Placa/bandexa de cerámica de SiC para soporte de obleas de 4 polgadas e 6 polgadas para ICP

Descrición curta:

A placa cerámica de SiC é un compoñente de alto rendemento fabricado con carburo de silicio de alta pureza, deseñado para o seu uso en ambientes térmicos, químicos e mecánicos extremos. Recoñecida pola súa dureza excepcional, condutividade térmica e resistencia á corrosión, a placa de SiC úsase amplamente como portador de obleas, susceptor ou compoñente estrutural nas industrias de semicondutores, LED, fotovoltaica e aeroespacial.

Envíanos un correo electrónico

Características

Placa de cerámica de SiC Resumo

Cunha estabilidade térmica excepcional ata 1600 °C e unha excelente resistencia a gases reactivos e ambientes de plasma, a placa de SiC garante un rendemento consistente durante os procesos de gravado, deposición e difusión a alta temperatura. A súa microestrutura densa e non porosa minimiza a xeración de partículas, o que a fai ideal para aplicacións ultralimpas en ambientes de baleiro ou salas limpas.

Aplicación da placa cerámica de SiC

1. Fabricación de semicondutores

As placas cerámicas de SiC úsanse habitualmente como portadores de obleas, susceptores e placas de pedestal en equipos de fabricación de semicondutores como CVD (deposición química de vapor), PVD (deposición física de vapor) e sistemas de gravado. A súa excelente condutividade térmica e baixa expansión térmica permítenlles manter unha distribución uniforme da temperatura, o que é fundamental para o procesamento de obleas de alta precisión. A resistencia do SiC aos gases e plasmas corrosivos garante a súa durabilidade en ambientes agresivos, o que axuda a reducir a contaminación por partículas e o mantemento dos equipos.

2. Industria LED: gravado ICP

No sector da fabricación de LED, as placas de SiC son compoñentes clave nos sistemas de gravado ICP (plasma acoplado indutivamente). Ao actuar como soportes de obleas, proporcionan unha plataforma estable e termicamente robusta para soportar obleas de zafiro ou GaN durante o procesamento por plasma. A súa excelente resistencia ao plasma, planitude superficial e estabilidade dimensional axudan a garantir unha alta precisión e uniformidade do gravado, o que leva a un maior rendemento e rendemento dos dispositivos nos chips LED.

3. Enerxía fotovoltaica (FV) e enerxía solar

As placas cerámicas de SiC tamén se empregan na produción de células solares, especialmente durante as etapas de sinterización e recocido a alta temperatura. A súa inercia a temperaturas elevadas e a súa capacidade para resistir a deformación garanten un procesamento consistente das obleas de silicio. Ademais, o seu baixo risco de contaminación é vital para manter a eficiencia das células fotovoltaicas.

Propiedades da placa cerámica de SiC

1. Resistencia mecánica e dureza excepcionais

As placas cerámicas de SiC presentan unha resistencia mecánica moi alta, cunha resistencia á flexión típica que supera os 400 MPa e unha dureza Vickers que alcanza os >2000 HV. Isto fainas moi resistentes ao desgaste mecánico, á abrasión e á deformación, o que garante unha longa vida útil mesmo baixo cargas elevadas ou ciclos térmicos repetidos.

2. Alta condutividade térmica

O SiC ten unha excelente condutividade térmica (normalmente de 120 a 200 W/m·K), o que lle permite distribuír a calor uniformemente pola súa superficie. Esta propiedade é fundamental en procesos como o gravado de obleas, a deposición ou a sinterización, onde a uniformidade da temperatura afecta directamente o rendemento e a calidade do produto.

3. Estabilidade térmica superior

Cun alto punto de fusión (2700 °C) e un baixo coeficiente de expansión térmica (4,0 × 10⁻⁶/K), as placas cerámicas de SiC manteñen a precisión dimensional e a integridade estrutural en ciclos rápidos de quecemento e arrefriamento. Isto fainas ideais para aplicacións en fornos de alta temperatura, cámaras de baleiro e ambientes de plasma.

Propiedades técnicas
Índice	Unidade	Valor
Nome do material		Carburo de silicio sinterizado por reacción	Carburo de silicio sinterizado sen presión	Carburo de silicio recristalizado
Composición		RBSiC	SSiC	R-SiC
Densidade aparente	g/cm³	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Resistencia á flexión	MPa (kpsi)	338(49)	380 (55)	80-90 (20 °C) 90-100 (1400 °C)
Resistencia á compresión	MPa (kpsi)	1120 (158)	3970 (560)	> 600
Dureza	Knoop	2700	2800	/
Rompendo a tenacidade	MPa m1/2	4.5	4	/
Condutividade térmica	W/mk	95	120	23
Coeficiente de expansión térmica	10^-60,1/°C	5	4	4.7
Calor específico	Joule/g 0k	0,8	0,67	/
Temperatura máxima no aire	℃	1200	1500	1600
Módulo elástico	GPA	360	410	240

Preguntas e respostas sobre placas de cerámica de SiC

P: Cales son as propiedades da placa de carburo de silicio?

Unha： As placas de carburo de silicio (SiC) son coñecidas pola súa alta resistencia, dureza e estabilidade térmica. Ofrecen unha excelente condutividade térmica e unha baixa expansión térmica, o que garante un rendemento fiable en temperaturas extremas. O SiC tamén é quimicamente inerte, resistente a ácidos, álcalis e ambientes de plasma, o que o fai ideal para o procesamento de semicondutores e LED. A súa superficie densa e lisa minimiza a xeración de partículas, mantendo a compatibilidade coa sala limpa. As placas de SiC úsanse amplamente como portadores de obleas, susceptores e compoñentes de soporte en ambientes de alta temperatura e corrosivos nas industrias de semicondutores, fotovoltaica e aeroespacial.