Oblea de SiC de grao de produción de 8 polgadas, substrato de SiC 4H-N

Descrición curta:

Os substratos de SiC de 8 polgadas úsanse en dispositivos electrónicos de alta potencia, como MOSFET de potencia (transistores de efecto de campo de semicondutores de óxido metálico), díodos Schottky e outros dispositivos semicondutores de potencia.


Detalle do produto

Etiquetas do produto

A seguinte táboa mostra as especificacións das nosas obleas de SiC de 8 polgadas:

Especificacións do DSP SiC tipo N de 8 polgadas

Número Elemento Unidade Produción Investigación Boneco
1:parámetros
1.1 politipo -- 4H 4H 4H
1.2 orientación da superficie ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2: Parámetro eléctrico
2.1 dopante -- nitróxeno de tipo n nitróxeno de tipo n nitróxeno de tipo n
2.2 resistividade ohmio ·cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3: Parámetro mecánico
3.1 diámetro mm 200 ± 0,2 200 ± 0,2 200 ± 0,2
3.2 grosor μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Orientación da muesca ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 Profundidade da entalla mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3.5 LTV μm ≤5 (10 mm * 10 mm) ≤5 (10 mm * 10 mm) ≤10 (10 mm * 10 mm)
3.6 TVG μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Arco μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Deformación μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4: Estrutura
4.1 densidade de microtubos cada un/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 contido de metais átomos/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD cada un/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 TLP cada un/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED cada un/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Calidade frontal
5.1 fronte -- Si Si Si
5.2 acabado superficial -- CMP de cara Si CMP de cara Si CMP de cara Si
5.3 partícula oblea ≤100 (tamaño ≥0,3 μm) NA NA
5.4 rabuñar oblea ≤5, lonxitude total ≤200 mm NA NA
5.5 Bordo
lascas/afundimentos/fendas/manchas/contaminación
-- Ningún Ningún NA
5.6 Áreas de politipo -- Ningún Área ≤10% Área ≤30%
5.7 marcaxe frontal -- Ningún Ningún Ningún
6: Calidade do respaldo
6.1 acabado traseiro -- MP de cara C MP de cara C MP de cara C
6.2 rabuñar mm NA NA NA
6.3 Defectos do bordo traseiro
lascas/sangas
-- Ningún Ningún NA
6.4 Rugosidade da parte traseira nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6,5 Marcado traseiro -- Muesca Muesca Muesca
7: bordo
7.1 bordo -- Chaflán Chaflán Chaflán
8: Paquete
8.1 embalaxe -- Epi-ready con baleiro
embalaxe
Epi-ready con baleiro
embalaxe
Epi-ready con baleiro
embalaxe
8.2 embalaxe -- Multi-oblea
envasado de casete
Multi-oblea
envasado de casete
Multi-oblea
envasado de casete

Diagrama detallado

asd (1)
asd (2)
asd (3)

  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanosla