SiC
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Oblea de SiC HPSI 4H-N Oblea epitaxial de SiC 6H-N 6H-P 3C-N para MOS ou SBD
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Oblea epitaxial de SiC para dispositivos de alimentación: 4H-SiC, tipo N, baixa densidade de defectos
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Oblea epitaxial de SiC tipo 4H-N de alta tensión e alta frecuencia
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Obleas de carburo de silicio de alta pureza (sen dopar) de 3 polgadas, substratos de Sic semiillantes (HPSl)
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Oblea de substrato SiC 4H-N de 8 polgadas, carburo de silicio ficticio, grao de investigación, 500 µm de espesor
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Substrato de carburo de silicio de 150 mm de diámetro para produción de obleas de SiC 4H-N/6H-N
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Oblea revestida de ouro, oblea de zafiro, oblea de silicio, oblea de SiC, 2 polgadas, 4 polgadas e 6 polgadas, grosor revestido de ouro 10 nm, 50 nm e 100 nm
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Oblea de SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipo 2 polgadas 3 polgadas 4 polgadas 6 polgadas 8 polgadas
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Substrato de carburo de silicio Sic de 2 polgadas Tipo 6H-N 0,33 mm 0,43 mm Pulido de dobre cara Alta condutividade térmica Baixo consumo de enerxía
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Substrato de SiC de 3 polgadas e 350 µm de grosor, tipo HPSI, grao Prime, grao ficticio
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Lingote de carburo de silicio SiC de 6 polgadas tipo N, espesor ficticio/de primeira calidade, pódese personalizar
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Lingote semiillante de carburo de silicio 4H-SiC de 6 polgadas, grao ficticio