SiC
-
Obleas de carburo de silicio de 2 polgadas, substratos de SiC de tipo N ou semiillantes 6H ou 4H
-
Oblea de substrato SiC de 4 polgadas 4H-N, carburo de silicio, simulación de produción, grao de investigación
-
Obleas de carburo de silicio SiC de 6 polgadas e 150 mm, tipo 4H-N, para investigación de produción MOS ou SBD e grao ficticio
-
Oblea condutiva de SiC 4H-N de 8 polgadas e 200 mm, grao de investigación ficticia
-
Obleas de carburo de silicio de 2 polgadas, substratos de SiC de tipo N ou semiillantes 6H ou 4H