Oblea SiC Epi de 4 polgadas para MOS ou SBD
A epitaxia refírese ao crecemento dunha capa de material monocristal de maior calidade na superficie dun substrato de carburo de silicio.Entre eles, o crecemento da capa epitaxial de nitruro de galio nun substrato de carburo de silicio semiillante chámase epitaxia heteroxénea;o crecemento dunha capa epitaxial de carburo de silicio na superficie dun substrato condutor de carburo de silicio chámase epitaxia homoxénea.
Epitaxial está de acordo cos requisitos de deseño do dispositivo do crecemento da capa funcional principal, determina en gran medida o rendemento do chip e do dispositivo, o custo do 23%.Os principais métodos de epitaxia de película fina de SiC nesta fase inclúen: deposición química en vapor (CVD), epitaxia por feixe molecular (MBE), epitaxia en fase líquida (LPE) e deposición e sublimación láser pulsada (PLD).
A epitaxia é un elo moi crítico en toda a industria.Ao crecer capas epitaxiais de GaN sobre substratos de carburo de silicio semi-illantes, prodúcense obleas epitaxiais de GaN baseadas en carburo de silicio, que poden converterse en dispositivos de RF GaN como transistores de alta mobilidade electrónica (HEMT);
Ao crecer a capa epitaxial de carburo de silicio no substrato condutor para obter oblea epitaxial de carburo de silicio, e na capa epitaxial na fabricación de díodos Schottky, transistores de efecto de medio campo de ouro-osíxeno, transistores bipolares de porta illada e outros dispositivos de potencia, polo que a calidade de o epitaxial sobre o rendemento do dispositivo é un impacto moi grande no desenvolvemento da industria tamén está xogando un papel moi crítico.
Diagrama detallado
![asd (1)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-110.jpg)
![asd (2)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-25.png)