Obleas de SiC de 4 polgadas, substratos de SiC semiillantes 6H de primeira calidade, para investigación e de simulación

Descrición curta:

O substrato de carburo de silicio semiillado fórmase mediante corte, moenda, pulido, limpeza e outras tecnoloxías de procesamento despois do crecemento do cristal de carburo de silicio semiillado. Cultívase unha capa ou capa de cristal multicapa sobre o substrato que cumpre os requisitos de calidade como epitaxia e, a continuación, fabrícase o dispositivo de radiofrecuencia de microondas combinando o deseño do circuíto e o empaquetado. Dispoñible como substratos monocristais de carburo de silicio semiillados de 2 polgadas, 3 polgadas, 4 polgadas, 6 polgadas e 8 polgadas de grao industrial, de investigación e de proba.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas do produto

Especificación do produto

Grao			Grao de produción MPD cero (grao Z)			Grao de produción estándar (grao P)		Grao de simulación (Grao D)
Diámetro			99,5 mm~100,0 mm
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm ± 25 μm
Orientación da oblea			Fóra do eixe: 4,0° cara a <1120> ±0,5° para 4H-N, No eixe: <0001>±0,5° para 4H-SI
	4H-SI		≤1 cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 centímetros^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Orientación plana primaria		{10-10} ±5,0°
Lonxitude plana primaria		32,5 mm ± 2,0 mm
Lonxitude plana secundaria		18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria		Cara de silicona cara arriba: 90° no sentido horario desde o plano Prime ±5,0°
Exclusión de bordos		3 milímetros
LTV/TTV/Arco/Deformación		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosidade			Cara C				Polaco		Ra≤1 nm
			Cara Si	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Gretas nos bordos por luz de alta intensidade		Ningún						Lonxitude acumulada ≤ 10 mm, individual lonxitude ≤2 mm
Placas hexagonais por luz de alta intensidade		Área acumulada ≤0,05%						Área acumulada ≤0,1%
Áreas politípicas por luz de alta intensidade		Ningún						Área acumulada ≤3%
Inclusións visuais de carbono		Área acumulada ≤0,05%						Área acumulada ≤3%
Rasgaduras na superficie de silicio por luz de alta intensidade		Ningún						Lonxitude acumulada ≤1 * diámetro da oblea
Chips de bordo de alta intensidade por luz		Non se permite ningún ancho e fondo ≥0,2 mm						5 permitidos, ≤1 mm cada un
Contaminación da superficie do silicio por alta intensidade		Ningún
Envasado		Casete multi-oblea ou recipiente de oblea única