Liña de automatización de pulido concatenado de catro etapas para obleas de silicio/carburo de silicio (SiC) (liña de manipulación pospulido integrada)

Esta liña de automatización de pulido concatenada de catro etapas é unha solución integrada e en liña deseñada parapospulido / posCMPoperacións desilicioecarburo de silicio (SiC)obleas. Construídas arredorsoportes cerámicos (placas cerámicas), o sistema combina varias tarefas posteriores nunha liña coordinada, o que axuda ás fábricas a reducir a manipulación manual, estabilizar o tempo de traballo e reforzar o control da contaminación.

Na fabricación de semicondutores,limpeza eficaz posterior á CMPé amplamente recoñecido como un paso clave para reducir os defectos antes do seguinte proceso e as abordaxes avanzadas (incluíndolimpeza megasónica) son comúnmente discutidos para mellorar o rendemento de eliminación de partículas.

Para o SiC en particular, o seualta dureza e inercia químicadificultan o pulido (a miúdo asociado a unha baixa taxa de eliminación de material e un maior risco de danos na superficie/subsuperficie), o que fai que a automatización estable posterior ao pulido e a limpeza/manipulación controlada sexan especialmente valiosas.