Resumo da oblea de SiC
As obleas de carburo de silicio (SiC) convertéronse no substrato preferido para a electrónica de alta potencia, alta frecuencia e alta temperatura nos sectores da automoción, as enerxías renovables e a aeroespacial. A nosa carteira abrangue politipos e esquemas de dopado clave (4H dopado con nitróxeno, 4H-N), semiillante de alta pureza (HPSI), 3C dopado con nitróxeno (3C-N) e 4H/6H de tipo p (4H/6H-P), que se ofrecen en tres graos de calidade: PRIME (substratos totalmente pulidos e de grao de dispositivo), DUMMY (lapeado ou sen pulir para probas de procesos) e RESEARCH (capas epidérmicas personalizadas e perfís de dopado para I+D). Os diámetros das obleas abarcan 2″, 4″, 6″, 8″ e 12″ para adaptarse tanto a ferramentas antigas como a fábricas avanzadas. Tamén subministramos bólas monocristalinas e cristais semente orientados con precisión para soportar o crecemento de cristais interno.
As nosas obleas 4H-N presentan densidades de portador de 1×10¹⁶ a 1×10¹⁹ cm⁻³ e resistividades de 0,01–10 Ω·cm, o que ofrece unha excelente mobilidade de electróns e campos de ruptura superiores a 2 MV/cm, o que resulta ideal para díodos Schottky, MOSFET e JFET. Os substratos HPSI superan unha resistividade de 1×10¹² Ω·cm con densidades de microtubos inferiores a 0,1 cm⁻², o que garante unhas fugas mínimas para dispositivos de RF e microondas. Cubic 3C-N, dispoñible en formatos de 2″ e 4″, permite a heteroepitaxia en silicio e admite novas aplicacións fotónicas e MEMS. As obleas 4H/6H-P de tipo P, dopadas con aluminio a 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, facilitan arquitecturas de dispositivos complementarias.
As obleas PRIME sométense a un pulido químico-mecánico ata unha rugosidade superficial de <0,2 nm RMS, unha variación de grosor total inferior a 3 µm e unha curvatura <10 µm. Os substratos DUMMY aceleran as probas de montaxe e empaquetado, mentres que as obleas RESEARCH presentan grosores de epicapa de 2 a 30 µm e dopado a medida. Todos os produtos están certificados por difracción de raios X (curva de oscilación <30 segundos de arco) e espectroscopia Raman, con probas eléctricas (medicións Hall, perfís C-V e dixitalización de microtubos) que garanten o cumprimento das normas JEDEC e SEMI.
Cultívanse bólas de ata 150 mm de diámetro mediante PVT e CVD con densidades de dislocacións inferiores a 1×10³ cm⁻² e un baixo número de microtubos. Os cristais de semente córtanse a 0,1° do eixe c para garantir un crecemento reproducible e un alto rendemento de corte.
Ao combinar múltiples politipos, variantes de dopado, graos de calidade, tamaños de obleas e produción interna de cristal semente e bólas, a nosa plataforma de substratos de SiC simplifica as cadeas de subministración e acelera o desenvolvemento de dispositivos para vehículos eléctricos, redes intelixentes e aplicacións en ambientes hostiles.
Resumo da oblea de SiC
As obleas de carburo de silicio (SiC) convertéronse no substrato preferido para a electrónica de alta potencia, alta frecuencia e alta temperatura nos sectores da automoción, as enerxías renovables e a aeroespacial. A nosa carteira abrangue politipos e esquemas de dopado clave (4H dopado con nitróxeno, 4H-N), semiillante de alta pureza (HPSI), 3C dopado con nitróxeno (3C-N) e 4H/6H de tipo p (4H/6H-P), que se ofrecen en tres graos de calidade: PRIME (substratos totalmente pulidos e de grao de dispositivo), DUMMY (lapeado ou sen pulir para probas de procesos) e RESEARCH (capas epidérmicas personalizadas e perfís de dopado para I+D). Os diámetros das obleas abarcan 2″, 4″, 6″, 8″ e 12″ para adaptarse tanto a ferramentas antigas como a fábricas avanzadas. Tamén subministramos bólas monocristalinas e cristais semente orientados con precisión para soportar o crecemento de cristais interno.
As nosas obleas 4H-N presentan densidades de portador de 1×10¹⁶ a 1×10¹⁹ cm⁻³ e resistividades de 0,01–10 Ω·cm, o que ofrece unha excelente mobilidade de electróns e campos de ruptura superiores a 2 MV/cm, o que resulta ideal para díodos Schottky, MOSFET e JFET. Os substratos HPSI superan unha resistividade de 1×10¹² Ω·cm con densidades de microtubos inferiores a 0,1 cm⁻², o que garante unhas fugas mínimas para dispositivos de RF e microondas. Cubic 3C-N, dispoñible en formatos de 2″ e 4″, permite a heteroepitaxia en silicio e admite novas aplicacións fotónicas e MEMS. As obleas 4H/6H-P de tipo P, dopadas con aluminio a 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, facilitan arquitecturas de dispositivos complementarias.
As obleas PRIME sométense a un pulido químico-mecánico ata unha rugosidade superficial de <0,2 nm RMS, unha variación de grosor total inferior a 3 µm e unha curvatura <10 µm. Os substratos DUMMY aceleran as probas de montaxe e empaquetado, mentres que as obleas RESEARCH presentan grosores de epicapa de 2 a 30 µm e dopado a medida. Todos os produtos están certificados por difracción de raios X (curva de oscilación <30 segundos de arco) e espectroscopia Raman, con probas eléctricas (medicións Hall, perfís C-V e dixitalización de microtubos) que garanten o cumprimento das normas JEDEC e SEMI.
Cultívanse bólas de ata 150 mm de diámetro mediante PVT e CVD con densidades de dislocacións inferiores a 1×10³ cm⁻² e un baixo número de microtubos. Os cristais de semente córtanse a 0,1° do eixe c para garantir un crecemento reproducible e un alto rendemento de corte.
Ao combinar múltiples politipos, variantes de dopado, graos de calidade, tamaños de obleas e produción interna de cristal semente e bólas, a nosa plataforma de substratos de SiC simplifica as cadeas de subministración e acelera o desenvolvemento de dispositivos para vehículos eléctricos, redes intelixentes e aplicacións en ambientes hostiles.
Imaxe da oblea de SiC
Ficha técnica da oblea de SiC tipo 4H-N de 6 polgadas
| Folla de datos de obleas de SiC de 6 polgadas | ||||
| Parámetro | Subparámetro | Grao Z | Grao P | Grao D |
| Diámetro | 149,5–150,0 mm | 149,5–150,0 mm | 149,5–150,0 mm | |
| Espesor | 4H-N | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Espesor | 4H-SI | 500 µm ± 15 µm | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| Orientación da oblea | Fóra do eixe: 4,0° cara a <11-20> ±0,5° (4H-N); No eixe: <0001> ±0,5° (4H-SI) | Fóra do eixe: 4,0° cara a <11-20> ±0,5° (4H-N); No eixe: <0001> ±0,5° (4H-SI) | Fóra do eixe: 4,0° cara a <11-20> ±0,5° (4H-N); No eixe: <0001> ±0,5° (4H-SI) | |
| Densidade de microtubos | 4H-N | ≤ 0,2 cm⁻² | ≤ 2 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Densidade de microtubos | 4H-SI | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| resistividade | 4H-N | 0,015–0,024 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm |
| resistividade | 4H-SI | ≥ 1×10¹⁰ Ω·cm | ≥ 1×10⁵ Ω·cm | |
| Orientación plana primaria | [10-10] ± 5,0° | [10-10] ± 5,0° | [10-10] ± 5,0° | |
| Lonxitude plana primaria | 4H-N | 47,5 mm ± 2,0 mm | ||
| Lonxitude plana primaria | 4H-SI | Muesca | ||
| Exclusión de bordos | 3 milímetros | |||
| Urdime/LTV/TTV/Arco | ≤2,5 µm / ≤6 µm / ≤25 µm / ≤35 µm | ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm | ||
| Rugosidade | Polaco | Ra ≤ 1 nm | ||
| Rugosidade | CMP | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | |
| Gretas nos bordos | Ningún | Lonxitude acumulada ≤ 20 mm, individual ≤ 2 mm | ||
| Placas hexagonais | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 0,1% | Área acumulada ≤ 1% | |
| Áreas de politipo | Ningún | Área acumulada ≤ 3% | Área acumulada ≤ 3% | |
| Inclusións de carbono | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 3% | ||
| Rasgaduras superficiais | Ningún | Lonxitude acumulada ≤ 1 × diámetro da oblea | ||
| Chips de bordo | Non se permite ningún ≥ 0,2 mm de ancho e fondo | Ata 7 fichas, ≤ 1 mm cada unha | ||
| TSD (Dislocación do parafuso roscado) | ≤ 500 cm⁻² | N/D | ||
| BPD (Dislocación do Plano Base) | ≤ 1000 cm⁻² | N/D | ||
| Contaminación superficial | Ningún | |||
| Envasado | Casete de varias obleas ou recipiente dunha soa oblea | Casete de varias obleas ou recipiente dunha soa oblea | Casete de varias obleas ou recipiente dunha soa oblea | |
Folla de datos da oblea de SiC tipo 4H-N de 4 polgadas
| Folla de datos dunha oblea de SiC de 4 polgadas | |||
| Parámetro | Produción cero de MPD | Grao de produción estándar (grao P) | Grao de simulación (Grao D) |
| Diámetro | 99,5 mm–100,0 mm | ||
| Espesor (4H-N) | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm | |
| Espesor (4H-Si) | 500 µm ± 15 µm | 500 µm ± 25 µm | |
| Orientación da oblea | Fóra do eixe: 4,0° cara a <1120> ±0,5° para 4H-N; No eixe: <0001> ±0,5° para 4H-Si | ||
| Densidade de microtubos (4H-N) | ≤0,2 cm⁻² | ≤2 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Densidade de microtubos (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Resistividade (4H-N) | 0,015–0,024 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm | |
| Resistividade (4H-Si) | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Orientación plana primaria | [10-10] ±5,0° | ||
| Lonxitude plana primaria | 32,5 mm ±2,0 mm | ||
| Lonxitude plana secundaria | 18,0 mm ±2,0 mm | ||
| Orientación plana secundaria | Cara de silicona cara arriba: 90° no sentido horario desde o plano principal ±5,0° | ||
| Exclusión de bordos | 3 milímetros | ||
| LTV/TTV/Deformación de arco | ≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Rugosidade | Ra do pulido ≤1 nm; Ra do CMP ≤0,2 nm | Ra ≤0,5 nm | |
| Gretas nos bordos por luz de alta intensidade | Ningún | Ningún | Lonxitude acumulada ≤10 mm; lonxitude única ≤2 mm |
| Placas hexagonais por luz de alta intensidade | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤0,1% |
| Áreas politípicas por luz de alta intensidade | Ningún | Área acumulada ≤3% | |
| Inclusións visuais de carbono | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤3% | |
| Rasgaduras na superficie de silicio por luz de alta intensidade | Ningún | Lonxitude acumulada ≤1 diámetro da oblea | |
| Chips de bordo por luz de alta intensidade | Non se permite ningún ancho e fondo ≥0,2 mm | 5 permitidos, ≤1 mm cada un | |
| Contaminación da superficie de silicio por luz de alta intensidade | Ningún | ||
| Luxación do parafuso de rosca | ≤500 cm⁻² | N/D | |
| Envasado | Casete de varias obleas ou recipiente dunha soa oblea | Casete de varias obleas ou recipiente dunha soa oblea | Casete de varias obleas ou recipiente dunha soa oblea |
Folla de datos da oblea de SiC tipo HPSI de 4 polgadas
| Folla de datos da oblea de SiC tipo HPSI de 4 polgadas | |||
| Parámetro | Grao de produción MPD cero (grao Z) | Grao de produción estándar (grao P) | Grao de simulación (Grao D) |
| Diámetro | 99,5–100,0 mm | ||
| Espesor (4H-Si) | 500 µm ±20 µm | 500 µm ±25 µm | |
| Orientación da oblea | Fóra do eixe: 4,0° cara a <11-20> ±0,5° para 4H-N; No eixe: <0001> ±0,5° para 4H-Si | ||
| Densidade de microtubos (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Resistividade (4H-Si) | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Orientación plana primaria | (10-10) ±5,0° | ||
| Lonxitude plana primaria | 32,5 mm ±2,0 mm | ||
| Lonxitude plana secundaria | 18,0 mm ±2,0 mm | ||
| Orientación plana secundaria | Cara de silicona cara arriba: 90° no sentido horario desde o plano principal ±5,0° | ||
| Exclusión de bordos | 3 milímetros | ||
| LTV/TTV/Deformación de arco | ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Rugosidade (cara C) | Polaco | Ra ≤1 nm | |
| Rugosidade (cara de Si) | CMP | Ra ≤0,2 nm | Ra ≤0,5 nm |
| Gretas nos bordos por luz de alta intensidade | Ningún | Lonxitude acumulada ≤10 mm; lonxitude única ≤2 mm | |
| Placas hexagonais por luz de alta intensidade | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤0,1% |
| Áreas politípicas por luz de alta intensidade | Ningún | Área acumulada ≤3% | |
| Inclusións visuais de carbono | Área acumulada ≤0,05% | Área acumulada ≤3% | |
| Rasgaduras na superficie de silicio por luz de alta intensidade | Ningún | Lonxitude acumulada ≤1 diámetro da oblea | |
| Chips de bordo por luz de alta intensidade | Non se permite ningún ancho e fondo ≥0,2 mm | 5 permitidos, ≤1 mm cada un | |
| Contaminación da superficie de silicio por luz de alta intensidade | Ningún | Ningún | |
| Luxación do parafuso de rosca | ≤500 cm⁻² | N/D | |
| Envasado | Casete de varias obleas ou recipiente dunha soa oblea | ||
Data de publicación: 30 de xuño de 2025