Substrato semiillante de carburo de silicio (SiC) de alta pureza para lentes de AR

Descrición curta:

Os substratos de carburo de silicio (SiC) semiillantes de alta pureza son materiais especializados feitos de carburo de silicio, amplamente utilizados na fabricación de electrónica de potencia, dispositivos de radiofrecuencia (RF) e compoñentes semicondutores de alta frecuencia e alta temperatura. O carburo de silicio, como material semicondutor de banda ancha, ofrece excelentes propiedades eléctricas, térmicas e mecánicas, o que o fai moi axeitado para aplicacións en ambientes de alta tensión, alta frecuencia e alta temperatura.

Envíanos un correo electrónico

Características

Diagrama detallado

Visión xeral do produto de obleas de SiC semiillantes

As nosas obleas de SiC semiillantes de alta pureza están deseñadas para electrónica de potencia avanzada, compoñentes de RF/microondas e aplicacións optoelectrónicas. Estas obleas fabrícanse a partir de monocristais de 4H ou 6H-SiC de alta calidade, utilizando un método de crecemento de transporte físico de vapor (PVT) refinado, seguido dun recocido de compensación de nivel profundo. O resultado é unha oblea coas seguintes propiedades excepcionais:

Resistividade ultraalta≥1×10¹² Ω·cm, o que minimiza eficazmente as correntes de fuga en dispositivos de conmutación de alta tensión.
Banda prohibida ampla (~3,2 eV)Garante un excelente rendemento en ambientes de alta temperatura, campos elevados e con alta radiación.
Condutividade térmica excepcional: >4,9 W/cm·K, o que proporciona unha disipación de calor eficiente en aplicacións de alta potencia.
Resistencia mecánica superiorCunha dureza Mohs de 9,0 (só superada polo diamante), baixa expansión térmica e forte estabilidade química.
Superficie atomicamente lisaRa < 0,4 nm e densidade de defectos < 1/cm², ideal para epitaxia MOCVD/HVPE e fabricación de micronano.

Tamaños dispoñiblesOs tamaños estándar inclúen 50, 75, 100, 150 e 200 mm (2"–8"), con diámetros personalizados dispoñibles de ata 250 mm.
Rango de espesor200–1.000 μm, cunha tolerancia de ±5 μm.

Proceso de fabricación de obleas de SiC semiillantes

Preparación de po de SiC de alta pureza

Material de partidaPo de SiC de grao 6N, purificado mediante sublimación ao baleiro en varias etapas e tratamentos térmicos, o que garante unha baixa contaminación por metais (Fe, Cr, Ni < 10 ppb) e inclusións policristalinas mínimas.

Crecemento monocristalino PVT modificado

Medio ambienteCase baleiro (10⁻³–10⁻² Torr).
TemperaturaCrisol de grafito quentado a ~2.500 °C cun gradiente térmico controlado de ΔT ≈ 10–20 °C/cm.
Deseño de fluxo de gas e crisolUn crisol e uns separadores porosos adaptados garanten unha distribución uniforme do vapor e suprimen a nucleación non desexada.
Alimentación e rotación dinámicasA reposición periódica de po de SiC e a rotación da vara de cristal dan lugar a baixas densidades de dislocacións (<3.000 cm⁻²) e unha orientación 4H/6H consistente.

Recocido de compensación a nivel profundo

Recocido de hidróxenoRealizado en atmosfera de H₂ a temperaturas entre 600 e 1400 °C para activar trampas de nivel profundo e estabilizar os portadores intrínsecos.
Codopaxe con N/Al (opcional)Incorporación de Al (aceptor) e N (doante) durante o crecemento ou a deposición química en vaselina (CVD) posterior ao crecemento para formar pares doante-aceptor estables, o que provoca picos de resistividade.

Corte de precisión e lapeado multietapa

Serrado con fío diamantadoObleas cortadas cun grosor de 200–1.000 μm, con danos mínimos e unha tolerancia de ±5 μm.
Proceso de lapeadoOs abrasivos de diamante secuenciais de groso a fino eliminan os danos da serra, preparando a oblea para o pulido.

Pulido químico-mecánico (CMP)

Medios de pulidoSuspensión de nanóxido (SiO₂ ou CeO₂) en solución alcalina suave.
Control de procesosO pulido de baixa tensión minimiza a rugosidade, conseguindo unha rugosidade RMS de 0,2–0,4 nm e eliminando os microrañazos.

Limpeza final e embalaxe

Limpeza ultrasónicaProceso de limpeza en varios pasos (solvente orgánico, tratamentos ácidos/base e enxágüe con auga desionizada) nun ambiente de sala limpa de clase 100.
Selado e embalaxeSecado de obleas con purga de nitróxeno, seladas en bolsas protectoras cheas de nitróxeno e embaladas en caixas exteriores antiestáticas e amortiguadoras de vibracións.

Especificacións das obleas de SiC semiillantes

Rendemento do produto	Grao P	Grao D
I. Parámetros cristalinos	I. Parámetros cristalinos	I. Parámetros cristalinos
Politipo de cristal	4H	4H
Índice de refracción a	>2,6 a 589 nm	>2,6 a 589 nm
Taxa de absorción a	≤0,5% a 450-650 nm	≤1,5 % a 450-650 nm
Transmitancia MP a (sen revestimento)	≥66,5%	≥66,2%
Néboa	≤0,3%	≤1,5%
Inclusión de politipos a	Non permitido	Área acumulada ≤20%
Densidade de microtubos a	≤0,5/cm²	≤2/cm²
Baleiro hexagonal a	Non permitido	N/D
Inclusión facetada a	Non permitido	N/D
Inclusión de MP a	Non permitido	N/D
II. Parámetros mecánicos	II. Parámetros mecánicos	II. Parámetros mecánicos
Diámetro	150,0 mm +0,0 mm / -0,2 mm	150,0 mm +0,0 mm / -0,2 mm
Orientación da superficie	{0001} ±0,3°	{0001} ±0,3°
Lonxitude plana primaria	Muesca	Muesca
Lonxitude plana secundaria	Sen piso secundario	Sen piso secundario
Orientación da muesca	<1-100> ±2°	<1-100> ±2°
Ángulo de entalla	90° +5° / -1°	90° +5° / -1°
Profundidade da entalla	1 mm do bordo +0,25 mm / -0,0 mm	1 mm do bordo +0,25 mm / -0,0 mm
Tratamento de superficies	Cara C, cara Si: pulido quimiomecánico (CMP)	Cara C, cara Si: pulido quimiomecánico (CMP)
Bordo da oblea	Achaflanado (arrondado)	Achaflanado (arrondado)
Rugosidade superficial (AFM) (5 μm x 5 μm)	Cara Si, cara C: Ra ≤ 0,2 nm	Cara Si, cara C: Ra ≤ 0,2 nm
Espesor a (Tropel)	500,0 μm ± 25,0 μm	500,0 μm ± 25,0 μm
LTV (Tropel) (40 mm x 40 mm) a	≤ 2 μm	≤ 4 μm
Variación total do espesor (TTV) a (Tropel)	≤ 3 μm	≤ 5 μm
Proa (Valor absoluto) a (Tropela)	≤ 5 μm	≤ 15 μm
Deformar un (Trópel)	≤ 15 μm	≤ 30 μm
III. Parámetros da superficie	III. Parámetros da superficie	III. Parámetros da superficie
Chip/Notch	Non permitido	≤ 2 unidades, cada unha de lonxitude e anchura ≤ 1,0 mm
Raspa unha (Si-face, CS8520)	Lonxitude total ≤ 1 x diámetro	Lonxitude total ≤ 3 x diámetro
Partícula a (Si-face, CS8520)	≤ 500 unidades	N/D
Rachadura	Non permitido	Non permitido
Contaminación a	Non permitido	Non permitido

Aplicacións clave das obleas de SiC semiillantes

Electrónica de alta potenciaOs MOSFET, os díodos Schottky e os módulos de potencia baseados en SiC para vehículos eléctricos (VE) benefícianse das capacidades de baixa resistencia e alta tensión do SiC.
RF e microondasO rendemento de alta frecuencia e a resistencia á radiación do SiC son ideais para amplificadores de estacións base 5G, módulos de radar e comunicacións por satélite.
OptoelectrónicaOs LED UV, os díodos láser azuis e os fotodetectores utilizan substratos de SiC atomicamente lisos para un crecemento epitaxial uniforme.
Detección de ambientes extremosA estabilidade do SiC a altas temperaturas (>600 °C) faino perfecto para sensores en ambientes agresivos, como turbinas de gas e detectores nucleares.
Aeroespacial e DefensaO SiC ofrece durabilidade para a electrónica de potencia en satélites, sistemas de mísiles e electrónica de aviación.
Investigación avanzadaSolucións personalizadas para computación cuántica, microóptica e outras aplicacións de investigación especializadas.

Preguntas frecuentes

Por que SiC semiillante en lugar de SiC condutivo?
O SiC semiillante ofrece unha resistividade moito maior, o que reduce as correntes de fuga en dispositivos de alta tensión e alta frecuencia. O SiC condutivo é máis axeitado para aplicacións onde se necesita condutividade eléctrica.
Pódense usar estas obleas para o crecemento epitaxial?
Si, estas obleas están listas para epi e optimizadas para MOCVD, HVPE ou MBE, con tratamentos superficiais e control de defectos para garantir unha calidade superior da capa epitaxial.
Como se garante a limpeza das obleas?
Un proceso de sala limpa de clase 100, unha limpeza ultrasónica en varios pasos e un envasado selado con nitróxeno garanten que as obleas estean libres de contaminantes, residuos e microrañazos.
Cal é o prazo de entrega dos pedidos?
As mostras adoitan enviarse nun prazo de 7 a 10 días hábiles, mentres que os pedidos de produción adoitan entregarse en 4 a 6 semanas, dependendo do tamaño específico da oblea e das características personalizadas.
Podes proporcionar formas personalizadas?
Si, podemos crear substratos personalizados en varias formas, como fiestras planas, ranuras en V, lentes esféricas e moito máis.

Sobre nós

XKH especialízase no desenvolvemento, produción e venda de alta tecnoloxía de vidro óptico especial e novos materiais de cristal. Os nosos produtos utilízanse para electrónica óptica, electrónica de consumo e o ámbito militar. Ofrecemos compoñentes ópticos de zafiro, cubertas para lentes de teléfonos móbiles, cerámica, LT, carburo de silicio SIC, cuarzo e obleas de cristal semicondutor. Con experiencia cualificada e equipos de vangarda, destacamos no procesamento de produtos non estándar, co obxectivo de ser unha empresa líder en materiais optoelectrónicos de alta tecnoloxía.