Obleas de carburo de silicio de 2 polgadas, substratos de SiC de tipo N 6H ou 4H ou semiillantes
Produtos recomendados
Oblea de SiC 4H tipo N
Diámetro: 2 polgadas 50,8 mm | 4 polgadas 100 mm | 6 polgadas 150 mm
Orientación: fóra do eixe 4,0˚ cara a <1120> ± 0,5˚
Resistividade: < 0,1 ohm.cm
Rugosidade: CMP de cara Si Ra <0,5 nm, pulido óptico de cara C Ra <1 nm
Oblea de SiC 4H semiaïllante
Diámetro: 2 polgadas 50,8 mm | 4 polgadas 100 mm | 6 polgadas 150 mm
Orientación: no eixo {0001} ± 0,25˚
Resistividade: >1E5 ohm.cm
Rugosidade: CMP de cara Si Ra <0,5 nm, pulido óptico de cara C Ra <1 nm
1. Infraestrutura 5G: subministración de enerxía para comunicacións.
A fonte de alimentación para as comunicacións é a base enerxética para a comunicación entre o servidor e a estación base. Proporciona enerxía eléctrica para varios equipos de transmisión para garantir o funcionamento normal do sistema de comunicación.
2. Pila de carga de vehículos de nova enerxía: módulo de potencia da pila de carga.
A alta eficiencia e a alta potencia do módulo de potencia da pila de carga pódense conseguir mediante o uso de carburo de silicio no módulo de potencia da pila de carga, para mellorar a velocidade de carga e reducir o custo de carga.
3. Centro de datos grande, Internet industrial: fonte de alimentación do servidor.
A fonte de alimentación do servidor é a biblioteca de enerxía do servidor. O servidor fornece enerxía para garantir o funcionamento normal do sistema do servidor. O uso de compoñentes de alimentación de carburo de silicio na fonte de alimentación do servidor pode mellorar a densidade de potencia e a eficiencia da fonte de alimentación do servidor, reducir o volume do centro de datos no seu conxunto, reducir o custo global de construción do centro de datos e lograr unha maior eficiencia ambiental.
4. Uhv - Aplicación de interruptores de circuíto de CC de transmisión flexibles.
5. Ferrocarril interurbano de alta velocidade e tránsito ferroviario interurbano: convertidores de tracción, transformadores electrónicos de potencia, convertidores auxiliares, fontes de alimentación auxiliares.
Parámetro
Propiedades | unidade | Silicio | SiC | GaN |
Largura da banda prohibida | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
Campo de desglose | MV/cm | 0,23 | 2.2 | 3.3 |
Mobilidade electrónica | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
Valocidade da deriva | 10^7 cm/s | 1 | 2.7 | 2.5 |
Condutividade térmica | W/cm³K | 1.5 | 3.8 | 1.3 |
Diagrama detallado



