Substrato de SiC, oblea Epi de SiC condutiva/semi tipo 4, 6, 8 polgadas

Substrato de SiC SiC Epi-wafer condutor/semi tipo 4 6 8 polgadas Imaxe destacada

Descrición curta:

Características

Substrato de SiC SiC Epi-wafer Brief

Ofrecemos unha carteira completa de substratos e obleas de SiC de alta calidade en múltiples politipos e perfís de dopaxe, incluíndo 4H-N (condutor de tipo n), 4H-P (condutor de tipo p), 4H-HPSI (semiillante de alta pureza) e 6H-P (condutor de tipo p), en diámetros desde 4″, 6″ e 8″ ata 12″. Máis alá dos substratos espidos, os nosos servizos de crecemento de obleas epitaxiales de valor engadido ofrecen obleas epitaxiais (epi) con grosores (1–20 µm), concentracións de dopaxe e densidades de defectos estritamente controladas.

Cada oblea de sic e oblea de epi sométese a unha rigorosa inspección en liña (densidade de microtubos <0,1 cm⁻², rugosidade superficial Ra <0,2 nm) e a unha caracterización eléctrica completa (CV, mapeo de resistividade) para garantir unha uniformidade e un rendemento cristalino excepcionais. Tanto se se utilizan para módulos de electrónica de potencia, amplificadores de RF de alta frecuencia ou dispositivos optoelectrónicos (LED, fotodetectores), as nosas liñas de produtos de substratos de SiC e obleas de epi ofrecen a fiabilidade, a estabilidade térmica e a resistencia á ruptura que requiren as aplicacións máis esixentes actuais.

Propiedades e aplicación do substrato de SiC tipo 4H-N

Estrutura politipo (hexagonal) do substrato 4H-N SiC

Un amplo intervalo de banda de ~3,26 eV garante un rendemento eléctrico estable e robustez térmica en condicións de alta temperatura e campo eléctrico elevado.

substrato de SiCDopaxe de tipo N

O dopaxe con nitróxeno controlado con precisión produce concentracións de portadores de 1×10¹⁶ a 1×10¹⁹ cm⁻³ e mobilidades de electróns a temperatura ambiente de ata ~900 cm²/V·s, o que minimiza as perdas de condución.

substrato de SiCAmpla resistividade e uniformidade

Rango de resistividade dispoñible de 0,01 a 10 Ω·cm e grosores de oblea de 350 a 650 µm con tolerancia de ±5 % tanto no dopaxe como no grosor: ideal para a fabricación de dispositivos de alta potencia.

substrato de SiCDensidade de defectos ultrabaixa

Densidade de microtubos < 0,1 cm⁻² e densidade de dislocacións no plano basal < 500 cm⁻², o que ofrece un rendemento do dispositivo > 99 % e unha integridade cristalina superior.

substrato de SiCCondutividade térmica excepcional

A condutividade térmica de ata ~370 W/m·K facilita a eliminación eficiente da calor, o que aumenta a fiabilidade do dispositivo e a densidade de potencia.

substrato de SiCAplicacións de destino

MOSFET de SiC, díodos Schottky, módulos de potencia e dispositivos de RF para accionamentos de vehículos eléctricos, inversores solares, accionamentos industriais, sistemas de tracción e outros mercados de electrónica de potencia esixentes.

Especificación da oblea de SiC tipo 4H-N de 6 polgadas
Propiedade	Grao de produción MPD cero (grao Z)	Grao de simulación (Grao D)
Grao	Grao de produción MPD cero (grao Z)	Grao de simulación (Grao D)
Diámetro	149,5 mm - 150,0 mm	149,5 mm - 150,0 mm
Politipo	4H	4H
Espesor	350 µm ± 15 µm	350 µm ± 25 µm
Orientación da oblea	Fóra do eixe: 4,0° cara a <1120> ± 0,5°	Fóra do eixe: 4,0° cara a <1120> ± 0,5°
Densidade de microtubos	≤ 0,2 cm²	≤ 15 cm²
resistividade	0,015 - 0,024 Ω·cm	0,015 - 0,028 Ω·cm
Orientación plana primaria	[10-10] ± 50°	[10-10] ± 50°
Lonxitude plana primaria	475 mm ± 2,0 mm	475 mm ± 2,0 mm
Exclusión de bordos	3 milímetros	3 milímetros
LTV/TIV / Arco / Urdime	≤ 2,5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm	≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm
Rugosidade	Ra do pulido ≤ 1 nm	Ra do pulido ≤ 1 nm
CMP Ra	≤ 0,2 nm	≤ 0,5 nm
Gretas nos bordos por luz de alta intensidade	Lonxitude acumulada ≤ 20 mm lonxitude única ≤ 2 mm	Lonxitude acumulada ≤ 20 mm lonxitude única ≤ 2 mm
Placas hexagonais por luz de alta intensidade	Área acumulada ≤ 0,05%	Área acumulada ≤ 0,1%
Áreas politípicas por luz de alta intensidade	Área acumulada ≤ 0,05%	Área acumulada ≤ 3%
Inclusións visuais de carbono	Área acumulada ≤ 0,05%	Área acumulada ≤ 5%
Rasgaduras na superficie de silicio por luz de alta intensidade		Lonxitude acumulada ≤ 1 diámetro da oblea
Chips de bordo por luz de alta intensidade	Non se permite ningunha ≥ 0,2 mm de ancho e fondo	7 permitidos, ≤ 1 mm cada un
Luxación do parafuso de rosca	< 500 cm³	< 500 cm³
Contaminación da superficie de silicio por luz de alta intensidade
Envasado	Casete multi-oblea ou recipiente de oblea única	Casete multi-oblea ou recipiente de oblea única

Especificación da oblea de SiC tipo 4H-N de 8 polgadas
Propiedade	Grao de produción MPD cero (grao Z)	Grao de simulación (Grao D)
Grao	Grao de produción MPD cero (grao Z)	Grao de simulación (Grao D)
Diámetro	199,5 mm - 200,0 mm	199,5 mm - 200,0 mm
Politipo	4H	4H
Espesor	500 µm ± 25 µm	500 µm ± 25 µm
Orientación da oblea	4,0° cara a <110> ± 0,5°	4,0° cara a <110> ± 0,5°
Densidade de microtubos	≤ 0,2 cm²	≤ 5 cm²
resistividade	0,015 - 0,025 Ω·cm	0,015 - 0,028 Ω·cm
Orientación nobre
Exclusión de bordos	3 milímetros	3 milímetros
LTV/TIV / Arco / Urdime	≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm	≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm
Rugosidade	Ra do pulido ≤ 1 nm	Ra do pulido ≤ 1 nm
CMP Ra	≤ 0,2 nm	≤ 0,5 nm
Gretas nos bordos por luz de alta intensidade	Lonxitude acumulada ≤ 20 mm lonxitude única ≤ 2 mm	Lonxitude acumulada ≤ 20 mm lonxitude única ≤ 2 mm
Placas hexagonais por luz de alta intensidade	Área acumulada ≤ 0,05%	Área acumulada ≤ 0,1%
Áreas politípicas por luz de alta intensidade	Área acumulada ≤ 0,05%	Área acumulada ≤ 3%
Inclusións visuais de carbono	Área acumulada ≤ 0,05%	Área acumulada ≤ 5%
Rasgaduras na superficie de silicio por luz de alta intensidade		Lonxitude acumulada ≤ 1 diámetro da oblea
Chips de bordo por luz de alta intensidade	Non se permite ningunha ≥ 0,2 mm de ancho e fondo	7 permitidos, ≤ 1 mm cada un
Luxación do parafuso de rosca	< 500 cm³	< 500 cm³
Contaminación da superficie de silicio por luz de alta intensidade
Envasado	Casete multi-oblea ou recipiente de oblea única	Casete multi-oblea ou recipiente de oblea única

O 4H-SiC é un material de alto rendemento que se emprega en electrónica de potencia, dispositivos de radiofrecuencia e aplicacións de alta temperatura. O "4H" refírese á estrutura cristalina, que é hexagonal, e o "N" indica un tipo de dopaxe que se emprega para optimizar o rendemento do material.

O/A4H-SiCO tipo úsase habitualmente para:

Electrónica de potencia:Úsase en dispositivos como díodos, MOSFET e IGBT para sistemas de propulsión de vehículos eléctricos, maquinaria industrial e sistemas de enerxía renovable.
Tecnoloxía 5G:Coa demanda do 5G de compoñentes de alta frecuencia e alta eficiencia, a capacidade do SiC para manexar altas tensións e funcionar a altas temperaturas faino ideal para amplificadores de potencia de estacións base e dispositivos de RF.
Sistemas de enerxía solar:As excelentes propiedades de manexo de enerxía do SiC son ideais para inversores e convertidores fotovoltaicos (enerxía solar).
Vehículos eléctricos (VE):O SiC úsase amplamente nos sistemas de propulsión dos vehículos eléctricos para obter unha conversión de enerxía máis eficiente, unha menor xeración de calor e maiores densidades de potencia.

Propiedades e aplicación do substrato SiC 4H semi-illante

Propiedades:

Técnicas de control de densidade sen microtubosGarante a ausencia de microtubaxes, mellorando a calidade do substrato.
Técnicas de control monocristalinoGarante unha estrutura monocristalina para mellorar as propiedades do material.
Técnicas de control de inclusiónsMinimiza a presenza de impurezas ou inclusións, garantindo un substrato puro.
Técnicas de control da resistividadePermite un control preciso da resistividade eléctrica, que é crucial para o rendemento do dispositivo.
Técnicas de regulación e control de impurezasRegula e limita a introdución de impurezas para manter a integridade do substrato.
Técnicas de control do ancho do paso do substratoProporciona un control preciso sobre o ancho do paso, garantindo a consistencia en todo o substrato

Especificación do substrato semi-SiC 4H de 6 polgadas
Propiedade	Grao de produción MPD cero (grao Z)	Grao de simulación (Grao D)
Diámetro (mm)	145 mm - 150 mm	145 mm - 150 mm
Politipo	4H	4H
Espesor (um)	500 ± 15	500 ± 25
Orientación da oblea	No eixo: ±0,0001°	No eixo: ±0,05°
Densidade de microtubos	≤ 15 cm-2	≤ 15 cm-2
Resistividade (Ωcm)	≥ 10E3	≥ 10E3
Orientación plana primaria	(0-10)° ± 5,0°	(10-10)° ± 5,0°
Lonxitude plana primaria	Muesca	Muesca
Exclusión de bordo (mm)	≤ 2,5 µm / ≤ 15 µm	≤ 5,5 µm / ≤ 35 µm
LTV / Cunca / Deformación	≤ 3 µm	≤ 3 µm
Rugosidade	Ra do pulido ≤ 1,5 µm	Ra do pulido ≤ 1,5 µm
Chips de bordo por luz de alta intensidade	≤ 20 µm	≤ 60 µm
Placas de calor por luz de alta intensidade	Acumulado ≤ 0,05%	Acumulado ≤ 3%
Áreas politípicas por luz de alta intensidade	Inclusións visuais de carbono ≤ 0,05%	Acumulado ≤ 3%
Rasgaduras na superficie de silicio por luz de alta intensidade	≤ 0,05%	Acumulado ≤ 4%
Chips de bordo por luz de alta intensidade (tamaño)	Non permitido > 0,2 mm de ancho e profundidade	Non permitido > 0,2 mm de ancho e profundidade
A dilatación do parafuso auxiliar	≤ 500 µm	≤ 500 µm
Contaminación da superficie de silicio por luz de alta intensidade	≤ 1 x 10^5	≤ 1 x 10^5
Envasado	Casete multi-obleas ou recipiente de oblea única	Casete multi-obleas ou recipiente de oblea única

Especificación do substrato SiC semiaïllante 4H de 4 polgadas

Parámetro	Grao de produción MPD cero (grao Z)	Grao de simulación (Grao D)
Propiedades físicas
Diámetro	99,5 mm – 100,0 mm	99,5 mm – 100,0 mm
Politipo	4H	4H
Espesor	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 25 μm
Orientación da oblea	No eixo: <600h > 0,5°	No eixo: <000h > 0,5°
Propiedades eléctricas
Densidade de microtubos (MPD)	≤1 cm⁻²	≤15 cm⁻²
resistividade	≥150 Ω·cm	≥1,5 Ω·cm
Tolerancias xeométricas
Orientación plana primaria	(0x10) ± 5,0°	(0x10) ± 5,0°
Lonxitude plana primaria	52,5 mm ± 2,0 mm	52,5 mm ± 2,0 mm
Lonxitude plana secundaria	18,0 mm ± 2,0 mm	18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria	90° no sentido horario desde o plano principal ± 5,0° (cara de Si cara arriba)	90° no sentido horario desde o plano principal ± 5,0° (cara de Si cara arriba)
Exclusión de bordos	3 milímetros	3 milímetros
LTV / TTV / Arco / Deformación	≤2,5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm	≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm
Calidade da superficie
Rugosidade da superficie (Ra polaca)	≤1 nm	≤1 nm
Rugosidade superficial (CMP Ra)	≤0,2 nm	≤0,2 nm
Gretas nos bordos (luz de alta intensidade)	Non permitido	Lonxitude acumulada ≥10 mm, fenda individual ≤2 mm
Defectos de placa hexagonal	≤0,05 % de área acumulada	≤0,1 % de área acumulada
Áreas de inclusión de politipos	Non permitido	≤1% de área acumulada
Inclusións visuais de carbono	≤0,05 % de área acumulada	≤1% de área acumulada
Rasgaduras na superficie de silicona	Non permitido	Lonxitude acumulada de diámetro de oblea ≤1
Chips de bordo	Non se permite ningún (≥0,2 mm de ancho/profundidade)	≤5 fichas (cada unha ≤1 mm)
Contaminación da superficie de silicio	Non especificado	Non especificado
Envasado
Envasado	Casete de varias obleas ou recipiente dunha soa oblea	Casete multi-oblea ou

Aplicación:

O/ASubstratos semiillantes de SiC 4Húsanse principalmente en dispositivos electrónicos de alta potencia e alta frecuencia, especialmente encampo de radiofrecuenciaEstes substratos son cruciais para diversas aplicacións, incluíndosistemas de comunicación por microondas, radar de matriz en fase, edetectores eléctricos sen fíosA súa alta condutividade térmica e as súas excelentes características eléctricas convértenos en produtos ideais para aplicacións esixentes en electrónica de potencia e sistemas de comunicación.