Oblea de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N 6 polgadas de espesor 350 μm con orientación plana primaria

Breve descrición:

A oblea de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, é un material semicondutor de 6 polgadas cun espesor de 350 μm e orientación plana primaria, deseñado para aplicacións electrónicas avanzadas. Coñecida pola súa alta condutividade térmica, alta tensión de avaría e resistencia a temperaturas extremas e ambientes corrosivos, esta oblea é adecuada para dispositivos electrónicos de alto rendemento. O dopaxe tipo P introduce buratos como portadores de carga primarios, polo que é ideal para aplicacións de electrónica de potencia e RF. A súa estrutura robusta garante un rendemento estable en condicións de alta tensión e alta frecuencia, o que o fai ben axeitado para dispositivos de enerxía, electrónica de alta temperatura e conversión de enerxía de alta eficiencia. A orientación plana principal garante un aliñamento preciso no proceso de fabricación, proporcionando coherencia na fabricación do dispositivo.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Especificación4H/6H-P Tipo SiC Substratos compostos Táboa de parámetros comúns

6 Substrato de carburo de silicio (SiC) de diámetro en polgadas Especificación

Grao			Produción de MPD ceroGrao (Z Grao)	Produción estándarGrao (P Grao)	Grao Dummy (D Grao)
Diámetro			145,5 mm ~ 150,0 mm
Espesor			350 μm ± 25 μm
Orientación de obleas			-Offeixe: 2,0°-4,0° cara a [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, No eixe: 〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidade de microtubo			0 cm-2
Resistividade	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Orientación primaria de piso		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Lonxitude plana primaria			32,5 mm ± 2,0 mm
Lonxitude plana secundaria			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación de piso secundario			Silicona cara arriba: 90° CW. de Prime Flat ± 5,0°
Exclusión de borde			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bow/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosidade			Ra≤1 nm polaco
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra ≤ 0,5 nm
Rachaduras de borde pola luz de alta intensidade			Ningún		Lonxitude acumulada ≤ 10 mm, lonxitude única ≤ 2 mm
Placas hexagonales por luz de alta intensidade			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤0,1%
Zonas politípicas por luz de alta intensidade			Ningún		Área acumulada ≤ 3 %
Inclusións de carbono visual			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Arañazos na superficie de silicio por luz de alta intensidade			Ningún		Lonxitude acumulada ≤ 1 × diámetro da oblea
Chips de borde de alta intensidade de luz			Non se permite ningún ≥0,2 mm de ancho e profundidade		5 permitidos, ≤1 mm cada un
Contaminación da superficie de silicio por alta intensidade			Ningún
Embalaxe			Casete de obleas múltiples ou recipiente de obleas simples

Notas:

※ Os límites de defectos aplícanse a toda a superficie da oblea, excepto á área de exclusión do bordo. # Os arañazos deben comprobarse na cara Si o

A oblea de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, co seu tamaño de 6 polgadas e 350 μm de espesor, xoga un papel crucial na produción industrial de electrónica de potencia de alto rendemento. A súa excelente condutividade térmica e a súa alta tensión de ruptura fan que sexa ideal para a fabricación de compoñentes como interruptores de enerxía, díodos e transistores utilizados en ambientes de alta temperatura como vehículos eléctricos, redes eléctricas e sistemas de enerxía renovable. A capacidade da oblea para operar de forma eficiente en condicións duras garante un rendemento fiable en aplicacións industriais que requiren alta densidade de enerxía e eficiencia enerxética. Ademais, a súa orientación plana principal axuda ao aliñamento preciso durante a fabricación do dispositivo, mellorando a eficiencia da produción e a consistencia do produto.

As vantaxes dos substratos compostos de SiC de tipo N inclúen

Alta condutividade térmica: As obleas de SiC tipo P disipan a calor de forma eficiente, polo que son idóneas para aplicacións a altas temperaturas.
Alta tensión de avaría: Capaz de soportar altas tensións, garantindo a fiabilidade en electrónica de potencia e dispositivos de alta tensión.
Resistencia a ambientes duros: Excelente durabilidade en condicións extremas, como altas temperaturas e ambientes corrosivos.
Conversión de enerxía eficiente: O dopaxe tipo P facilita un manexo eficiente da potencia, facendo que a oblea sexa apta para sistemas de conversión de enerxía.
Orientación primaria de piso: Asegura un aliñamento preciso durante a fabricación, mellorando a precisión e consistencia do dispositivo.
Estrutura fina (350 μm): O grosor óptimo da oblea permite a integración en dispositivos electrónicos avanzados e con espazo limitado.

En xeral, a oblea de SiC tipo P, 4H/6H-P 3C-N, ofrece unha serie de vantaxes que a fan moi adecuada para aplicacións industriais e electrónicas. A súa alta condutividade térmica e tensión de avaría permiten un funcionamento fiable en ambientes de alta temperatura e alta tensión, mentres que a súa resistencia ás duras condicións garante a durabilidade. O dopaxe tipo P permite unha conversión de enerxía eficiente, polo que é ideal para sistemas de enerxía e electrónicos de potencia. Ademais, a orientación plana principal da oblea garante un aliñamento preciso durante o proceso de fabricación, mellorando a consistencia da produción. Cun espesor de 350 μm, é moi axeitado para a integración en dispositivos avanzados e compactos.