Bandexa de cerámica de SiC para portaobleas con resistencia a altas temperaturas

Descrición curta:

As bandexas cerámicas de carburo de silicio (SiC) están feitas de po de SiC de ultra alta pureza (>99,1 %) sinterizado a 2450 °C, cunha densidade de 3,10 g/cm³, resistencia a altas temperaturas de ata 1800 °C e condutividade térmica de 250-300 W/m·K. Destacan nos procesos de gravado MOCVD e ICP de semicondutores como portadores de obleas, aproveitando a baixa expansión térmica (4 × 10⁻⁶/K) para a estabilidade a altas temperaturas, eliminando os riscos de contaminación inherentes aos portadores de grafito tradicionais. Os diámetros estándar alcanzan os 600 mm, con opcións de succión ao baleiro e ranuras personalizadas. O mecanizado de precisión garante desviacións de planitude <0,01 mm, mellorando a uniformidade da película de GaN e o rendemento do chip LED.


Características

Bandexa cerámica de carburo de silicio (bandexa SiC)

Un compoñente cerámico de alto rendemento baseado en material de carburo de silicio (SiC), deseñado para aplicacións industriais avanzadas como a fabricación de semicondutores e a produción de LED. As súas funcións principais inclúen servir como portador de obleas, plataforma de procesos de gravado ou soporte de procesos a alta temperatura, aproveitando a excepcional condutividade térmica, resistencia a altas temperaturas e estabilidade química para garantir a uniformidade do proceso e o rendemento do produto.

Características principais

1. Rendemento térmico

  • ​​Alta condutividade térmica​​: 140–300 W/m·K, superando significativamente o grafito tradicional (85 W/m·K), o que permite unha rápida disipación da calor e unha redución da tensión térmica.
  • ​​Baixo coeficiente de expansión térmica​​: 4,0×10⁻⁶/℃ (25–1000℃), silicio moi similar (2,6×10⁻⁶/℃), o que minimiza os riscos de deformación térmica.

2. Propiedades mecánicas

  • ​​Alta resistencia​​: Resistencia á flexión ≥320 MPa (20 ℃), resistente á compresión e ao impacto.
  • Alta dureza: dureza Mohs 9,5, só superada polo diamante, o que ofrece unha resistencia ao desgaste superior.

3. Estabilidade química

  • Resistencia á corrosión: Resistente a ácidos fortes (por exemplo, HF, H₂SO₄), axeitado para entornos de procesos de gravado.
  • ​​Non magnético​​: Susceptibilidade magnética intrínseca <1×10⁻⁶ emu/g, o que evita interferencias con instrumentos de precisión.

4. Tolerancia a ambientes extremos

  • Durabilidade a altas temperaturas: temperatura de funcionamento a longo prazo de ata 1600–1900 ℃; resistencia a curto prazo de ata 2200 ℃ (ambiente sen osíxeno).
  • Resistencia ao choque térmico: Soporta cambios bruscos de temperatura (ΔT >1000 ℃) sen rachar.

https://www.xkh-semitech.com/sic-ceramic-tray-for-wafer-carrier-with-high-temperature-resistance%e2%80%8b%e2%80%8b-product/

Aplicacións

Campo de aplicación

Escenarios específicos

Valor técnico

Fabricación de semicondutores

Gravado de obleas (ICP), deposición de película fina (MOCVD), pulido CMP

A alta condutividade térmica garante campos de temperatura uniformes; a baixa expansión térmica minimiza a deformación da oblea.

Produción de LED

Crecemento epitaxial (por exemplo, GaN), corte en dados de obleas, empaquetado

Suprime defectos multitipo, mellorando a eficiencia luminosa e a vida útil dos LED.

Industria fotovoltaica

Fornos de sinterización de obleas de silicio, soportes para equipos PECVD

A resistencia ás altas temperaturas e aos choques térmicos prolonga a vida útil dos equipos.

Láser e óptica

Substratos de refrixeración láser de alta potencia, soportes de sistemas ópticos

A alta condutividade térmica permite unha rápida disipación da calor, estabilizando os compoñentes ópticos.

Instrumentos analíticos

Soportes de mostras TGA/DSC

A baixa capacidade calorífica e a rápida resposta térmica melloran a precisión da medición.

Vantaxes do produto

  1. Rendemento integral: a condutividade térmica, a resistencia e a resistencia á corrosión superan con creces as cerámicas de alúmina e nitruro de silicio, o que satisface as esixencias operativas extremas.
  2. Deseño lixeiro: densidade de 3,1–3,2 g/cm³ (40 % do aceiro), o que reduce a carga inercial e mellora a precisión do movemento.
  3. ​​Lonxevidade e fiabilidade​​: A vida útil supera os 5 anos a 1600 ℃, o que reduce o tempo de inactividade e os custos operativos nun 30 %.
  4. ​​Personalización​​: Admite xeometrías complexas (por exemplo, ventosas porosas, bandexas multicapa) cun erro de planitude <15 μm para aplicacións de precisión.

Especificacións técnicas

Categoría de parámetros

Indicador

Propiedades físicas

Densidade

≥3,10 g/cm³

Resistencia á flexión (20 ℃)

320–410 MPa

Condutividade térmica (20 ℃)

140–300 W/(m·K)

Coeficiente de expansión térmica (25–1000 ℃)

4,0×10⁻⁶/℃

Propiedades químicas

Resistencia aos ácidos (HF/H₂SO₄)

Sen corrosión despois de 24 horas de inmersión

precisión de mecanizado

Planitude

≤15 μm (300 × 300 mm)

Rugosidade superficial (Ra)

≤0,4 μm

Servizos de XKH

XKH ofrece solucións industriais completas que abarcan o desenvolvemento personalizado, a mecanización de precisión e un rigoroso control de calidade. Para o desenvolvemento personalizado, ofrece solucións de materiais de alta pureza (>99,999 %) e porosos (porosidade do 30–50 %), combinadas con modelado e simulación 3D para optimizar xeometrías complexas para aplicacións como semicondutores e aeroespacial. A mecanización de precisión segue un proceso simplificado: procesamento de po → prensado isostático/en seco → sinterización a 2200 °C → rectificado CNC/de diamante → inspección, garantindo un pulido a nivel nanométrico e unha tolerancia dimensional de ±0,01 mm. O control de calidade inclúe probas de proceso completo (composición XRD, microestrutura SEM, flexión de 3 puntos) e soporte técnico (optimización de procesos, consulta 24 horas ao día, 7 días á semana, entrega de mostras en 48 horas), proporcionando compoñentes fiables e de alto rendemento para necesidades industriais avanzadas.

https://www.xkh-semitech.com/sic-ceramic-tray-for-wafer-carrier-with-high-temperature-resistance%e2%80%8b%e2%80%8b-product/

Preguntas frecuentes (FAQ)

 1. P: Que industrias empregan bandexas cerámicas de carburo de silicio?

R: Amplamente utilizado na fabricación de semicondutores (manipulación de obleas), enerxía solar (procesos PECVD), equipos médicos (compoñentes de resonancia magnética) e aeroespacial (pezas de alta temperatura) debido á súa extrema resistencia á calor e estabilidade química.

2. P: Como supera o carburo de silicio ás bandexas de cuarzo/vidro?

R: Maior resistencia aos choques térmicos (ata 1800 °C fronte aos 1100 °C do cuarzo), cero interferencias magnéticas e maior vida útil (máis de 5 anos fronte aos 6-12 meses do cuarzo).

3. P: As bandexas de carburo de silicio poden soportar ambientes ácidos?

R: Si. Resistentes a HF, H2SO4 e NaOH con <0,01 mm de corrosión/ano, o que os fai ideais para o gravado químico e a limpeza de obleas.

4. P: Son as bandexas de carburo de silicio compatibles coa automatización?

R: Si. Deseñado para a recollida ao baleiro e a manipulación robótica, cunha planitude superficial <0,01 mm para evitar a contaminación por partículas en fábricas automatizadas.

5. P: Cal é a comparación de custos cos materiais tradicionais?

R: Custo inicial máis elevado (3-5 veces máis que o cuarzo), pero un custo total de propiedade (TCO) entre un 30 e un 50 % menor debido a unha vida útil máis longa, un tempo de inactividade reducido e un aforro de enerxía grazas á maior condutividade térmica.


  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanosla