Oblea de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N, 6 polgadas de grosor e 350 μm con orientación plana primaria

Descrición curta:

A oblea de SiC de tipo P, 4H/6H-P 3C-N, é un material semicondutor de 6 polgadas cun grosor de 350 μm e orientación plana primaria, deseñado para aplicacións electrónicas avanzadas. Coñecida pola súa alta condutividade térmica, alta tensión de ruptura e resistencia a temperaturas extremas e ambientes corrosivos, esta oblea é axeitada para dispositivos electrónicos de alto rendemento. O dopado de tipo P introduce buratos como portadores de carga primarios, o que a fai ideal para electrónica de potencia e aplicacións de RF. A súa estrutura robusta garante un rendemento estable en condicións de alta tensión e alta frecuencia, o que a fai ideal para dispositivos de potencia, electrónica de alta temperatura e conversión de enerxía de alta eficiencia. A orientación plana primaria garante un aliñamento preciso no proceso de fabricación, proporcionando consistencia na fabricación de dispositivos.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas do produto

Especificación Substratos compostos de SiC tipo 4H/6H-P Táboa de parámetros comúns

6 substrato de carburo de silicio (SiC) de polgadas de diámetro Especificación

Grao			Produción cero de MPDGrao (Z) Grao)	Produción estándarGrao (P Grao)	Grao de simulación (D Grao)
Diámetro			145,5 mm~150,0 mm
Espesor			350 μm ± 25 μm
Orientación da oblea			-Offeixe: 2,0°-4,0° cara a [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, no eixe: 〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidade de microtubos			0 cm-2
Resistividade	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωcm		≤0,3 Ωcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩ·cm		≤1 m Ωcm
Orientación plana primaria		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Lonxitude plana primaria			32,5 mm ± 2,0 mm
Lonxitude plana secundaria			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria			Cara de silicona cara arriba: 90° no sentido horario desde a superficie plana Prime ± 5,0°
Exclusión de bordos			3 milímetros		6 milímetros
LTV/TTV/Arco/Deformación			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosidade			Ra ≤1 nm para o pulido
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Gretas nos bordos por luz de alta intensidade			Ningún		Lonxitude acumulada ≤ 10 mm, lonxitude única ≤ 2 mm
Placas hexagonais por luz de alta intensidade			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤0,1%
Áreas politípicas por luz de alta intensidade			Ningún		Área acumulada ≤3%
Inclusións visuais de carbono			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Rasgaduras na superficie de silicio por luz de alta intensidade			Ningún		Lonxitude acumulada ≤1 × diámetro da oblea
Chips de bordo de alta intensidade por luz			Non se permite ningún ancho e fondo ≥0,2 mm		5 permitidos, ≤1 mm cada un
Contaminación da superficie do silicio por alta intensidade			Ningún
Envasado			Casete multi-obleas ou recipiente de oblea única

Notas:

※ Os límites de defectos aplícanse a toda a superficie da oblea, agás á área de exclusión do bordo. # Os arañazos deben comprobarse na cara de Si

A oblea de SiC de tipo P, 4H/6H-P 3C-N, co seu tamaño de 6 polgadas e 350 μm de grosor, desempeña un papel crucial na produción industrial de electrónica de potencia de alto rendemento. A súa excelente condutividade térmica e a súa alta tensión de ruptura fan que sexa ideal para a fabricación de compoñentes como interruptores de potencia, díodos e transistores que se empregan en contornas de alta temperatura como vehículos eléctricos, redes eléctricas e sistemas de enerxía renovable. A capacidade da oblea para funcionar eficientemente en condicións adversas garante un rendemento fiable en aplicacións industriais que requiren alta densidade de potencia e eficiencia enerxética. Ademais, a súa orientación plana primaria axuda a un aliñamento preciso durante a fabricación do dispositivo, o que mellora a eficiencia da produción e a consistencia do produto.

As vantaxes dos substratos compostos de SiC de tipo N inclúen

Alta condutividade térmicaAs obleas de SiC de tipo P disipan a calor de forma eficiente, o que as fai ideais para aplicacións de alta temperatura.
Alta tensión de rupturaCapaz de soportar altas tensións, o que garante a fiabilidade en electrónica de potencia e dispositivos de alta tensión.
Resistencia a ambientes agresivosExcelente durabilidade en condicións extremas, como altas temperaturas e ambientes corrosivos.
Conversión de enerxía eficienteO dopado de tipo P facilita un manexo eficiente da enerxía, o que fai que a oblea sexa axeitada para sistemas de conversión de enerxía.
Orientación plana primariaGarante unha aliñación precisa durante a fabricación, mellorando a precisión e a consistencia do dispositivo.
Estrutura fina (350 μm)O grosor óptimo da oblea permite a integración en dispositivos electrónicos avanzados con espazo limitado.

En xeral, a oblea de SiC de tipo P, 4H/6H-P 3C-N, ofrece unha serie de vantaxes que a fan moi axeitada para aplicacións industriais e electrónicas. A súa alta condutividade térmica e tensión de ruptura permiten un funcionamento fiable en ambientes de alta temperatura e alta tensión, mentres que a súa resistencia a condicións adversas garante a súa durabilidade. O dopado de tipo P permite unha conversión de enerxía eficiente, o que a fai ideal para electrónica de potencia e sistemas enerxéticos. Ademais, a orientación plana primaria da oblea garante unha aliñación precisa durante o proceso de fabricación, o que mellora a consistencia da produción. Cun grosor de 350 μm, é ideal para a integración en dispositivos compactos e avanzados.