Substrato de SiC tipo P Oblea de SiC Dia2inch novo produto

Breve descrición:

Oblea de carburo de silicio (SiC) tipo P de 2 polgadas en politipo 4H ou 6H. Ten propiedades similares ás obleas de carburo de silicio (SiC) de tipo N, como resistencia a altas temperaturas, alta condutividade térmica, alta condutividade eléctrica, etc. O substrato de SiC tipo P úsase xeralmente para a fabricación de dispositivos de enerxía, especialmente para a fabricación de illados. Transistores bipolares de porta (IGBT). O deseño de IGBT a miúdo implica unións PN, onde o SiC de tipo P pode ser vantaxoso para controlar o comportamento dos dispositivos.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Os substratos de carburo de silicio de tipo P úsanse habitualmente para fabricar dispositivos de potencia, como os transistores bipolares de porta illante (IGBT).

IGBT= MOSFET+BJT, que é un interruptor on-off. MOSFET=IGFET (tubo de efecto de campo semicondutor de óxido metálico ou transistor de efecto de campo tipo porta illada). BJT (Transistor de unión bipolar, tamén coñecido como transistor), bipolar significa que hai dous tipos de portadores de electróns e buratos implicados no proceso de condución no traballo, xeralmente hai unión PN implicada na condución.

A oblea de carburo de silicio (SiC) tipo p de 2 polgadas está en politipo 4H ou 6H. Ten propiedades similares ás obleas de carburo de silicio (SiC) de tipo n, como resistencia a altas temperaturas, alta condutividade térmica e alta condutividade eléctrica. Os substratos de SiC de tipo p úsanse habitualmente na fabricación de dispositivos de potencia, especialmente para a fabricación de transistores bipolares de porta illada (IGBT). o deseño dos IGBT normalmente implica unións PN, onde o SiC de tipo p é vantaxoso para controlar o comportamento do dispositivo.