Obleas epitaxiais de GaN-on-SiC personalizadas (100 mm, 150 mm) - Múltiples opcións de substrato SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Breve descrición:

As nosas obleas epitaxiais de GaN-on-SiC personalizadas ofrecen un rendemento superior para aplicacións de alta potencia e alta frecuencia ao combinar as propiedades excepcionais do nitruro de galio (GaN) coa robusta condutividade térmica e resistencia mecánica deCarburo de silicio (SiC). Dispoñibles en tamaños de obleas de 100 mm e 150 mm, estas obleas están construídas sobre unha variedade de opcións de substrato SiC, incluíndo os tipos 4H-N, HPSI e 4H/6H-P, adaptadas para cumprir requisitos específicos de electrónica de potencia, amplificadores de RF e outros dispositivos semicondutores avanzados. Con capas epitaxiais personalizables e substratos únicos de SiC, as nosas obleas están deseñadas para garantir unha alta eficiencia, xestión térmica e fiabilidade para aplicacións industriais esixentes.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Características

●Espesor da capa epitaxial: personalizable desde1,0 µma3,5 µm, optimizado para un rendemento de alta potencia e frecuencia.

●Opcións de substrato SiC: Dispoñible con varios substratos SiC, incluíndo:

4H-N: 4H-SiC dopado con nitróxeno de alta calidade para aplicacións de alta frecuencia e alta potencia.
HPSI: SiC semi-illante de alta pureza para aplicacións que requiren illamento eléctrico.
4H/6H-P: 4H e 6H-SiC mesturados para un equilibrio de alta eficiencia e fiabilidade.

●Tamaños de obleas: Dispoñible en100 mme150 mmdiámetros para versatilidade na escala e integración de dispositivos.

●Alta tensión de avaría: A tecnoloxía GaN on SiC proporciona unha alta tensión de ruptura, o que permite un rendemento robusto en aplicacións de alta potencia.

●Alta Condutividade Térmica: condutividade térmica inherente de SiC (aproximadamente 490 W/m·K) garante unha excelente disipación de calor para aplicacións con uso intensivo de enerxía.

Especificacións técnicas

Parámetro	Valor
Diámetro da oblea	100 mm, 150 mm
Espesor da capa epitaxial	1,0 µm – 3,5 µm (personalizable)
Tipos de substrato SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Condutividade térmica SiC	490 W/m·K
Resistividade SiC	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Semiaislante,4H/6H-P: Mixto 4H/6H
Espesor da capa de GaN	1,0 µm – 2,0 µm
Concentración de portadores de GaN	10^18 cm^-3 a 10^19 cm^-3 (personalizable)
Calidade da superficie da oblea	Rugosidade RMS: < 1 nm
Densidade de luxación	< 1 x 10^6 cm^-2
Arco de oblea	< 50 µm
Planitud da oblea	< 5 µm
Temperatura máxima de funcionamento	400 °C (típico para dispositivos GaN-on-SiC)

Aplicacións

● Electrónica de potencia:As obleas GaN-on-SiC proporcionan unha alta eficiencia e disipación de calor, polo que son ideais para amplificadores de potencia, dispositivos de conversión de enerxía e circuítos inversores de enerxía utilizados en vehículos eléctricos, sistemas de enerxía renovable e maquinaria industrial.
● Amplificadores de potencia RF:A combinación de GaN e SiC é perfecta para aplicacións de RF de alta frecuencia e alta potencia, como telecomunicacións, comunicacións por satélite e sistemas de radar.
●Aeroespacial e Defensa:Estas obleas son axeitadas para tecnoloxías aeroespaciais e de defensa que requiren electrónica de potencia de alto rendemento e sistemas de comunicación que poden funcionar en condicións duras.
● Aplicacións automotivas:Ideal para sistemas de enerxía de alto rendemento en vehículos eléctricos (EV), vehículos híbridos (HEV) e estacións de carga, que permiten unha conversión e un control eficientes da enerxía.
●Sistemas militares e de radar:As obleas GaN-on-SiC utilízanse nos sistemas de radar pola súa alta eficiencia, capacidades de manexo de potencia e rendemento térmico en ambientes esixentes.
● Aplicacións de microondas e ondas milimétricas:Para os sistemas de comunicación de próxima xeración, incluíndo 5G, GaN-on-SiC ofrece un rendemento óptimo en rangos de microondas de alta potencia e ondas milimétricas.

Preguntas e respostas

P1: Cales son os beneficios de usar SiC como substrato para GaN?

A1:O carburo de silicio (SiC) ofrece unha condutividade térmica superior, alta tensión de ruptura e resistencia mecánica en comparación cos substratos tradicionais como o silicio. Isto fai que as obleas GaN-on-SiC sexan idóneas para aplicacións de alta potencia, alta frecuencia e alta temperatura. O substrato de SiC axuda a disipar a calor xerada polos dispositivos GaN, mellorando a fiabilidade e o rendemento.

P2: Pódese personalizar o grosor da capa epitaxial para aplicacións específicas?

A2:Si, o grosor da capa epitaxial pódese personalizar nun intervalo de1,0 µm a 3,5 µm, dependendo dos requisitos de potencia e frecuencia da súa aplicación. Podemos adaptar o grosor da capa de GaN para optimizar o rendemento de dispositivos específicos como amplificadores de potencia, sistemas de RF ou circuítos de alta frecuencia.

P3: Cal é a diferenza entre os substratos 4H-N, HPSI e 4H/6H-P SiC?

A3:

4H-N: O 4H-SiC dopado con nitróxeno úsase habitualmente para aplicacións de alta frecuencia que requiren un alto rendemento electrónico.
HPSI: SiC semi-isolante de alta pureza proporciona illamento eléctrico, ideal para aplicacións que requiren unha condutividade eléctrica mínima.
4H/6H-P: Unha mestura de 4H e 6H-SiC que equilibra o rendemento, ofrecendo unha combinación de alta eficiencia e robustez, adecuada para varias aplicacións de electrónica de potencia.

P4: Estas obleas de GaN-on-SiC son adecuadas para aplicacións de alta potencia como vehículos eléctricos e enerxías renovables?

A4:Si, as obleas GaN-on-SiC son moi adecuadas para aplicacións de alta potencia, como vehículos eléctricos, enerxías renovables e sistemas industriais. A alta tensión de avaría, a alta condutividade térmica e as capacidades de manexo de enerxía dos dispositivos GaN-on-SiC permítenlles funcionar de forma eficaz nos esixentes circuítos de conversión e control de enerxía.

P5: Cal é a densidade de luxación típica para estas obleas?

A5:A densidade de dislocación destas obleas de GaN-on-SiC é normalmente< 1 x 10^6 cm^-2, que garante un crecemento epitaxial de alta calidade, minimizando os defectos e mellorando o rendemento e a fiabilidade do dispositivo.

P6: Podo solicitar un tamaño de oblea específico ou un tipo de substrato SiC?

A6:Si, ofrecemos tamaños de obleas personalizados (100 mm e 150 mm) e tipos de substrato SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) para satisfacer as necesidades específicas da súa aplicación. Póñase en contacto connosco para obter máis opcións de personalización e discutir os seus requisitos.

P7: Como funcionan as obleas GaN-on-SiC en ambientes extremos?

A7:As obleas GaN-on-SiC son ideais para ambientes extremos debido á súa alta estabilidade térmica, manexo de alta potencia e excelentes capacidades de disipación de calor. Estas obleas funcionan ben en condicións de alta temperatura, alta potencia e alta frecuencia que se atopan habitualmente en aplicacións aeroespaciais, de defensa e industriais.

Conclusión

As nosas obleas epitaxiais GaN-on-SiC personalizadas combinan as propiedades avanzadas de GaN e SiC para proporcionar un rendemento superior en aplicacións de alta potencia e alta frecuencia. Con varias opcións de substrato SiC e capas epitaxiais personalizables, estas obleas son ideais para industrias que requiren alta eficiencia, xestión térmica e fiabilidade. Xa sexa para electrónica de potencia, sistemas de RF ou aplicacións de defensa, as nosas obleas GaN-on-SiC ofrecen o rendemento e a flexibilidade que necesitas.