Modelo AlN de AlN en FSS de 2 polgadas e 4 polgadas de NPSS/FSS para a área de semicondutores

Descrición curta:

As obleas de AlN sobre substrato flexible (FSS) ofrecen unha combinación única da excepcional condutividade térmica, resistencia mecánica e propiedades de illamento eléctrico do nitruro de aluminio (AlN), xunto coa flexibilidade dun substrato de alto rendemento. Estas obleas de 2 e 4 polgadas están deseñadas especificamente para aplicacións avanzadas de semicondutores, especialmente onde a xestión térmica e a flexibilidade do dispositivo son fundamentais. Coa opción de NPSS (substrato non pulido) e FSS (substrato flexible) como base, estes modelos de AlN son ideais para aplicacións en electrónica de potencia, dispositivos de RF e sistemas electrónicos flexibles, onde a alta condutividade térmica e a integración flexible son clave para mellorar o rendemento e a fiabilidade dos dispositivos.


Características

Propiedades

Composición do material:
Nitruro de aluminio (AlN): capa cerámica branca de alto rendemento que proporciona unha excelente condutividade térmica (normalmente de 200 a 300 W/m·K), un bo illamento eléctrico e unha alta resistencia mecánica.
Substrato flexible (FSS): películas poliméricas flexibles (como poliimida, PET, etc.) que ofrecen durabilidade e capacidade de flexión sen comprometer a funcionalidade da capa de AlN.

Tamaños de obleas dispoñibles:
2 polgadas (50,8 mm)
4 polgadas (100 mm)

Espesor:
Capa de AlN: 100-2000 nm
Grosor do substrato FSS: 50µm-500µm (personalizable segundo os requisitos)

Opcións de acabado superficial:
NPSS (substrato non pulido): superficie de substrato sen pulir, axeitada para certas aplicacións que requiren perfís superficiais máis rugosos para unha mellor adhesión ou integración.
FSS (substrato flexible): película flexible pulida ou sen pulir, coa opción de superficies lisas ou texturizadas, dependendo das necesidades específicas da aplicación.

Propiedades eléctricas:
Illante: as propiedades de illamento eléctrico do AlN fan que sexa ideal para aplicacións de semicondutores de alta tensión e potencia.
Constante dieléctrica: ~9,5
Condutividade térmica: 200-300 W/m·K (dependendo do grao e grosor específicos do AlN)

Propiedades mecánicas:
Flexibilidade: o AlN deposítase sobre un substrato flexible (FSS) que permite a súa flexión e flexibilidade.
Dureza superficial: o AlN é moi duradeiro e resiste danos físicos en condicións normais de funcionamento.

Aplicacións

Dispositivos de alta potenciaIdeal para electrónica de potencia que require unha alta disipación térmica, como convertidores de potencia, amplificadores de RF e módulos LED de alta potencia.

Compoñentes de RF e microondasAdecuado para compoñentes como antenas, filtros e resonadores onde se precisa tanto condutividade térmica como flexibilidade mecánica.

Electrónica flexiblePerfecto para aplicacións onde os dispositivos precisan adaptarse a superficies non planas ou requiren un deseño lixeiro e flexible (por exemplo, dispositivos portátiles, sensores flexibles).

Envasado de semicondutoresÚsase como substrato en encapsulados de semicondutores, o que ofrece disipación térmica en aplicacións que xeran moita calor.

LEDs e optoelectrónicaPara dispositivos que requiren un funcionamento a alta temperatura cunha disipación de calor robusta.

Táboa de parámetros

Propiedade

Valor ou rango

Tamaño da oblea 2 polgadas (50,8 mm), 4 polgadas (100 mm)
Espesor da capa de AlN 100 nm – 2000 nm
Espesor do substrato FSS 50µm – 500µm (personalizable)
Condutividade térmica 200 – 300 W/m·K
Propiedades eléctricas Illante (constante dieléctrica: ~9,5)
Acabado superficial Pulido ou sen pulir
Tipo de substrato NPSS (substrato non pulido), FSS (substrato flexible)
Flexibilidade mecánica Alta flexibilidade, ideal para electrónica flexible
Cor Branco a branco apagado (dependendo do substrato)

Aplicacións

●Electrónica de potencia:A combinación de alta condutividade térmica e flexibilidade fai que estas obleas sexan perfectas para dispositivos de alimentación como convertidores de potencia, transistores e reguladores de tensión que requiren unha disipación de calor eficiente.
●Dispositivos de radiofrecuencia/microondas:Debido ás propiedades térmicas superiores e á baixa condutividade eléctrica do AlN, estas obleas utilízanse en compoñentes de RF como amplificadores, osciladores e antenas.
●Electrónica flexible:A flexibilidade da capa FSS combinada coa excelente xestión térmica do AlN convértea nunha opción ideal para electrónica e sensores portátiles.
●Envasado de semicondutores:Úsase para empaquetado de semicondutores de alto rendemento onde a disipación térmica eficaz e a fiabilidade son fundamentais.
●Aplicacións LED e optoelectrónicas:O nitruro de aluminio é un material excelente para envases de LED e outros dispositivos optoelectrónicos que requiren unha alta resistencia á calor.

Preguntas frecuentes (Q&A)

P1: Cales son as vantaxes de usar AlN en obleas FSS?

A1As obleas de AlN en FSS combinan as propiedades de alta condutividade térmica e illamento eléctrico do AlN coa flexibilidade mecánica dun substrato polimérico. Isto permite unha mellor disipación da calor en sistemas electrónicos flexibles, mantendo ao mesmo tempo a integridade do dispositivo en condicións de flexión e estiramento.

P2: Que tamaños están dispoñibles para AlN en obleas FSS?

A2Ofrecemos2 polgadase4 polgadastamaños de obleas. Os tamaños personalizados pódense consultar se se solicitan para satisfacer as necesidades específicas da súa aplicación.

P3: Podo personalizar o grosor da capa de AlN?

A3Si, o/aEspesor da capa de AlNpódese personalizar, con rangos típicos deDe 100 nm a 2000 nmdependendo dos requisitos da túa aplicación.

Diagrama detallado

AlN en FSS01
AlN en FSS02
AlN en FSS03
AlN en FSS06 - 副本

  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanosla