SiC
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Lingote semiisolante de carburo de silicio 4H-SiC de 6 en, grao ficticio
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Lingote SiC tipo 4H Diámetro 4 pulgadas 6 pulgadas Espesor 5-10 mm Grado de investigación / Dummy
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Obleas de carburo de silicio de alta pureza (sen dopar) de 3 polgadas Sustratos Sic semi-aislantes (HPSl)
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Oblea de carburo de silicio de sustrato Sic 4H-N Tipo de alta dureza Resistencia a la corrosión Pulido de primer grado
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Oblea de carburo de silicio de 2 polgadas Tipo 6H-N Grado de investigación Grado ficticio 330μm 430μm de grosor
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Substrato de carburo de silicio de 2 polgadas 6H-N diámetro pulido de dobre cara 50,8 mm grao de produción grao de investigación
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Substratos compostos de SiC de tipo N Dia6inch Sustrato monocristalino de alta calidade e baixa calidade
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Substratos compostos de SiC semi-aislantes Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
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SiC de tipo N sobre substratos compostos de Si Dia6inch
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Sustrato SiC Dia200mm 4H-N e carburo de silicio HPSI
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Produción de substrato SiC de 3 polgadas Diámetro 76,2 mm 4H-N
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Sustrato SiC grao P e D Dia50 mm 4H-N 2 polgadas