Obleas de antimoniuro de indio (InSb) tipo N tipo P listas para Epi sen dopar dopadas con Te ou dopadas con Ge de 2 polgadas e 3 polgadas e 4 polgadas de grosor Obleas de antimoniuro de indio (InSb) tipo N tipo P dopadas con Te ou Ge sen dopar
Características
Opcións de dopaxe:
1. Sen dopar:Estas obleas están libres de calquera axente dopante, o que as fai ideais para aplicacións especializadas como o crecemento epitaxial.
2. Dopado con Te (tipo N):O dopaxe con teluro (Te) úsase habitualmente para crear obleas de tipo N, que son ideais para aplicacións como detectores de infravermellos e electrónica de alta velocidade.
3. Dopado con Ge (tipo P):O dopaxe con xermanio (Ge) úsase para crear obleas de tipo P, que ofrecen unha alta mobilidade de buratos para aplicacións avanzadas de semicondutores.
Opcións de tamaño:
1. Dispoñible en diámetros de 2 polgadas, 3 polgadas e 4 polgadas. Estas obleas atenden diferentes necesidades tecnolóxicas, desde a investigación e o desenvolvemento ata a fabricación a grande escala.
2. As tolerancias precisas de diámetro garanten a consistencia entre lotes, con diámetros de 50,8 ± 0,3 mm (para obleas de 2 polgadas) e 76,2 ± 0,3 mm (para obleas de 3 polgadas).
Control de espesor:
1. As obleas están dispoñibles cun grosor de 500 ± 5 μm para un rendemento óptimo en diversas aplicacións.
2. As medicións adicionais como a TTV (variación total do grosor), a curvatura e a deformación contrólanse coidadosamente para garantir unha alta uniformidade e calidade.
Calidade da superficie:
1. As obleas veñen cunha superficie pulida/gravada para mellorar o rendemento óptico e eléctrico.
2. Estas superficies son ideais para o crecemento epitaxial, xa que ofrecen unha base lisa para un procesamento posterior en dispositivos de alto rendemento.
Listo para Epi:
1. As obleas de InSb están preparadas para a epi, o que significa que están pretratadas para procesos de deposición epitaxial. Isto fainas ideais para aplicacións na fabricación de semicondutores onde é necesario cultivar capas epitaxiais sobre a oblea.
Aplicacións
1. Detectores de infravermellos:As obleas de InSb úsanse habitualmente na detección por infravermellos (IR), especialmente no rango do infravermello de lonxitude de onda media (MWIR). Estas obleas son esenciais para aplicacións de visión nocturna, imaxe térmica e espectroscopia infravermella.
2. Electrónica de alta velocidade:Debido á súa alta mobilidade electrónica, as obleas de InSb utilízanse en dispositivos electrónicos de alta velocidade como transistores de alta frecuencia, dispositivos de pozos cuánticos e transistores de alta mobilidade electrónica (HEMT).
3. Dispositivos de pozo cuántico:O estreito intervalo de banda e a excelente mobilidade de electróns fan que as obleas de InSb sexan axeitadas para o seu uso en dispositivos de pozo cuántico. Estes dispositivos son compoñentes clave en láseres, detectores e outros sistemas optoelectrónicos.
4. Dispositivos espintrónicos:O InSb tamén se está a explorar en aplicacións espintrónicas, onde o espín electrónico se emprega para o procesamento da información. O baixo acoplamento espín-órbita do material faino ideal para estes dispositivos de alto rendemento.
5. Aplicacións da radiación de terahercios (THz):Os dispositivos baseados en InSb utilízanse en aplicacións de radiación THz, incluíndo a investigación científica, a obtención de imaxes e a caracterización de materiais. Permiten tecnoloxías avanzadas como a espectroscopia de THz e os sistemas de obtención de imaxes THz.
6. Dispositivos termoeléctricos:As propiedades únicas do InSb convérteno nun material atractivo para aplicacións termoeléctricas, onde se pode empregar para converter a calor en electricidade de forma eficiente, especialmente en aplicacións de nicho como a tecnoloxía espacial ou a xeración de enerxía en ambientes extremos.
Parámetros do produto
| Parámetro | 2 polgadas | 3 polgadas | 4 polgadas |
| Diámetro | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm | - |
| Espesor | 500 ± 5 μm | 650 ± 5 μm | - |
| Superficie | Pulido/Gravado | Pulido/Gravado | Pulido/Gravado |
| Tipo de dopaxe | Sen dopar, dopado con Te (N), dopado con Ge (P) | Sen dopar, dopado con Te (N), dopado con Ge (P) | Sen dopar, dopado con Te (N), dopado con Ge (P) |
| Orientación | (100) | (100) | (100) |
| Paquete | Solteiro/a | Solteiro/a | Solteiro/a |
| Listo para Epi | Si | Si | Si |
Parámetros eléctricos para dopado con te (tipo N):
- Mobilidade2000-5000 cm²/V·s
- Resistividade(1-1000) Ω·cm
- EPD (Densidade de Defectos): ≤2000 defectos/cm²
Parámetros eléctricos para dopado con xeado (tipo P):
- Mobilidade4000-8000 cm²/V·s
- Resistividade(0,5-5) Ω·cm
- EPD (Densidade de Defectos): ≤2000 defectos/cm²
Conclusión
As obleas de antimónuro de indio (InSb) son un material esencial para unha ampla gama de aplicacións de alto rendemento nos campos da electrónica, a optoelectrónica e as tecnoloxías infravermellas. Coa súa excelente mobilidade de electróns, o seu baixo acoplamento de órbita de espín e unha variedade de opcións de dopaxe (Te para tipo N, Ge para tipo P), as obleas de InSb son ideais para o seu uso en dispositivos como detectores infravermellos, transistores de alta velocidade, dispositivos de pozos cuánticos e dispositivos espintrónicos.
As obleas están dispoñibles en varios tamaños (2 polgadas, 3 polgadas e 4 polgadas), con control preciso do grosor e superficies preparadas para epi, o que garante que cumpran as rigorosas esixencias da fabricación moderna de semicondutores. Estas obleas son perfectas para aplicacións en campos como a detección de infravermellos, a electrónica de alta velocidade e a radiación THz, o que permite tecnoloxías avanzadas en investigación, industria e defensa.
Diagrama detallado
