Tipo p 4H/6H-P 3C-N TIPO SIC substrato 4 polgadas 〈111〉± 0,5°Zero MPD

Breve descrición:

O substrato de SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N, de 4 polgadas cunha orientación 〈111〉± 0,5° e grao cero MPD (defecto microtubo), é un material semicondutor de alto rendemento deseñado para dispositivos electrónicos avanzados. fabricación. Coñecido pola súa excelente condutividade térmica, alta tensión de avaría e gran resistencia ás altas temperaturas e á corrosión, este substrato é ideal para aplicacións de electrónica de potencia e RF. O grao Zero MPD garante defectos mínimos, garantindo fiabilidade e estabilidade en dispositivos de alto rendemento. A súa orientación precisa de 〈111〉± 0,5° permite un aliñamento preciso durante a fabricación, o que o fai adecuado para procesos de fabricación a gran escala. Este substrato úsase amplamente en dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta tensión e alta frecuencia, como conversores de enerxía, inversores e compoñentes de RF.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

4H/6H-P Tipo SiC Substratos compostos Táboa de parámetros comúns

4 silicio de diámetro en polgadasSubstrato de carburo (SiC). Especificación

Grao			Produción de MPD cero Grao (Z Grao)	Produción estándar Grao (P Grao)	Grao Dummy (D Grao)
Diámetro			99,5 mm~100,0 mm
Espesor			350 μm ± 25 μm
Orientación de obleas			Fóra do eixe: 2,0°-4,0° cara a [112(-)0] ± 0,5° para 4H/6H-P, OEixe n:〈111〉± 0,5° para 3C-N
Densidade de microtubo			0 cm-2
Resistividade	tipo p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	tipo n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Orientación primaria de piso		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Lonxitude plana primaria			32,5 mm ± 2,0 mm
Lonxitude plana secundaria			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientación de piso secundario			Silicona cara arriba: 90° CW. de Prime flat±5,0°
Exclusión de borde			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bow/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosidade			Ra≤1 nm polaco
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra ≤ 0,5 nm
Rachaduras de borde pola luz de alta intensidade			Ningún		Lonxitude acumulada ≤ 10 mm, lonxitude única ≤ 2 mm
Placas hexagonales por luz de alta intensidade			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤0,1%
Zonas politípicas por luz de alta intensidade			Ningún		Área acumulada ≤ 3 %
Inclusións de carbono visual			Área acumulada ≤0,05%		Área acumulada ≤3%
Arañazos na superficie de silicio por luz de alta intensidade			Ningún		Lonxitude acumulada ≤ 1 × diámetro da oblea
Chips de borde de alta intensidade de luz			Non se permite ningún ≥0,2 mm de ancho e profundidade		5 permitidos, ≤1 mm cada un
Contaminación da superficie de silicio por alta intensidade			Ningún
Embalaxe			Casete de obleas múltiples ou recipiente de obleas simples

Notas:

※Os límites de defectos aplícanse a toda a superficie da oblea, excepto á zona de exclusión do bordo. # Os arañazos deben comprobarse só na cara Si.

O substrato SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 polgadas con orientación 〈111〉± 0,5° e grao cero MPD úsase amplamente en aplicacións electrónicas de alto rendemento. A súa excelente condutividade térmica e a súa alta tensión de ruptura fan que sexa ideal para a electrónica de potencia, como interruptores de alta tensión, inversores e conversores de potencia, que operan en condicións extremas. Ademais, a resistencia do substrato ás altas temperaturas e á corrosión garante un rendemento estable en ambientes duros. A orientación precisa 〈111〉± 0,5° mellora a precisión de fabricación, polo que é adecuada para dispositivos de RF e aplicacións de alta frecuencia, como sistemas de radar e equipos de comunicación sen fíos.

As vantaxes dos substratos compostos de SiC de tipo N inclúen:

1. Alta condutividade térmica: disipación de calor eficiente, polo que é adecuada para ambientes de alta temperatura e aplicacións de alta potencia.
2. Alta tensión de avaría: garante un rendemento fiable en aplicacións de alta tensión como conversores e inversores de enerxía.
3. Grao MPD (Micro Pipe Defect) cero: garante defectos mínimos, proporcionando estabilidade e alta fiabilidade en dispositivos electrónicos críticos.
4. Resistencia á corrosión: duradeiro en ambientes duros, garantindo unha funcionalidade a longo prazo en condicións esixentes.
5. Orientación precisa 〈111〉± 0,5°: Permite un aliñamento preciso durante a fabricación, mellorando o rendemento do dispositivo en aplicacións de alta frecuencia e RF.

En xeral, o substrato SiC tipo P 4H/6H-P 3C-N de 4 polgadas con orientación 〈111〉± 0,5° e grao MPD cero é un material de alto rendemento ideal para aplicacións electrónicas avanzadas. A súa excelente condutividade térmica e a súa alta tensión de avaría fan que sexa perfecto para produtos electrónicos de potencia como interruptores de alta tensión, inversores e conversores. O grao Zero MPD garante defectos mínimos, proporcionando fiabilidade e estabilidade en dispositivos críticos. Ademais, a resistencia do substrato á corrosión e ás altas temperaturas garante a durabilidade en ambientes duros. A orientación precisa de 〈111〉± 0,5° permite un aliñamento preciso durante a fabricación, polo que é moi adecuado para dispositivos de RF e aplicacións de alta frecuencia.