Oblea InSb 2 pulgadas 3 pulgadas sin dopado Ntype P orientación tipo 111 100 para detectores infravermellos

Breve descrición:

As obleas de antimoniuro de indio (InSb) son materiais fundamentais que se usan nas tecnoloxías de detección por infravermellos debido á súa estreita brecha de banda e á súa elevada mobilidade de electróns. Dispoñibles en diámetros de 2 e 3 polgadas, estas obleas ofrécense en variantes non dopadas, tipo N e tipo P. As obleas están fabricadas con orientacións de 100 e 111, proporcionando flexibilidade para varias aplicacións de detección de infravermellos e semicondutores. A alta sensibilidade e o baixo ruído das obleas InSb fan que sexan ideais para o seu uso en detectores de infravermellos de lonxitude de onda media (MWIR), sistemas de imaxe infravermella e outras aplicacións optoelectrónicas que requiren precisión e capacidades de alto rendemento.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Características

Opcións de dopaxe:
1.Desdopeado:Estas obleas están libres de axentes dopantes e utilízanse principalmente para aplicacións especializadas, como o crecemento epitaxial, onde a oblea actúa como un substrato puro.
2.N-Tipo (Te Doped):A dopaxe con teluro (Te) utilízase para crear obleas de tipo N, que ofrecen unha gran mobilidade de electróns e facéndoas adecuadas para detectores de infravermellos, electrónica de alta velocidade e outras aplicacións que requiren un fluxo de electróns eficiente.
3.P-Type (Ge Doped):O dopaxe de xermanio (Ge) úsase para crear obleas tipo P, proporcionando unha gran mobilidade de buratos e ofrecendo un excelente rendemento para sensores infravermellos e fotodetectores.

Opcións de tamaño:
1.As obleas están dispoñibles en diámetros de 2 e 3 polgadas. Isto garante a compatibilidade con varios procesos e dispositivos de fabricación de semicondutores.
2.A oblea de 2 polgadas ten un diámetro de 50,8 ± 0,3 mm, mentres que a oblea de 3 polgadas ten un diámetro de 76,2 ± 0,3 mm.

Orientación:
1.As obleas están dispoñibles con orientacións de 100 e 111. A orientación 100 é ideal para electrónica de alta velocidade e detectores de infravermellos, mentres que a orientación 111 úsase con frecuencia para dispositivos que requiren propiedades eléctricas ou ópticas específicas.

Calidade da superficie:
1.Estas obleas veñen con superficies pulidas/grabadas para unha excelente calidade, o que permite un rendemento óptimo en aplicacións que requiren características ópticas ou eléctricas precisas.
2.A preparación da superficie garante unha baixa densidade de defectos, polo que estas obleas son idóneas para aplicacións de detección de infravermellos onde a consistencia do rendemento é fundamental.

Epi-Ready:
1.Estas obleas están preparadas para epi-ready, polo que son adecuadas para aplicacións que impliquen crecemento epitaxial onde se depositarán capas adicionais de material na oblea para a fabricación avanzada de dispositivos semicondutores ou optoelectrónicos.

Aplicacións

1. Detectores infravermellos:As obleas de InSb utilízanse amplamente na fabricación de detectores de infravermellos, especialmente nos intervalos de infravermellos de lonxitude de onda media (MWIR). Son esenciais para sistemas de visión nocturna, imaxes térmicas e aplicacións militares.
2.Sistemas de imaxe infravermella:A alta sensibilidade das obleas InSb permite unha imaxe infravermella precisa en varios sectores, incluíndo a seguridade, a vixilancia e a investigación científica.
3. Electrónica de alta velocidade:Debido á súa alta mobilidade de electróns, estas obleas utilízanse en dispositivos electrónicos avanzados como transistores de alta velocidade e dispositivos optoelectrónicos.
4.Dispositivos de pozo cuántico:As obleas InSb son ideais para aplicacións de pozos cuánticos en láseres, detectores e outros sistemas optoelectrónicos.

Parámetros do produto

Parámetro	2 polgadas	3 polgadas
Diámetro	50,8 ± 0,3 mm	76,2 ± 0,3 mm
Espesor	500 ± 5 μm	650 ± 5 μm
Superficie	Pulido/Grabado	Pulido/Grabado
Tipo de dopaxe	Sen dopado, dopado Te (N), dopado Ge (P)	Sen dopado, dopado Te (N), dopado Ge (P)
Orientación	100, 111	100, 111
Paquete	Solteiro	Solteiro
Epi-Listo	Si	Si

Parámetros eléctricos para Te Doped (tipo N):

Mobilidade: 2000-5000 cm²/V·s
Resistividade: (1-1000) Ω·cm
Densidade de defectos (EPD): ≤2000 defectos/cm²

Parámetros eléctricos para Ge Doped (tipo P):

Mobilidade: 4000-8000 cm²/V·s
Resistividade: (0,5-5) Ω·cm

Densidade de defectos (EPD): ≤2000 defectos/cm²

Preguntas e respostas (Preguntas máis frecuentes)

P1: Cal é o tipo de dopaxe ideal para aplicacións de detección por infravermellos?

A1:Dopado Te (tipo N)as obleas adoitan ser a opción ideal para aplicacións de detección de infravermellos, xa que ofrecen unha alta mobilidade de electróns e un excelente rendemento en detectores de infravermellos de lonxitude de onda media (MWIR) e sistemas de imaxe.

P2: Podo usar estas obleas para aplicacións electrónicas de alta velocidade?

A2: Si, obleas InSb, especialmente aquelas conDopaxe tipo Ne o100 orientación, son moi axeitados para a electrónica de alta velocidade como transistores, dispositivos de pozo cuántico e compoñentes optoelectrónicos debido á súa alta mobilidade de electróns.

P3: Cales son as diferenzas entre as orientacións 100 e 111 das obleas InSb?

A3: O100a orientación úsase habitualmente para dispositivos que requiren un rendemento electrónico de alta velocidade, mentres que o111a orientación úsase a miúdo para aplicacións específicas que requiren diferentes características eléctricas ou ópticas, incluíndo certos dispositivos e sensores optoelectrónicos.

P4: Cal é a importancia da función Epi-Ready para as obleas InSb?

A4: OEpi-Listocaracterística significa que a oblea foi tratada previamente para procesos de deposición epitaxial. Isto é crucial para aplicacións que requiren o crecemento de capas adicionais de material na parte superior da oblea, como na produción de dispositivos semicondutores ou optoelectrónicos avanzados.

P5: Cales son as aplicacións típicas das obleas InSb no campo da tecnoloxía infravermella?

A5: As obleas InSb utilízanse principalmente na detección de infravermellos, imaxes térmicas, sistemas de visión nocturna e outras tecnoloxías de detección por infravermellos. A súa alta sensibilidade e baixo ruído fanos ideais parainfravermello de lonxitude de onda media (MWIR)detectores.

P6: Como afecta o grosor da oblea ao seu rendemento?

A6: O grosor da oblea xoga un papel fundamental na súa estabilidade mecánica e nas súas características eléctricas. As obleas máis finas úsanse a miúdo en aplicacións máis sensibles onde se require un control preciso das propiedades do material, mentres que as obleas máis grosas proporcionan unha maior durabilidade para determinadas aplicacións industriais.

P7: Como elixo o tamaño de oblea axeitado para a miña aplicación?

A7: O tamaño adecuado da oblea depende do dispositivo ou sistema específico que se deseña. As obleas máis pequenas (2 polgadas) úsanse a miúdo para investigación e aplicacións a menor escala, mentres que as obleas máis grandes (3 polgadas) adoitan usarse para a produción en masa e os dispositivos máis grandes que requiren máis material.

Conclusión

Obleas InSb en2 polgadase3 polgadastamaños, consen dopar, tipo N, etipo Pvariacións, son moi valiosos en aplicacións de semicondutores e optoelectrónicas, especialmente nos sistemas de detección infravermella. O100e111As orientacións proporcionan flexibilidade para diversas necesidades tecnolóxicas, desde a electrónica de alta velocidade ata os sistemas de imaxe infravermella. Coa súa excepcional mobilidade de electróns, baixo ruído e calidade de superficie precisa, estas obleas son ideais paradetectores infravermellos de lonxitude de onda mediae outras aplicacións de alto rendemento.