SiC de tipo N sobre substratos compostos de Si Dia6inch

Breve descrición:

SiC de tipo N sobre substratos compostos de Si son materiais semicondutores que consisten nunha capa de carburo de silicio (SiC) de tipo n depositada sobre un substrato de silicio (Si).

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

等级Grao	U 级	P级	D级
	Grao BPD baixo	Grao de produción	Grao Dummy
直径Diámetro	150,0 mm ± 0,25 mm
厚度Espesor	500 μm ± 25 μm
晶片方向Orientación de obleas	Fóra do eixe : 4,0° cara a < 11-20 > ± 0,5 ° para 4H-N No eixe : <0001>± 0,5 ° para 4H-SI
主定位边方向Piso Primario	{10-10}±5,0°
主定位边长度Lonxitude plana primaria	47,5 mm ± 2,5 mm
边缘Exclusión de borde	3 mm
总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp	≤15μm /≤40μm /≤60μm
微管密度和基面位错MPD e BPD	MPD ≤ 1 cm-2	MPD ≤ 5 cm-2	MPD≤15 cm-2
	BPD≤1000cm-2
电阻率Resistividade	≥1E5 Ω·cm
表面粗糙度Rugosidade	Ra≤1 nm polaco
	CMP Ra≤0,5 nm
裂纹(强光灯观测) #	Ningún		Lonxitude acumulada ≤10 mm, lonxitude única ≤2 mm
Fendas por luz de alta intensidade
六方空洞（强光灯观测）*	Área acumulada ≤ 1 %		Área acumulada ≤5%
Placas hexagonales por luz de alta intensidade
多型(强光灯观测)*	Ningún		Área acumulada ≤5%
Áreas politípicas por luz de alta intensidade
划痕(强光灯观测)*&	3 arañazos a 1 × diámetro da oblea		5 arañazos a 1 × diámetro de oblea
Raiaduras por luz de alta intensidade	lonxitude acumulada		lonxitude acumulada
崩边# Chip Edge	Ningún		5 permitidos, ≤1 mm cada un
表面污染物（强光灯观测）	Ningún
Contaminación por luz de alta intensidade