SiC tipo N sobre substratos compostos de Si de diámetro de 6 polgadas
| 等级Grao | U 级 | P级 | D级 |
| Grao baixo de DBP | Grao de produción | Grao de simulación | |
| 直径Diámetro | 150,0 mm ± 0,25 mm | ||
| 厚度Espesor | 500 μm ± 25 μm | ||
| 晶片方向Orientación da oblea | Fóra do eixe: 4,0° cara a <11-20> ±0,5° para 4H-N No eixe: <0001>±0,5° para 4H-SI | ||
| 主定位边方向Piso principal | {10-10}±5,0° | ||
| 主定位边长度Lonxitude plana primaria | 47,5 mm ± 2,5 mm | ||
| 边缘Exclusión de bordos | 3 milímetros | ||
| 总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp | ≤15 μm / ≤40 μm / ≤60 μm | ||
| 微管密度和基面位错MPD e BPD | MPD≤1 cm-2 | MPD≤5 cm-2 | MPD≤15 cm-2 |
| BPD≤1000cm-2 | |||
| 电阻率resistividade | ≥1E5 Ω·cm | ||
| 表面粗糙度Rugosidade | Ra ≤1 nm para o pulido | ||
| CMP Ra≤0,5 nm | |||
| 裂纹(强光灯观测) # | Ningún | Lonxitude acumulada ≤10 mm, lonxitude única ≤2 mm | |
| Fendas por luz de alta intensidade | |||
| 六方空洞（强光灯观测）* | Área acumulada ≤1% | Área acumulada ≤5% | |
| Placas hexagonais por luz de alta intensidade | |||
| 多型(强光灯观测)* | Ningún | Área acumulada ≤5% | |
| Áreas politípicas con luz de alta intensidade | |||
| 划痕(强光灯观测)*& | 3 arañazos a 1×diámetro da oblea | 5 arañazos a 1×diámetro da oblea | |
| Rasgaduras por luz de alta intensidade | lonxitude acumulada | lonxitude acumulada | |
| 崩边# Chip de bordo | Ningún | 5 permitidos, ≤1 mm cada un | |
| 表面污染物（强光灯观测） | Ningún | ||
| Contaminación por luz de alta intensidade | |||
Diagrama detallado
