Substrato de SiC tipo P Oblea de SiC Dia2inch novo produto

Os substratos de carburo de silicio de tipo P úsanse habitualmente para fabricar dispositivos de potencia, como os transistores bipolares de porta illante (IGBT).

IGBT = MOSFET + BJT, que é un interruptor de acendido e apagado. MOSFET = IGFET (tubo de efecto de campo de semicondutor de óxido metálico ou transistor de efecto de campo de porta illada). BJT (transistor de unión bipolar, tamén coñecido como transistor), bipolar significa que hai dous tipos de portadores de electróns e buratos implicados no proceso de condución, xeralmente hai unha unión PN implicada na condución.

A oblea de carburo de silicio (SiC) de tipo p de 2 polgadas está feita de politipo 4H ou 6H. Ten propiedades similares ás obleas de carburo de silicio (SiC) de tipo n, como alta resistencia á temperatura, alta condutividade térmica e alta condutividade eléctrica. Os substratos de SiC de tipo p úsanse habitualmente na fabricación de dispositivos de potencia, especialmente para a fabricación de transistores bipolares de porta illada (IGBT). O deseño de IGBT adoita implicar unións PN, onde o SiC de tipo p é vantaxoso para controlar o comportamento do dispositivo.