deseños de dispositivos antes de pasar a material de calidade de produción.

2. Calibración e probas do dispositivo
As propiedades semiillantes fan que este lingote sexa inestimable para:
●Avaliación e calibración das propiedades eléctricas de dispositivos de alta potencia e alta frecuencia.
●Simulación de condicións operacionais para MOSFET, IGBT ou díodos en contornas de proba.
●Servir como un substituto rendible para substratos de alta pureza durante as fases iniciais do desenvolvemento.

3. Electrónica de potencia
A alta condutividade térmica e as características de banda prohibida ampla do 4H-SiC permiten un funcionamento eficiente en electrónica de potencia, incluíndo:
●Fontes de alimentación de alta tensión.
●Inversores para vehículos eléctricos (VE).
●Sistemas de enerxía renovables, como inversores solares e aeroxeradores.

4. Aplicacións de radiofrecuencia (RF)
As baixas perdas dieléctricas e a alta mobilidade de electróns do 4H-SiC fan que sexa axeitado para:
●Amplificadores e transistores de RF en infraestruturas de comunicacións.
●Sistemas de radar de alta frecuencia para aplicacións aeroespaciais e de defensa.
●Compoñentes de rede sen fíos para as tecnoloxías 5G emerxentes.

5. Dispositivos resistentes á radiación
Debido á súa resistencia inherente aos defectos inducidos pola radiación, o 4H-SiC semiillante é ideal para:
●Equipamento de exploración espacial, incluíndo electrónica para satélites e sistemas de enerxía.
●Electrónica endurecida contra a radiación para a monitorización e o control nucleares.
●Aplicacións de defensa que requiren robustez en contornas extremas.

6. Optoelectrónica
A transparencia óptica e o amplo intervalo de banda do 4H-SiC permiten o seu uso en:
●Fotodetectores UV e LED de alta potencia.
●Probas de revestimentos ópticos e tratamentos superficiais.
●Prototipado de compoñentes ópticos para sensores avanzados.

Vantaxes do material de calidade ficticia

Eficiencia de custos:
O grao de simulación é unha alternativa máis accesible aos materiais de investigación ou de produción, o que o fai ideal para probas de rutina e refinamento de procesos.

Personalización:
As dimensións e as orientacións do cristal configurables garanten a compatibilidade cunha ampla gama de aplicacións.

Escalabilidade:
O diámetro de 6 polgadas aliñase cos estándares da industria, o que permite unha escalabilidade sen fisuras aos procesos de nivel de produción.

Robustez:
A alta resistencia mecánica e a estabilidade térmica fan que o lingote sexa duradeiro e fiable en diversas condicións experimentais.

Versatilidade:
Apto para múltiples industrias, desde sistemas enerxéticos ata comunicacións e optoelectrónica.

Conclusión

O lingote semiillante de carburo de silicio (4H-SiC) de 6 polgadas, de grao ficticio, ofrece unha plataforma fiable e versátil para a investigación, a creación de prototipos e as probas en sectores tecnolóxicos de vangarda. As súas excepcionais propiedades térmicas, eléctricas e mecánicas, combinadas coa súa accesibilidade e capacidade de personalización, convérteno nun material indispensable tanto para o ámbito académico como para a industria. Desde a electrónica de potencia ata os sistemas de radiofrecuencia e os dispositivos endurecidos por radiación, este lingote apoia a innovación en cada etapa do desenvolvemento.
Para obter especificacións máis detalladas ou solicitar un orzamento, póñase en contacto connosco directamente. O noso equipo técnico está listo para axudar con solucións personalizadas que se axusten ás súas necesidades.