SiC semiillante sobre substratos compostos de Si
Elementos | Especificación | Elementos | Especificación |
Diámetro | 150 ± 0,2 mm | Orientación | <111>/<100>/<110> e así por diante |
Politipo | 4H | Tipo | P/N |
Resistividade | ≥1E8ohm·cm | Planitude | Plano/Muesca |
Espesor da capa de transferencia | ≥0,1 μm | Edge Chip, Scratch, Crack (inspección visual) | Ningún |
Baleiro | ≤5 unidades/oblea (2 mm>D>0,5 mm) | TTV | ≤ 5 μm |
Rugosidade frontal | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm*5 μm) | Espesor | 500/625/675±25μm |
Esta combinación ofrece unha serie de vantaxes na fabricación de produtos electrónicos:
Compatibilidade: o uso dun substrato de silicio faino compatible coas técnicas de procesamento estándar baseadas en silicio e permite a integración cos procesos de fabricación de semicondutores existentes.
Rendemento a alta temperatura: o SiC ten unha excelente condutividade térmica e pode funcionar a altas temperaturas, polo que é axeitado para aplicacións electrónicas de alta potencia e alta frecuencia.
Alta tensión de avaría: os materiais de SiC teñen unha alta tensión de avaría e poden soportar altos campos eléctricos sen avaría eléctrica.
Perda de enerxía reducida: os substratos de SiC permiten unha conversión de enerxía máis eficiente e unha menor perda de enerxía nos dispositivos electrónicos en comparación cos materiais tradicionais baseados en silicio.
Ancho de banda amplo: SiC ten un ancho de banda amplo, o que permite o desenvolvemento de dispositivos electrónicos que poidan funcionar a temperaturas máis altas e densidades de potencia máis altas.
Polo tanto, o SiC semiillante sobre substratos compostos de Si combina a compatibilidade do silicio coas propiedades eléctricas e térmicas superiores do SiC, o que o fai axeitado para aplicacións electrónicas de alto rendemento.
Embalaxe e entrega
1. Usaremos plástico protector e caixas personalizadas para embalar. (Material amigable co medio ambiente)
2. Poderíamos facer embalaxe personalizada segundo a cantidade.
3. DHL/Fedex/UPS Express adoita tardar entre 3 e 7 días hábiles ata o destino.