SiC
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Lingote de SiC tipo 4H, diámetro de 4 polgadas, grosor de 6 polgadas, 5-10 mm, grao de investigación/ficticia
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Oblea de carburo de silicio de substrato Sic, tipo 4H-N, alta dureza, resistencia á corrosión, pulido de primeira calidade
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Oblea de carburo de silicio de 2 polgadas, tipo 6H-N, grao de primeira calidade, grao de investigación, grao ficticio, 330 μm e 430 μm de grosor
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Substrato de carburo de silicio de 2 polgadas 6H-N pulido de dobre cara 50,8 mm de diámetro, grao de produción e grao de investigación
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Substratos compostos de SiC tipo N de diámetro de 6 polgadas, substrato monocristalino e de baixa calidade de alta calidade
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Substratos compostos semiillantes de SiC de diámetro de 2 polgadas, 4 polgadas, 6 polgadas e 8 polgadas HPSI
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SiC tipo N sobre substratos compostos de Si de diámetro de 6 polgadas
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Substrato de SiC de diámetro de 200 mm 4H-N e carburo de silicio HPSI
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Produción de substrato de SiC de 3 polgadas Diámetro de produción de 76,2 mm 4H-N
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Substrato de SiC de grao P e D, diámetro de 50 mm, 4H-N, 2 polgadas
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Lingote de SiC tipo 4H-N, grao ficticio, 2 polgadas, 3 polgadas, 4 polgadas e 6 polgadas, grosor: >10 mm
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Oblea de SiC de 8 polgadas 4H-N de 200 mm de grao ficticio de substrato de SiC