Obleas epitaxiais de GaN sobre SiC personalizadas (100 mm, 150 mm): varias opcións de substrato de SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Descrición curta:

As nosas obleas epitaxiais de GaN sobre SiC personalizadas ofrecen un rendemento superior para aplicacións de alta potencia e alta frecuencia ao combinar as propiedades excepcionais do nitruro de galio (GaN) coa robusta condutividade térmica e resistencia mecánica deCarburo de silicio (SiC)Dispoñibles en tamaños de oblea de 100 mm e 150 mm, estas obleas están construídas sobre unha variedade de opcións de substrato de SiC, incluíndo os tipos 4H-N, HPSI e 4H/6H-P, adaptados para cumprir os requisitos específicos da electrónica de potencia, os amplificadores de RF e outros dispositivos semicondutores avanzados. Con capas epitaxiais personalizables e substratos de SiC únicos, as nosas obleas están deseñadas para garantir unha alta eficiencia, xestión térmica e fiabilidade para aplicacións industriais esixentes.

Envíanos un correo electrónico

Características

●Espesor da capa epitaxialPersonalizable desde1,0 µma3,5 µm, optimizado para un rendemento de alta potencia e frecuencia.

●Opcións de substrato de SiCDispoñible con varios substratos de SiC, incluíndo:

4H-N4H-SiC dopado con nitróxeno de alta calidade para aplicacións de alta frecuencia e alta potencia.
HPSISiC semiillante de alta pureza para aplicacións que requiren illamento eléctrico.
4H/6H-PMestura de 4H e 6H-SiC para un equilibrio entre alta eficiencia e fiabilidade.

●Tamaños das obleasDispoñible en100 mme150 mmdiámetros para maior versatilidade no escalado e integración de dispositivos.

●Alta tensión de rupturaA tecnoloxía GaN sobre SiC proporciona unha alta tensión de ruptura, o que permite un rendemento robusto en aplicacións de alta potencia.

●Alta condutividade térmicaConductividade térmica inherente do SiC (aproximadamente 490 W/m·K) garante unha excelente disipación da calor para aplicacións de alto consumo eléctrico.

Especificacións técnicas

Parámetro	Valor
Diámetro da oblea	100 mm, 150 mm
Espesor da capa epitaxial	1,0 µm – 3,5 µm (personalizable)
Tipos de substrato de SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Condutividade térmica do SiC	490 W/m·K
Resistividade do SiC	4H-N10^6 Ω·cmHPSISemi-illante,4H/6H-PMixto 4h/6h
Grosor da capa de GaN	1,0 µm – 2,0 µm
Concentración de portador de GaN	10^18 cm^-3 a 10^19 cm^-3 (personalizable)
Calidade da superficie da oblea	Rugosidade RMS< 1 nm
Densidade de dislocacións	< 1 x 10^6 cm^-2
Arco de oblea	< 50 µm
Planitude da oblea	< 5 µm
Temperatura máxima de funcionamento	400 °C (típico para dispositivos de GaN sobre SiC)

Aplicacións

●Electrónica de potencia:As obleas de GaN sobre SiC proporcionan alta eficiencia e disipación de calor, o que as fai ideais para amplificadores de potencia, dispositivos de conversión de potencia e circuítos inversores de potencia empregados en vehículos eléctricos, sistemas de enerxía renovable e maquinaria industrial.
●Amplificadores de potencia de RF:A combinación de GaN e SiC é perfecta para aplicacións de RF de alta frecuencia e alta potencia, como telecomunicacións, comunicacións por satélite e sistemas de radar.
●Aeroespacial e Defensa:Estas obleas son axeitadas para tecnoloxías aeroespaciais e de defensa que requiren electrónica de potencia e sistemas de comunicación de alto rendemento que poidan funcionar en condicións adversas.
●Aplicacións automotrices:Ideal para sistemas de enerxía de alto rendemento en vehículos eléctricos (VE), vehículos híbridos (VEH) e estacións de carga, o que permite unha conversión e un control eficientes da enerxía.
●Sistemas militares e de radar:As obleas de GaN sobre SiC utilízanse en sistemas de radar pola súa alta eficiencia, capacidades de manexo de enerxía e rendemento térmico en ambientes esixentes.
●Aplicacións de microondas e ondas milimétricas:Para os sistemas de comunicación de próxima xeración, incluído o 5G, o GaN sobre SiC proporciona un rendemento óptimo en rangos de microondas e ondas milimétricas de alta potencia.

Preguntas e respostas

P1: Cales son as vantaxes de usar SiC como substrato para GaN?

A1:O carburo de silicio (SiC) ofrece unha condutividade térmica superior, unha alta tensión de ruptura e unha resistencia mecánica superiores en comparación cos substratos tradicionais como o silicio. Isto fai que as obleas de GaN sobre SiC sexan ideais para aplicacións de alta potencia, alta frecuencia e alta temperatura. O substrato de SiC axuda a disipar a calor xerada polos dispositivos de GaN, mellorando a fiabilidade e o rendemento.

P2: Pódese personalizar o grosor da capa epitaxial para aplicacións específicas?

A2:Si, o grosor da capa epitaxial pódese personalizar dentro dun rango de1,0 µm a 3,5 µm, dependendo dos requisitos de potencia e frecuencia da súa aplicación. Podemos adaptar o grosor da capa de GaN para optimizar o rendemento de dispositivos específicos como amplificadores de potencia, sistemas de RF ou circuítos de alta frecuencia.

P3: Cal é a diferenza entre os substratos de SiC 4H-N, HPSI e 4H/6H-P?

A3:

4H-NO 4H-SiC dopado con nitróxeno úsase habitualmente para aplicacións de alta frecuencia que requiren un alto rendemento electrónico.
HPSIO SiC semiillante de alta pureza proporciona illamento eléctrico, ideal para aplicacións que requiren unha condutividade eléctrica mínima.
4H/6H-PUnha mestura de 4H e 6H-SiC que equilibra o rendemento, ofrecendo unha combinación de alta eficiencia e robustez, axeitada para diversas aplicacións de electrónica de potencia.

P4: Son estas obleas de GaN sobre SiC axeitadas para aplicacións de alta potencia como vehículos eléctricos e enerxías renovables?

A4:Si, as obleas de GaN sobre SiC son axeitadas para aplicacións de alta potencia como vehículos eléctricos, enerxías renovables e sistemas industriais. A alta tensión de ruptura, a alta condutividade térmica e as capacidades de manexo de enerxía dos dispositivos de GaN sobre SiC permítenlles funcionar eficazmente en circuítos de control e conversión de enerxía esixentes.

P5: Cal é a densidade de dislocacións típica para estas obleas?

A5:A densidade de dislocacións destas obleas de GaN sobre SiC é normalmente< 1 x 10^6 cm^-2, o que garante un crecemento epitaxial de alta calidade, minimizando os defectos e mellorando o rendemento e a fiabilidade do dispositivo.

P6: Podo solicitar un tamaño de oblea ou un tipo de substrato de SiC específico?

A6:Si, ofrecemos tamaños de obleas personalizados (100 mm e 150 mm) e tipos de substrato de SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) para satisfacer as necesidades específicas da súa aplicación. Póñase en contacto connosco para obter máis opcións de personalización e para falar sobre os seus requisitos.

P7: Como se comportan as obleas de GaN sobre SiC en ambientes extremos?

A7:As obleas de GaN sobre SiC son ideais para ambientes extremos debido á súa alta estabilidade térmica, á súa alta capacidade de manexo de potencia e ás súas excelentes capacidades de disipación de calor. Estas obleas funcionan ben en condicións de alta temperatura, alta potencia e alta frecuencia que se atopan habitualmente en aplicacións aeroespaciais, de defensa e industriais.

Conclusión

As nosas obleas epitaxiais de GaN sobre SiC personalizadas combinan as propiedades avanzadas do GaN e do SiC para proporcionar un rendemento superior en aplicacións de alta potencia e alta frecuencia. Con múltiples opcións de substrato de SiC e capas epitaxiais personalizables, estas obleas son ideais para industrias que requiren alta eficiencia, xestión térmica e fiabilidade. Xa sexa para electrónica de potencia, sistemas de radiofrecuencia ou aplicacións de defensa, as nosas obleas de GaN sobre SiC ofrecen o rendemento e a flexibilidade que necesitas.