Modelo AlN de 50,8 mm/100 mm sobre plantilla de AlN NPSS/FSS en zafiro
AlN-On-Sapphire
AlN-On-Sapphire pódese usar para facer unha variedade de dispositivos fotoeléctricos, como:
1. Chips LED: os chips LED adoitan estar feitos de películas de nitruro de aluminio e outros materiais. A eficiencia e estabilidade dos leds poden mellorarse usando obleas AlN-On-Sapphire como substrato dos chips LED.
2. Láseres: as obleas de AlN-On-Sapphire tamén se poden usar como substratos para láseres, que se usan habitualmente no tratamento médico, de comunicacións e de materiais.
3. Células solares: a fabricación de células solares require o uso de materiais como o nitruro de aluminio. AlN-On-Sapphire como substrato pode mellorar a eficiencia e a vida útil das células solares.
4. Outros dispositivos optoelectrónicos: as obleas AlN-On-Sapphire tamén se poden usar para fabricar fotodetectores, dispositivos optoelectrónicos e outros dispositivos optoelectrónicos.
En conclusión, as obleas AlN-On-Sapphire son amplamente utilizadas no campo optoeléctrico debido á súa alta condutividade térmica, alta estabilidade química, baixas perdas e excelentes propiedades ópticas.
Modelo AlN de 50,8 mm/100 mm en NPSS/FSS
Elemento | Observacións | |||
Descrición | Modelo AlN-on-NPSS | Modelo AlN-on-FSS | ||
Diámetro da oblea | 50,8 mm, 100 mm | |||
Substrato | NPSS de plano c | C-plane Planar Sapphire (FSS) | ||
Espesor do substrato | Zafiro plano de 50,8 mm, plano de 100 mmc (FSS) 100 mm: 650 um | |||
Espesor da epicapa de AIN | 3~4 um (obxectivo: 3,3 um) | |||
Condutividade | Illante | |||
Superficie | Como medrado | |||
RMS < 1 nm | RMS <2 nm | |||
Parte traseira | Moído | |||
FWHM(002)XRC | < 150 segundos de arco | < 150 segundos de arco | ||
FWHM(102)XRC | < 300 segundos de arco | < 300 segundos de arco | ||
Exclusión de borde | < 2 mm | < 3 mm | ||
Orientación plana primaria | plano a+0,1° | |||
Lonxitude plana primaria | 50,8 mm: 16 +/-1 mm 100 mm: 30 +/-1 mm | |||
Paquete | Empaquetado en caixa de envío ou recipiente de oblea individual |