Capa epitaxial
-
Substrato de oblea de GaN de 200 mm e 8 polgadas sobre capa epidérmica de zafiro
-
Substrato heteroxéneo de alto rendemento para dispositivos acústicos de RF (LNOSiC)
-
GaN sobre vidro de 4 polgadas: opcións de vidro personalizables, incluíndo JGS1, JGS2, BF33 e cuarzo ordinario
-
Oblea de AlN sobre NPSS: capa de nitruro de aluminio de alto rendemento sobre substrato de zafiro non pulido para aplicacións de alta temperatura, alta potencia e RF
-
Obleas epitaxiais de GaN sobre SiC personalizadas (100 mm, 150 mm): varias opcións de substrato de SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
Obleas de GaN sobre diamante de 4 polgadas a 6 polgadas. Grosor total de epi (micras) de 0,6 a 2,5 ou personalizadas para aplicacións de alta frecuencia.
-
Substrato de oblea epitaxial de alta potencia de GaAs, oblea de arseniuro de galio, lonxitude de onda láser de 905 nm para tratamento médico con láser
-
As matrices de fotodetectores PD Array de substrato de oblea epitaxial de InGaAs pódense usar para LiDAR
-
Detector de luz APD de substrato de oblea epitaxial InP de 2 polgadas, 3 polgadas e 4 polgadas para comunicacións de fibra óptica ou LiDAR
-
Oblea de epitaxia SiC de 6 polgadas tipo N/P aceptada personalizada
-
Oblea SiC Epi de 4 polgadas para MOS ou SBD
-
Oblea SOI de substrato de silicio sobre illante de tres capas para microelectrónica e radiofrecuencia