Obleas de carburo de silicio de 2 polgadas 6H ou 4H Tipo N ou substratos de SiC semiaislantes

Oblea 4H SiC tipo N
Diámetro: 2 polgadas 50,8 mm | 4 polgadas 100 mm | 6 polgadas 150 mm
Orientación: fóra do eixe 4,0˚ cara a <1120> ± 0,5˚
Resistividad: < 0,1 ohm.cm
Rugosidade: Si-face CMP Ra <0,5 nm, C-face pulido óptico Ra <1 nm

Oblea de SiC 4H Semiisolante
Diámetro: 2 polgadas 50,8 mm | 4 polgadas 100 mm | 6 polgadas 150 mm
Orientación: no eixe {0001} ± 0,25˚
Resistividad: >1E5 ohm.cm
Rugosidade: Si-face CMP Ra <0,5 nm, C-face pulido óptico Ra <1 nm

1. Infraestrutura 5G: fonte de alimentación de comunicación.
A fonte de alimentación de comunicación é a base de enerxía para a comunicación entre o servidor e a estación base. Proporciona enerxía eléctrica para varios equipos de transmisión para garantir o funcionamento normal do sistema de comunicación.

2. Pila de carga de vehículos de nova enerxía: módulo de potencia da pila de carga.
A alta eficiencia e a alta potencia do módulo de potencia da pila de carga pódense realizar mediante o uso de carburo de silicio no módulo de potencia da pila de carga, para mellorar a velocidade de carga e reducir o custo de carga.

3. Big data center, Internet industrial: fonte de alimentación do servidor.
A fonte de alimentación do servidor é a biblioteca de enerxía do servidor. O servidor proporciona enerxía para garantir o funcionamento normal do sistema do servidor. O uso de compoñentes de enerxía de carburo de silicio na fonte de alimentación do servidor pode mellorar a densidade de enerxía e a eficiencia da fonte de alimentación do servidor, reducir o volume do centro de datos en xeral, reducir o custo global de construción do centro de datos e acadar un maior medio ambiente. eficiencia.

4. Uhv - Aplicación de interruptores automáticos de CC de transmisión flexible.

5. Tránsito ferroviario interurbano de alta velocidade e interurbano: conversores de tracción, transformadores electrónicos de potencia, conversores auxiliares e fontes de alimentación auxiliares.