Obleas de antimonio de indio (InSb) tipo N tipo P Epi listo para dopar Te dopadas o dopadas con Ge Obleas de antimoniuro de indio (InSb) de 2 pulgadas 3 pulgadas y 4 pulgadas de espesor
Características
Opcións de dopaxe:
1.Desdopeado:Estas obleas están libres de axentes dopantes, polo que son idóneas para aplicacións especializadas como o crecemento epitaxial.
2.Te dopado (tipo N):A dopaxe con teluro (Te) úsase habitualmente para crear obleas de tipo N, que son ideais para aplicacións como detectores de infravermellos e electrónica de alta velocidade.
3.Ge Doped (tipo P):A dopaxe de xermanio (Ge) úsase para crear obleas tipo P, que ofrece unha gran mobilidade de buratos para aplicacións avanzadas de semicondutores.
Opcións de tamaño:
1.Dispoñible en diámetros de 2 polgadas, 3 polgadas e 4 polgadas. Estas obleas responden a diferentes necesidades tecnolóxicas, desde investigación e desenvolvemento ata fabricación a grande escala.
2. As tolerancias de diámetro precisas garanten a coherencia entre os lotes, con diámetros de 50,8 ± 0,3 mm (para obleas de 2 polgadas) e 76,2 ± 0,3 mm (para obleas de 3 polgadas).
Control de espesor:
1.As obleas están dispoñibles cun espesor de 500±5μm para un rendemento óptimo en varias aplicacións.
2. As medidas adicionais como TTV (variación total de espesor), BOW e Warp son coidadosamente controladas para garantir unha alta uniformidade e calidade.
Calidade da superficie:
1.As obleas veñen cunha superficie pulida/grabada para mellorar o rendemento óptico e eléctrico.
2.Estas superficies son ideais para o crecemento epitaxial, ofrecendo unha base suave para o procesamento posterior en dispositivos de alto rendemento.
Epi-Ready:
1.As obleas de InSb están preparadas para epitaxis, é dicir, son tratadas previamente para procesos de deposición epitaxial. Isto fai que sexan idóneos para aplicacións na fabricación de semicondutores onde hai que cultivar capas epitaxiais sobre a oblea.
Aplicacións
1. Detectores infravermellos:As obleas de InSb utilízanse habitualmente na detección de infravermellos (IR), especialmente no intervalo de infravermellos de lonxitude de onda media (MWIR). Estas obleas son esenciais para aplicacións de visión nocturna, imaxe térmica e espectroscopia infravermella.
2. Electrónica de alta velocidade:Debido á súa alta mobilidade de electróns, as obleas de InSb utilízanse en dispositivos electrónicos de alta velocidade como transistores de alta frecuencia, dispositivos de pozo cuántico e transistores de alta mobilidade electrónica (HEMT).
3.Dispositivos de pozo cuántico:O estreito intervalo de banda e a excelente mobilidade electrónica fan que as obleas de InSb sexan adecuadas para o seu uso en dispositivos de pozo cuántico. Estes dispositivos son compoñentes clave en láseres, detectores e outros sistemas optoelectrónicos.
4.Dispositivos Spintronic:O InSb tamén se está explorando en aplicacións espintrónicas, onde o espín electrónico se usa para procesar a información. O acoplamento de baixa rotación do material faino ideal para estes dispositivos de alto rendemento.
Aplicacións da radiación 5. Terahercios (THz):Os dispositivos baseados en InSb utilízanse en aplicacións de radiación THz, incluíndo investigación científica, imaxes e caracterización de materiais. Permiten tecnoloxías avanzadas como a espectroscopia THz e os sistemas de imaxe THz.
6. Dispositivos termoeléctricos:As propiedades únicas de InSb fan que sexa un material atractivo para aplicacións termoeléctricas, onde se pode usar para converter calor en electricidade de forma eficiente, especialmente en aplicacións de nicho como tecnoloxía espacial ou xeración de enerxía en ambientes extremos.
Parámetros do produto
| Parámetro | 2 polgadas | 3 polgadas | 4 polgadas |
| Diámetro | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm | - |
| Espesor | 500 ± 5 μm | 650 ± 5 μm | - |
| Superficie | Pulido/Grabado | Pulido/Grabado | Pulido/Grabado |
| Tipo de dopaxe | Sen dopado, dopado Te (N), dopado Ge (P) | Sen dopado, dopado Te (N), dopado Ge (P) | Sen dopado, dopado Te (N), dopado Ge (P) |
| Orientación | (100) | (100) | (100) |
| Paquete | Solteiro | Solteiro | Solteiro |
| Epi-Listo | Si | Si | Si |
Parámetros eléctricos para Te Doped (N-Type):
- Mobilidade: 2000-5000 cm²/V·s
- Resistividade: (1-1000) Ω·cm
- Densidade de defectos (EPD): ≤2000 defectos/cm²
Parámetros eléctricos para Ge Doped (tipo P):
- Mobilidade: 4000-8000 cm²/V·s
- Resistividade: (0,5-5) Ω·cm
- Densidade de defectos (EPD): ≤2000 defectos/cm²
Conclusión
As obleas de antimoniuro de indio (InSb) son un material esencial para unha ampla gama de aplicacións de alto rendemento nos campos da electrónica, a optoelectrónica e as tecnoloxías infravermellas. Coa súa excelente mobilidade de electróns, acoplamento de órbita de spin baixo e unha variedade de opcións de dopaxe (Te para tipo N, Ge para tipo P), as obleas InSb son ideais para o seu uso en dispositivos como detectores de infravermellos, transistores de alta velocidade, dispositivos de pozo cuántico e dispositivos espintrónicos.
As obleas están dispoñibles en varios tamaños (2 polgadas, 3 polgadas e 4 polgadas), cun control de espesor preciso e superficies preparadas para epilepsia, o que garante que cumpran as esixencias rigorosas da fabricación moderna de semicondutores. Estas obleas son perfectas para aplicacións en campos como a detección IR, a electrónica de alta velocidade e a radiación THz, o que permite tecnoloxías avanzadas en investigación, industria e defensa.
Diagrama detallado
