Oblea de InSb de 2 polgadas e 3 polgadas sen dopar tipo N, orientación tipo P 111-100 para detectores infravermellos
Características
Opcións de dopaxe:
1. Sen dopar:Estas obleas están libres de calquera axente dopante e úsanse principalmente para aplicacións especializadas como o crecemento epitaxial, onde a oblea actúa como un substrato puro.
2. Tipo N (dopado con Te):O dopaxe con teluro (Te) úsase para crear obleas de tipo N, o que ofrece unha alta mobilidade de electróns e as fai axeitadas para detectores de infravermellos, electrónica de alta velocidade e outras aplicacións que requiren un fluxo de electróns eficiente.
3. Tipo P (dopado con Ge):O dopaxe con xermanio (Ge) úsase para crear obleas de tipo P, o que proporciona unha alta mobilidade de buratos e un excelente rendemento para sensores e fotodetectores de infravermellos.
Opcións de tamaño:
1. As obleas están dispoñibles en diámetros de 2 e 3 polgadas. Isto garante a compatibilidade con varios procesos e dispositivos de fabricación de semicondutores.
2. A oblea de 2 polgadas ten un diámetro de 50,8 ± 0,3 mm, mentres que a oblea de 3 polgadas ten un diámetro de 76,2 ± 0,3 mm.
Orientación:
1. As obleas están dispoñibles con orientacións de 100 e 111. A orientación 100 é ideal para electrónica de alta velocidade e detectores de infravermellos, mentres que a orientación 111 úsase con frecuencia para dispositivos que requiren propiedades eléctricas ou ópticas específicas.
Calidade da superficie:
1. Estas obleas veñen con superficies puídas/gravadas para unha calidade excelente, o que permite un rendemento óptimo en aplicacións que requiren características ópticas ou eléctricas precisas.
2. A preparación da superficie garante unha baixa densidade de defectos, o que fai que estas obleas sexan ideais para aplicacións de detección por infravermellos onde a consistencia do rendemento é fundamental.
Listo para Epi:
1. Estas obleas están preparadas para epi, o que as fai axeitadas para aplicacións que impliquen crecemento epitaxial onde se depositarán capas adicionais de material na oblea para a fabricación avanzada de dispositivos semicondutores ou optoelectrónicos.
Aplicacións
1. Detectores de infravermellos:As obleas de InSb úsanse amplamente na fabricación de detectores de infravermellos, especialmente nos rangos de infravermellos de lonxitude de onda media (MWIR). Son esenciais para sistemas de visión nocturna, imaxes térmicas e aplicacións militares.
2. Sistemas de imaxe infravermella:A alta sensibilidade das obleas de InSb permite obter imaxes infravermellas precisas en varios sectores, incluíndo a seguridade, a vixilancia e a investigación científica.
3. Electrónica de alta velocidade:Debido á súa alta mobilidade de electróns, estas obleas utilízanse en dispositivos electrónicos avanzados como transistores de alta velocidade e dispositivos optoelectrónicos.
4. Dispositivos de pozo cuántico:As obleas de InSb son ideais para aplicacións de pozos cuánticos en láseres, detectores e outros sistemas optoelectrónicos.
Parámetros do produto
| Parámetro | 2 polgadas | 3 polgadas |
| Diámetro | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm |
| Espesor | 500 ± 5 μm | 650 ± 5 μm |
| Superficie | Pulido/Gravado | Pulido/Gravado |
| Tipo de dopaxe | Sen dopar, dopado con Te (N), dopado con Ge (P) | Sen dopar, dopado con Te (N), dopado con Ge (P) |
| Orientación | 100, 111 | 100, 111 |
| Paquete | Solteiro/a | Solteiro/a |
| Listo para Epi | Si | Si |
Parámetros eléctricos para dopado con te (tipo N):
- Mobilidade2000-5000 cm²/V·s
- Resistividade(1-1000) Ω·cm
- EPD (Densidade de Defectos): ≤2000 defectos/cm²
Parámetros eléctricos para dopado con xeado (tipo P):
- Mobilidade4000-8000 cm²/V·s
- Resistividade(0,5-5) Ω·cm
EPD (Densidade de Defectos): ≤2000 defectos/cm²
Preguntas frecuentes (Q&A)
P1: Cal é o tipo de dopaxe ideal para aplicacións de detección por infravermellos?
A1:Dopado con Te (tipo N)As obleas adoitan ser a opción ideal para aplicacións de detección infravermella, xa que ofrecen unha alta mobilidade de electróns e un excelente rendemento en detectores de infravermellos de lonxitude de onda media (MWIR) e sistemas de imaxe.
P2: Podo usar estas obleas para aplicacións electrónicas de alta velocidade?
R2: Si, as obleas de InSb, especialmente as que teñenDopaxe de tipo Ne o100 orientación, son axeitados para electrónica de alta velocidade como transistores, dispositivos de pozos cuánticos e compoñentes optoelectrónicos debido á súa alta mobilidade de electróns.
P3: Cales son as diferenzas entre as orientacións 100 e 111 para as obleas de InSb?
A3: O/A100A orientación úsase habitualmente para dispositivos que requiren un rendemento electrónico de alta velocidade, mentres que a111A orientación úsase a miúdo para aplicacións específicas que requiren diferentes características eléctricas ou ópticas, incluíndo certos dispositivos e sensores optoelectrónicos.
P4: Cal é a importancia da función Epi-Ready para as obleas de InSb?
A4: O/AListo para Epiesta característica significa que a oblea foi pretratada para procesos de deposición epitaxial. Isto é crucial para aplicacións que requiren o crecemento de capas adicionais de material na parte superior da oblea, como na produción de dispositivos semicondutores ou optoelectrónicos avanzados.
P5: Cales son as aplicacións típicas das obleas de InSb no campo da tecnoloxía infravermella?
A5: As obleas de InSb úsanse principalmente en detección por infravermellos, imaxes térmicas, sistemas de visión nocturna e outras tecnoloxías de detección por infravermellos. A súa alta sensibilidade e baixo ruído fan que sexan ideais parainfravermello de lonxitude de onda media (MWIR)detectores.
P6: Como afecta o grosor da oblea ao seu rendemento?
R6: O grosor da oblea xoga un papel fundamental na súa estabilidade mecánica e nas súas características eléctricas. As obleas máis delgadas úsanse a miúdo en aplicacións máis sensibles onde se require un control preciso das propiedades do material, mentres que as obleas máis grosas proporcionan unha maior durabilidade para certas aplicacións industriais.
P7: Como podo escoller o tamaño de oblea axeitado para a miña aplicación?
R7: O tamaño axeitado da oblea depende do dispositivo ou sistema específico que se estea a deseñar. As obleas máis pequenas (de 2 polgadas) adoitan empregarse para a investigación e aplicacións a menor escala, mentres que as obleas máis grandes (de 3 polgadas) adoitan empregarse para a produción en masa e para dispositivos máis grandes que requiren máis material.
Conclusión
Obleas de InSb en2 polgadase3 polgadastamaños, consen dopar, Tipo N, eTipo Pvariacións, son moi valiosas en aplicacións de semicondutores e optoelectrónicas, particularmente en sistemas de detección por infravermellos. O100e111as orientacións proporcionan flexibilidade para diversas necesidades tecnolóxicas, desde electrónica de alta velocidade ata sistemas de imaxe infravermella. Coa súa excepcional mobilidade de electróns, baixo ruído e calidade superficial precisa, estas obleas son ideais paradetectores infravermellos de lonxitude de onda mediae outras aplicacións de alto rendemento.
Diagrama detallado
