SiC tipo N sobre substratos compostos de Si de 6 polgadas de diámetro

等级Grao

U 级

P级

D级

Grao baixo de DBP

Grao de produción

Grao de simulación

直径Diámetro

150,0 mm ± 0,25 mm

厚度Espesor

500 μm ± 25 μm

晶片方向Orientación da oblea

Fóra do eixe: 4,0° cara a <11-20> ±0,5° para 4H-N No eixe: <0001>±0,5° para 4H-SI

主定位边方向Piso principal

{10-10}±5,0°

主定位边长度Lonxitude plana primaria

47,5 mm ± 2,5 mm

边缘Exclusión de bordos

3 milímetros

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp

≤15 μm / ≤40 μm / ≤60 μm

微管密度和基面位错MPD e BPD

MPD≤1 cm-2

MPD≤5 cm-2

MPD≤15 cm-2

BPD≤1000cm-2

电阻率Resistividade

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度Rugosidade

Ra ≤1 nm para o pulido

CMP Ra≤0,5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Ningún

Lonxitude acumulada ≤10 mm, lonxitude única ≤2 mm

Fendas por luz de alta intensidade

六方空洞（强光灯观测）*

Área acumulada ≤1%

Área acumulada ≤5%

Placas hexagonais por luz de alta intensidade

多型(强光灯观测)*

Ningún

Área acumulada ≤5%

Áreas politípicas con luz de alta intensidade

划痕(强光灯观测)*&

3 arañazos a 1×diámetro da oblea

5 arañazos a 1×diámetro da oblea

Rasgaduras por luz de alta intensidade

lonxitude acumulada

lonxitude acumulada

崩边# Chip de bordo

Ningún

5 permitidos, ≤1 mm cada un

表面污染物（强光灯观测）

Ningún

Contaminación por luz de alta intensidade