Noticias
-
Tantalato de litio de película fina (LTOI): o próximo material estrela para moduladores de alta velocidade?
O material de tantalato de litio de película fina (LTOI) está a emerxer como unha nova forza significativa no campo da óptica integrada. Este ano, publicáronse varios traballos de alto nivel sobre moduladores LTOI, con obleas LTOI de alta calidade proporcionadas polo profesor Xin Ou do Instituto de Shanghai...Ler máis -
Coñecemento profundo do sistema SPC na fabricación de obleas
O SPC (Control Estatístico de Procesos) é unha ferramenta crucial no proceso de fabricación de obleas, que se emprega para monitorizar, controlar e mellorar a estabilidade das distintas etapas da fabricación. 1. Visión xeral do sistema SPC O SPC é un método que utiliza esta...Ler máis -
Por que se realiza a epitaxia nun substrato de oblea?
O crecemento dunha capa adicional de átomos de silicio nun substrato de oblea de silicio ten varias vantaxes: nos procesos de silicio CMOS, o crecemento epitaxial (EPI) no substrato da oblea é un paso crítico do proceso. 1. Mellorar a calidade do cristal...Ler máis -
Principios, procesos, métodos e equipos para a limpeza de obleas
A limpeza húmida (Wet Clean) é un dos pasos críticos nos procesos de fabricación de semicondutores, destinado a eliminar diversos contaminantes da superficie da oblea para garantir que os pasos posteriores do proceso se poidan realizar sobre unha superficie limpa. ...Ler máis -
A relación entre os planos cristalinos e a orientación cristalina.
Os planos cristalinos e a orientación cristalina son dous conceptos fundamentais en cristalografía, estreitamente relacionados coa estrutura cristalina na tecnoloxía de circuítos integrados baseados en silicio. 1. Definición e propiedades da orientación cristalina A orientación cristalina representa unha dirección específica...Ler máis -
Cales son as vantaxes dos procesos de vía a través do vidro (TGV) e vía a través do silicio, TSV (TSV) sobre o TGV?
As vantaxes dos procesos de vía a través do vidro (TGV) e vía a través do silicio (TSV) sobre a TGV son principalmente: (1) excelentes características eléctricas de alta frecuencia. O material de vidro é un material illante, a constante dieléctrica é só aproximadamente 1/3 da do material de silicio e o factor de perda é de 2-...Ler máis -
Aplicacións de substratos de carburo de silicio condutores e semiillados
O substrato de carburo de silicio divídese en tipo semiillante e tipo condutor. Na actualidade, a especificación principal dos produtos de substrato de carburo de silicio semiillado é de 4 polgadas. No carburo de silicio condutor...Ler máis -
Tamén hai diferenzas na aplicación de obleas de zafiro con diferentes orientacións cristalinas?
O zafiro é un monocristal de alúmina, pertence ao sistema cristalino tripartito, estrutura hexagonal, a súa estrutura cristalina está composta por tres átomos de osíxeno e dous átomos de aluminio en tipo de enlace covalente, dispostos moi xuntos, cunha forte cadea de enlace e enerxía de rede, mentres que o seu cristal inte...Ler máis -
Cal é a diferenza entre un substrato condutor de SiC e un substrato semiillado?
O dispositivo de carburo de silicio SiC refírese ao dispositivo feito de carburo de silicio como materia prima. Segundo as diferentes propiedades de resistencia, divídese en dispositivos de alimentación de carburo de silicio condutor e dispositivos de radiofrecuencia de carburo de silicio semiillados. As principais formas do dispositivo e...Ler máis -
Un artigo lévate a ser un mestre do TGV
Que é a TGV? TGV (vía a través do vidro), unha tecnoloxía para crear orificios pasantes nun substrato de vidro. En termos sinxelos, a TGV é un edificio de gran altura que perfora, enche e conecta arriba e abaixo o vidro para construír circuítos integrados no chan de vidro...Ler máis -
Cales son os indicadores da avaliación da calidade da superficie das obleas?
Co desenvolvemento continuo da tecnoloxía dos semicondutores, na industria dos semicondutores e mesmo na industria fotovoltaica, os requisitos para a calidade superficial do substrato da oblea ou da folla epitaxial tamén son moi estritos. Entón, cales son os requisitos de calidade para...Ler máis -
Canto sabes sobre o proceso de crecemento de monocristais de SiC?
O carburo de silicio (SiC), como un tipo de material semicondutor de banda ancha, desempeña un papel cada vez máis importante na aplicación da ciencia e a tecnoloxía modernas. O carburo de silicio ten unha excelente estabilidade térmica, unha alta tolerancia ao campo eléctrico, unha condutividade intencional e...Ler máis