GaAs

Substrato de oblea epitaxial de alta potencia de GaAs, oblea de arseniuro de galio, lonxitude de onda láser de 905 nm para tratamento médico con láser
Oblea epitaxial láser de GaAs de 4 polgadas e 6 polgadas, emisión superficial de cavidade vertical VCSEL, lonxitude de onda do láser de 940 nm, unión única