Substrato
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Sementes de SiC 4H-N Dia205mm procedentes de China de grao monocristalino P e D
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Oblea de silicio de 4 polgadas FZ CZ N-Type DSP ou SSP Grao de proba
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Dia150mm 4H-N 6inch substrato SiC Produción e grao ficticio
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6 pulgadas SiC Epitaxiy oblea tipo N/P aceptar personalizado
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Oblea de zafiro de 3 polgadas de diámetro 76,2 mm de espesor de 0,5 mm de plano C SSP
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Oblea de silicio tipo N ou tipo P de 6 polgadas Oblea CZ Si
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Oblea SiC Epi de 4 polgadas para MOS ou SBD
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Oblea de silicio de óxido térmico de película delgada SiO2 4 polgadas 6 polgadas 8 polgadas 12 polgadas
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Lingote SiC de 2 polgadas de diámetro 50,8 mm x 10 mm 4H-N monocristal
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Oblea SOI de substrato de silicio sobre illante de tres capas para microelectrónica e radiofrecuencia
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Illante de obleas SOI en obleas de silicio de 8 e 6 polgadas SOI (Silicon-On-Insulator)
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Oblea de dióxido de silicio