Noticias
-
Equipo de corte láser de alta precisión para obleas de SiC de 8 polgadas: a tecnoloxía central para o futuro procesamento de obleas de SiC
O carburo de silicio (SiC) non só é unha tecnoloxía fundamental para a defensa nacional, senón tamén un material fundamental para as industrias automobilística e enerxética globais. Como primeiro paso crítico no procesamento de monocristais de SiC, o corte de obleas determina directamente a calidade do adelgazamento e pulido posteriores. Tr...Ler máis -
Lentes de RA de guía de ondas de carburo de silicio de grao óptico: preparación de substratos semiillantes de alta pureza
No contexto da revolución da IA, as lentes de realidade aumentada (RA) están a entrar gradualmente na conciencia pública. Como paradigma que combina á perfección os mundos virtuais e reais, as lentes de realidade aumentada (RA) diferéncianse dos dispositivos de realidade virtual ao permitir que os usuarios perciban tanto imaxes proxectadas dixitalmente como a luz ambiental...Ler máis -
Crecemento heteroepitaxial de 3C-SiC en substratos de silicio con diferentes orientacións
1. Introdución Malia décadas de investigación, o 3C-SiC heteroepitaxial cultivado en substratos de silicio aínda non acadou unha calidade cristalina suficiente para aplicacións electrónicas industriais. O crecemento realízase normalmente en substratos de Si(100) ou Si(111), e cada un presenta desafíos distintos: desintegración en antifase...Ler máis -
Cerámica de carburo de silicio vs. semicondutores Carburo de silicio: o mesmo material con dous destinos distintos
O carburo de silicio (SiC) é un composto extraordinario que se pode atopar tanto na industria dos semicondutores como nos produtos cerámicos avanzados. Isto adoita levar a confusión entre os profanos, que poden confundilos co mesmo tipo de produto. En realidade, aínda que comparten unha composición química idéntica, o SiC maniféstase...Ler máis -
Avances nas tecnoloxías de preparación de cerámica de carburo de silicio de alta pureza
As cerámicas de carburo de silicio (SiC) de alta pureza convertéronse en materiais ideais para compoñentes críticos nas industrias de semicondutores, aeroespacial e química debido á súa excepcional condutividade térmica, estabilidade química e resistencia mecánica. Coas crecentes demandas de materiais de alto rendemento e baixa polarización...Ler máis -
Principios técnicos e procesos das obleas epitaxiais de LED
A partir do principio de funcionamento dos LED, é evidente que o material da oblea epitaxial é o compoñente central dun LED. De feito, os parámetros optoelectrónicos clave, como a lonxitude de onda, o brillo e a tensión directa, están determinados en gran medida polo material epitaxial. Tecnoloxía e equipamento de obleas epitaxiales...Ler máis -
Consideracións clave para a preparación de monocristais de carburo de silicio de alta calidade
Os principais métodos para a preparación de monocristais de silicio inclúen: transporte físico de vapor (PVT), crecemento de solución na parte superior (TSSG) e deposición química de vapor a alta temperatura (HT-CVD). Entre estes, o método PVT é amplamente adoptado na produción industrial debido á súa sinxeleza de equipamento, facilidade de...Ler máis -
Niobato de litio sobre illante (LNOI): impulsando o avance dos circuítos integrados fotónicos
Introdución Inspirado polo éxito dos circuítos integrados electrónicos (EIC), o campo dos circuítos integrados fotónicos (PIC) evolucionou desde a súa creación en 1969. Non obstante, a diferenza dos EIC, o desenvolvemento dunha plataforma universal capaz de soportar diversas aplicacións fotónicas segue sendo...Ler máis -
Consideracións clave para a produción de monocristais de carburo de silicio (SiC) de alta calidade
Consideracións clave para a produción de monocristais de carburo de silicio (SiC) de alta calidade Os principais métodos para o cultivo de monocristais de carburo de silicio inclúen o transporte físico de vapor (PVT), o crecemento en solución na parte superior (TSSG) e o tratamento químico a alta temperatura...Ler máis -
Tecnoloxía de obleas epitaxiales LED de última xeración: impulsando o futuro da iluminación
Os LED iluminan o noso mundo e, no corazón de cada LED de alto rendemento, atópase a oblea epitaxial, un compoñente fundamental que define o seu brillo, cor e eficiencia. Ao dominar a ciencia do crecemento epitaxial,...Ler máis -
O fin dunha era? A quebra de Wolfspeed remodela o panorama do SiC
A quebra de Wolfspeed marca un punto de inflexión importante para a industria dos semicondutores de SiC Wolfspeed, líder de longa data na tecnoloxía do carburo de silicio (SiC), declarouse en quebra esta semana, o que supón un cambio significativo no panorama mundial dos semicondutores de SiC. A empresa...Ler máis -
Análise exhaustiva da formación de tensións no cuarzo fundido: causas, mecanismos e efectos
1. Tensión térmica durante o arrefriamento (causa principal) O cuarzo fundido xera tensión en condicións de temperatura non uniformes. A calquera temperatura dada, a estrutura atómica do cuarzo fundido alcanza unha configuración espacial relativamente "óptima". A medida que cambia a temperatura, as sp...Ler máis