Substrato SIC TIPO P 4H/6H-P 3C-N 4 polgadas 〈111〉± 0,5°Cero MPD

Descrición curta:

O substrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N, de 4 polgadas cunha orientación 〈111〉± 0,5° e grao Zero MPD (microdefecto de tubo), é un material semicondutor de alto rendemento deseñado para a fabricación de dispositivos electrónicos avanzados. Coñecido pola súa excelente condutividade térmica, alta tensión de ruptura e forte resistencia ás altas temperaturas e á corrosión, este substrato é ideal para aplicacións de electrónica de potencia e RF. O grao Zero MPD garante defectos mínimos, o que garante a fiabilidade e a estabilidade en dispositivos de alto rendemento. A súa orientación precisa 〈111〉± 0,5° permite unha aliñación precisa durante a fabricación, o que o fai axeitado para procesos de fabricación a grande escala. Este substrato úsase amplamente en dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta tensión e alta frecuencia, como convertidores de potencia, inversores e compoñentes de RF.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas do produto

Táboa de parámetros comúns de substratos compostos de SiC tipo 4H/6H-P

4 silicio de diámetro en polgadasSubstrato de carburo (SiC) Especificación

Grao			Produción cero de MPD Grao (Z) Grao)	Produción estándar Grao (P Grao)	Grao de simulación (D Grao)
Diámetro			99,5 mm~100,0 mm
Espesor			350 μm ± 25 μm
Orientación da oblea			Fóra do eixe: 2,0°-4,0° cara a [112(-)0] ± 0,5° para 4H/6H-P, Oeixe n: 〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidade de microtubos			0 cm-2
Resistividade	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωcm		≤0,3 Ωcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩ·cm		≤1 m Ωcm
Orientación plana primaria		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Lonxitude plana primaria			32,5 mm ± 2,0 mm
Lonxitude plana secundaria			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria			Cara de silicona cara arriba: 90° no sentido horario desde o plano Prime±5,0°
Exclusión de bordos			3 milímetros		6 milímetros
LTV/TTV/Arco/Deformación			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosidade			Ra ≤1 nm para o pulido
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Gretas nos bordos por luz de alta intensidade			Ningún		Lonxitude acumulada ≤ 10 mm, lonxitude única ≤ 2 mm
Placas hexagonais por luz de alta intensidade			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤0,1%
Áreas politípicas por luz de alta intensidade			Ningún		Área acumulada ≤3%
Inclusións visuais de carbono			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Rasgaduras na superficie de silicio por luz de alta intensidade			Ningún		Lonxitude acumulada ≤1 × diámetro da oblea
Chips de bordo de alta intensidade por luz			Non se permite ningún ancho e fondo ≥0,2 mm		5 permitidos, ≤1 mm cada un
Contaminación da superficie do silicio por alta intensidade			Ningún
Envasado			Casete multi-obleas ou recipiente de oblea única

Notas:

※Os límites de defectos aplícanse a toda a superficie da oblea, agás á área de exclusión do bordo. # Os arañazos deben comprobarse só na cara de Si.

O substrato de SiC de 4 polgadas tipo P 4H/6H-P 3C-N con orientación 〈111〉± 0,5° e grao MPD cero úsase amplamente en aplicacións electrónicas de alto rendemento. A súa excelente condutividade térmica e a súa alta tensión de ruptura fan que sexa ideal para electrónica de potencia, como interruptores de alta tensión, inversores e convertidores de potencia, que funcionan en condicións extremas. Ademais, a resistencia do substrato ás altas temperaturas e á corrosión garante un rendemento estable en ambientes agresivos. A orientación precisa 〈111〉± 0,5° mellora a precisión da fabricación, o que o fai axeitado para dispositivos de RF e aplicacións de alta frecuencia, como sistemas de radar e equipos de comunicación sen fíos.

As vantaxes dos substratos compostos de SiC de tipo N inclúen:

1. Alta condutividade térmica: disipación eficiente da calor, o que o fai axeitado para ambientes de alta temperatura e aplicacións de alta potencia.
2. Alta tensión de ruptura: garante un rendemento fiable en aplicacións de alta tensión como convertidores de potencia e inversores.
3. Grao MPD (microdefectos de tubaxes) cero: garante defectos mínimos, o que proporciona estabilidade e alta fiabilidade en dispositivos electrónicos críticos.
4. Resistencia á corrosión: Duradeiro en ambientes agresivos, o que garante unha funcionalidade a longo prazo en condicións esixentes.
5. Orientación precisa de 〈111〉± 0,5°: permite unha aliñación precisa durante a fabricación, o que mellora o rendemento do dispositivo en aplicacións de alta frecuencia e RF.

En xeral, o substrato de SiC de 4 polgadas tipo P 4H/6H-P 3C-N con orientación 〈111〉± 0,5° e grao Zero MPD é un material de alto rendemento ideal para aplicacións electrónicas avanzadas. A súa excelente condutividade térmica e a súa alta tensión de ruptura fan que sexa perfecto para electrónica de potencia como interruptores de alta tensión, inversores e convertidores. O grao Zero MPD garante defectos mínimos, o que proporciona fiabilidade e estabilidade en dispositivos críticos. Ademais, a resistencia do substrato á corrosión e ás altas temperaturas garante a durabilidade en ambientes agresivos. A orientación precisa 〈111〉± 0,5° permite unha aliñación precisa durante a fabricación, o que o fai moi axeitado para dispositivos de RF e aplicacións de alta frecuencia.