Niobato de litio sobre illante (LNOI): impulsando o avance dos circuítos integrados fotónicos

Introdución

Inspirado polo éxito dos circuítos integrados electrónicos (EIC), o campo dos circuítos integrados fotónicos (PIC) evolucionou desde a súa creación en 1969. Non obstante, a diferenza dos EIC, o desenvolvemento dunha plataforma universal capaz de soportar diversas aplicacións fotónicas segue a ser un desafío importante. Este artigo explora a tecnoloxía emerxente de niobato de litio sobre illante (LNOI), que se converteu rapidamente nunha solución prometedora para os PIC de próxima xeración.


O auxe da tecnoloxía LNOI

O niobato de litio (LN) foi recoñecido durante moito tempo como un material clave para aplicacións fotónicas. Non obstante, só coa chegada da LNOI de película fina e as técnicas avanzadas de fabricación se liberou todo o seu potencial. Os investigadores demostraron con éxito guías de onda de cristas de perdas ultrabaxas e microresonadores de Q ultraalto en plataformas LNOI [1], o que supón un salto significativo na fotónica integrada.


Principais vantaxes da tecnoloxía LNOI

  • Perda óptica ultrabaixa(tan baixo como 0,01 dB/cm)
  • Estruturas nanofotónicas de alta calidade
  • Soporte para diversos procesos ópticos non lineais
  • Sintonización electroóptica (EO) integrada

Procesos ópticos non lineais en LNOI

As estruturas nanofotónicas de alto rendemento fabricadas na plataforma LNOI permiten a realización de procesos ópticos non lineais clave cunha eficiencia notable e unha potencia de bombeo mínima. Os procesos demostrados inclúen:

  • Segunda xeración harmónica (SHG)
  • Xeración de frecuencias de suma (SFG)
  • Xeración de frecuencia diferencial (DFG)
  • Conversión paramétrica descendente (PDC)
  • Mestura de catro ondas (FWM)

Implementáronse varios esquemas de coincidencia de fases para optimizar estes procesos, o que establece a LNOI como unha plataforma óptica non lineal altamente versátil.


Dispositivos integrados electroópticamente sintonizables

A tecnoloxía LNOI tamén permitiu o desenvolvemento dunha ampla gama de dispositivos fotónicos sintonizables activos e pasivos, como:

  • Moduladores ópticos de alta velocidade
  • PICs multifuncionais reconfigurables
  • Peites de frecuencia sintonizables
  • Resortes microoptomecánicos

Estes dispositivos aproveitan as propiedades intrínsecas de EO do niobato de litio para lograr un control preciso e de alta velocidade dos sinais luminosos.


Aplicacións prácticas da fotónica LNOI

Os PIC baseados en LNOI están a ser adoptados nun número crecente de aplicacións prácticas, incluíndo:

  • Conversores de microondas a óptico
  • Sensores ópticos
  • Espectrómetros en chip
  • Peites de frecuencia ópticos
  • Sistemas de telecomunicacións avanzados

Estas aplicacións demostran o potencial do LNOI para igualar o rendemento dos compoñentes ópticos a granel, ao tempo que ofrece solucións escalables e enerxeticamente eficientes mediante a fabricación fotolitográfica.


Desafíos actuais e direccións futuras

Malia os seus prometedores progresos, a tecnoloxía LNOI enfróntase a varios obstáculos técnicos:

a) Redución adicional da perda óptica
A perda de corrente na guía de ondas (0,01 dB/cm) segue sendo unha orde de magnitude superior ao límite de absorción do material. Necesítanse avances nas técnicas de corte de ións e na nanofabricación para reducir a rugosidade superficial e os defectos relacionados coa absorción.

b) Control mellorado da xeometría da guía de ondas
Habilitar guías de onda de menos de 700 nm e intervalos de acoplamento de menos de 2 μm sen sacrificar a repetibilidade nin aumentar a perda de propagación é crucial para unha maior densidade de integración.

c) Mellora da eficiencia do acoplamento
Aínda que as fibras cónicas e os convertidores de modo axudan a conseguir unha alta eficiencia de acoplamento, os revestimentos antirreflexo poden mitigar aínda máis as reflexións na interface aire-material.

d) Desenvolvemento de compoñentes de polarización de baixa perda
Os dispositivos fotónicos insensibles á polarización en LNOI son esenciais e requiren compoñentes que coincidan co rendemento dos polarizadores de espazo libre.

e) Integración da electrónica de control
A integración eficaz de electrónica de control a grande escala sen degradar o rendemento óptico é unha dirección de investigación clave.

f) Enxeñaría avanzada de adaptación de fases e dispersión
A creación de padrones de dominios fiables a unha resolución submicrónica é vital para a óptica non lineal, pero segue sendo unha tecnoloxía inmatura na plataforma LNOI.

g) Compensación por defectos de fabricación
As técnicas para mitigar os cambios de fase causados ​​por cambios ambientais ou variacións de fabricación son esenciais para a implementación no mundo real.

h) Acoplamento multichip eficiente
Abordar o acoplamento eficiente entre varios chips LNOI é necesario para escalar máis alá dos límites de integración dunha soa oblea.


Integración monolítica de compoñentes activos e pasivos

Un desafío fundamental para os PIC de LNOI é a integración monolítica rendible de compoñentes activos e pasivos como:

  • Láseres
  • Detectores
  • Conversores de lonxitude de onda non lineais
  • Moduladores
  • Multiplexores/Desmultiplexores

As estratexias actuais inclúen:

a) Dopaxe iónica de LNOI:
O dopaxe selectivo de ións activos en rexións designadas pode dar lugar a fontes de luz no chip.

b) Ligazón e integración heteroxénea:
A unión de PIC LNOI pasivos prefabricados con capas de LNOI dopadas ou láseres III-V proporciona unha vía alternativa.

c) Fabricación de obleas LNOI híbridas activas/pasivas:
Un enfoque innovador implica a unión de obleas de LN dopadas e non dopadas antes do corte iónico, o que resulta en obleas de LNOI con rexións activas e pasivas.

Figura 1ilustra o concepto de PIC activos/pasivos integrados híbridos, onde un único proceso litográfico permite a aliñación e integración perfectas de ambos os tipos de compoñentes.

LNOI


Integración de fotodetectores

A integración de fotodetectores en PIC baseados en LNOI é outro paso crucial cara a sistemas totalmente funcionais. Están a investigarse dúas abordaxes principais:

a) Integración heteroxénea:
As nanoestruturas semicondutoras poden acoplarse transitoriamente a guías de onda LNOI. Non obstante, aínda se precisan melloras na eficiencia da detección e na escalabilidade.

b) Conversión de lonxitude de onda non lineal:
As propiedades non lineais do LN permiten a conversión de frecuencia dentro das guías de onda, o que permite o uso de fotodetectores de silicio estándar independentemente da lonxitude de onda de funcionamento.


Conclusión

O rápido avance da tecnoloxía LNOI achega á industria unha plataforma PIC universal capaz de servir a unha ampla gama de aplicacións. Ao abordar os desafíos existentes e impulsar as innovacións na integración monolítica e de detectores, os PIC baseados en LNOI teñen o potencial de revolucionar campos como as telecomunicacións, a información cuántica e a detección.

O LNOI promete cumprir a visión de longa data dos PIC escalables, igualando o éxito e o impacto dos EIC. Os esforzos continuos de I+D, como os da Plataforma de Procesos Fotónicos de Nanjing e a Plataforma de Deseño XiaoyaoTech, serán fundamentais para dar forma ao futuro da fotónica integrada e desbloquear novas posibilidades en todos os dominios tecnolóxicos.


Data de publicación: 18 de xullo de 2025